本發明專利技術涉及一種半柔同軸電纜外導體的鍍錫裝置及鍍錫方法，鍍錫裝置包括模具（5），所述模具（5）豎向設有中心孔（5-1），所述中心孔（5-1）的兩端設有圓弧倒角（6），所述模具（5）的底部設有環形凹槽（7），環形凹槽（7）置于中心孔（5-1）外圍，所述環形凹槽（7）與錫液的液面相接觸，所述環形凹槽（7）的底部徑向設有多條排錫槽（8），所述排錫槽（8）自所述中心孔（5-1）孔壁向模具（5）外緣延伸擴展。鍍錫方法包括布置鍍錫裝置、接線和收線三個步驟。本發明專利技術半柔同軸電纜外導體的鍍錫裝置及鍍錫方法，在未鍍錫前的半成品線經過鍍錫方法的模具后使外導體表面無砂眼和無焦狀殘留物，從而使半柔同軸電纜的短段及報廢現象大大減少，提高了產品的成品率，減少了產品的制造成本。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種半柔同軸電纜外導體的鍍錫方法。
技術介紹
半柔同軸電纜主要應用于各類無線電，微波通訊，微波測量設備移動通信設備中傳輸高頻信號。半柔同軸電纜從內向外一般由內導體、絕緣層、外導體和保護層構成，其中外導體是由鍍錫銅線或者由裸銅銅線編織先形成編織層，然后在編織層外鍍上一層錫形 成。以前的半柔同軸電纜外導體的鍍錫方法中不使用模具，而是直接把未鍍錫前的半成品線(包括內導體、絕緣層和外導體)從錫槽內拉出，會造成外導體表面有細砂眼，而細砂眼較多則會影響半柔同軸電纜相位參數的一致性，下道工序在外導體表面擠護套會造成護套表面起泡現象；未鍍錫前的半成品線在進入錫槽之前經過了助焊劑槽，而助焊劑槽內的黑點殘留物燙焦后會吸附在外導體表面，拉護套時造成護套表面起疙瘩現象，從而造成半柔同軸電纜的短段和報廢，直接影響產品的成品率和制造成本。
技術實現思路
本專利技術在于克服上述不足，提供一種使半柔同軸電纜的外導體不會出現細砂和焦狀殘留物的。本專利技術的目的是這樣實現的一種半柔同軸電纜外導體的鍍錫裝置，所述裝置包括錫槽，所述錫槽內加入有錫液，錫槽上方裝有可升降支架，所述可升降支架底部裝有過線輪，所述過線輪完全浸入錫液，所述可升降支架中部設有模具支架，所述模具支架上設有模具，所述模具豎向設有中心孔，所述中心孔的兩端設有圓弧倒角，所述模具的底部設有環形凹槽，所述環形凹槽置于中心孔外圍，所述環形凹槽與錫液的液面相接觸，所述環形凹槽的底部徑向設有多條排錫槽，所述排錫槽自所述中心孔孔壁向模具外緣延伸擴展。本專利技術一種半柔同軸電纜外導體的鍍錫方法，所述方法包括如下步驟 步驟一、布置鍍錫裝置 所述鍍錫裝置包括錫槽，所述錫槽內加入有錫液，錫槽上方裝有可升降支架，所述可升降支架底部裝有過線輪，所述過線輪完全浸入錫液，所述可升降支架中部設有模具支架，所述模具支架上設有模具，所述模具豎向設有中心孔，所述中心孔的兩端設有圓弧倒角，所述模具的底部設有環形凹槽，所述環形凹槽置于中心孔外圍，所述環形凹槽與錫液的液面相接觸，所述環形凹槽的底部徑向設有多條排錫槽，所述排錫槽自所述中心孔孔壁向模具外緣延伸擴展； 步驟二、接線 將已經過助焊劑槽和預熱爐的未鍍錫前的半成品線進入錫槽并穿過過線輪和模具的中心孔，形成半成品線； 步驟三、收線 將步驟二形成的半成品線牽引、冷卻，最后收線至收線盤。本專利技術半柔同軸電纜外導體的鍍錫方法，所述錫槽的溫度為380 395°C。本專利技術半柔同軸電纜外導體的鍍錫方法，所述未鍍錫前的半成品線浸入錫槽的長度為4(T50cm，所述未鍍錫前的半成品線從進入錫液的液面到模具的水平距離為30 40cmo ο本專利技術半柔同軸電纜外導體的鍍錫方法，所述牽引速度為15 20m/min。與現有技術相比，本專利技術的有益效果是 未鍍錫前的半成品線從錫槽內向上移動，在編織層的周圍形成波峰錫，波峰錫在模具的圓弧倒角處形成一股阻力，同時該處形成ー個反作用カ于編織層上，使錫能夠充分與編 織層結合，消除編織層之間的縫隙，使得外導體上無砂眼。未鍍錫前的半成品線經過助焊劑槽后，部分助焊劑的焦狀殘留物浮在編織層的周圍，集中分布在模具底部的環形凹槽內，若積累ー多就會流到編織層上，目前在模具底部徑向設有多條排錫槽，焦狀殘留物由于浮力作用流向排錫槽內，從而流向模具外，避免了焦狀殘留物流到編織層上，使得編織層表面無焦狀殘留物。通過上述方法改善，使半柔同軸電纜的短段及報廢現象大大減少，提高了產品的成品率，減少了產品的制造成本。附圖說明圖I為本專利技術一種半柔同軸電纜外導體的鍍錫裝置結構示意圖。圖2為模具剖面圖。圖3為模具仰視圖。其中 錫槽I 可升降支架2 過線輪3 模具支架4 模具5、中心孔5-1 圓弧倒角6 環形凹槽7 槽8。具體實施例方式本專利技術半柔同軸電纜外導體的鍍錫裝置包括錫槽1，所述錫槽I內加入有錫液，錫槽I上方裝有可升降支架2，所述可升降支架2底部裝有過線輪3，所述過線輪3完全浸入錫液，所述可升降支架2中部設有模具支架4，所述模具支架4上設有模具5，所述模具5豎向設有中心孔5-1，所述中心孔5-1的兩端設有圓弧倒角6，所述模具5的底部設有環形凹槽7，所述環形凹槽7置于中心孔5-1外圍，所述環形凹槽7與錫液的液面相接觸，所述環形凹槽7的底部徑向設有多條排錫槽8，所述排錫槽8自所述中心孔5-1孔壁向模具5外緣延伸擴展。本專利技術ー種半柔同軸電纜外導體的鍍錫方法，包括如下步驟 步驟一、布置鍍錫裝置所述鍍錫裝置包括錫槽1，所述錫槽I內加入有錫液，錫槽I上方裝有可升降支架2，所述可升降支架2底部裝有過線輪3，所述過線輪3完全浸入錫液，所述可升降支架2中部設有模具支架4，所述模具支架4上設有模具5，所述模具5豎向設有中心孔5-1，所述中心孔5-1的兩端設有圓弧倒角6，所述模具5的底部設有環形凹槽7，所述環形凹槽7置于中心孔5-1外圍，所述環形凹槽7與錫液的液面相接觸，所述環形凹槽7的底部徑向設有多條排錫槽8，所述排錫槽8自所述中心孔5-1孔壁向模具5外緣延伸擴展； 步驟二、接線 將已經過助焊劑槽和預熱爐的未鍍錫前的半成品線進入錫槽I并穿過過線輪3和模具 5的中心孔5-1,形成半成品線； 步驟三、收線 將步驟二形成的半成品線牽引、冷卻，最后收線至收線盤。本專利技術半柔同軸電纜外導體的鍍錫方法，所述錫槽I的溫度為380 395°C。本專利技術半柔同軸電纜外導體的鍍錫方法，所述未鍍錫前的半成品線浸入錫槽I的長度為4(T50cm，所述未鍍錫前的半成品線從進入錫液的液面到模具5的水平距離為30 40cmo ο本專利技術半柔同軸電纜外導體的鍍錫方法，所述牽引速度為15 20m/min。本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種半柔同軸電纜外導體的鍍錫裝置，其特征在于所述裝置包括錫槽(1)，所述錫槽(I)內加入有錫液，錫槽(I)上方裝有可升降支架(2)，所述可升降支架(2)底部裝有過線輪(3)，所述過線輪(3)完全浸入錫液，所述可升降支架(2)中部設有模具支架(4)，所述模具支架(4)上設有模具(5)，所述模具(5)豎向設有中心孔(5-1)，所述中心孔(5-1)的兩端設有圓弧倒角(6)，所述模具(5)的底部設有環形凹槽(7)，所述環形凹槽(7)置于中心孔(5-1)外圍，所述環形凹槽(7)與錫液的液面相接觸，所述環形凹槽(7)的底部徑向設有多條排錫槽(8)，所述排錫槽(8)自所述中心孔(5-1)孔壁向模具(5)外緣延伸擴展。2.一種半柔同軸電纜外導體的鍍錫方法，其特征在于所述方法包括如下步驟 步驟一、布置鍍錫裝置 所述鍍錫裝置包括錫槽(I )，所述錫槽(I)內加入有錫液，錫槽(I)上方裝有可升降支架(2)，所述可升降支架(2)底部裝有過線輪(3)，所述過線輪(3)完全浸入錫液，所述可升降支架(2)中部設有模具支架(4)，所述模具支架(4)上設有模具(5)，所述模具(5)豎向設有中心孔(5-1)，所述中心孔(...
【專利技術屬性】
技術研發人員：湯曉楠，
申請(專利權)人：神宇通信科技股份公司，
類型：發明
國別省市：
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