【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及化學機械拋光領域。具體來說，本專利技術涉及一種穩定可濃縮并且無水溶性纖維素的化學機械拋光組合物；ー種化學機械拋光組合物的制備方法以及ー種對半導體材料進行化學機械拋光的方法，更具體地洗，涉及對半導體晶片上的互連金屬進行化學機械拋光的方法。
技術介紹
典型地，半導體晶片是具有包括多個溝槽的介電層的硅晶片，這些溝槽設置在介電層內形成電路互連圖案。這些圖案排列通常具有波紋結構或雙重波紋結構。阻擋層覆蓋在圖案化的介電層之上，金屬層則覆蓋在阻擋層之上。金屬層的厚度至少足以填充圖案化的溝槽，從而與金屬形成電路互連。 化學機械拋光方法通常包括多個拋光步驟。例如，第一步以較高初始速率去除過量的互連金屬，例如銅。第一歩去除步驟之后，通過第二步拋光步驟去除殘留在阻擋層上金屬互連以外的金屬。隨后的拋光步驟則從半導體晶片下面的介電層上去除阻擋層，從而在介電層和金屬互連上形成平坦的拋光表面。半導體基片上溝槽或凹槽中的金屬提供形成金屬電路的金屬線。ー個需要解決的難題是，拋光操作通常容易從各個溝槽或凹槽去除金屬，導致這些金屬產生凹陷。凹陷是不希望出現的，它會導致金屬電路臨界尺寸發生變化。為了減少凹陷現象，拋光在較低的拋光壓カ下進行。然而，如果僅僅降低拋光壓力，拋光過程將會持續更長時間。而且，在整個延長的拋光過程中會持續產生凹陷。為了提高特殊顧客需求的可調節性和改善后勤方面的性質(例如，降低運輸成本，減小體積吞吐量)，經常需要提供濃縮液形式的化學機械拋光配制液。用于去除過量互連金屬的傳統化學機械拋光配方制劑通常混有唑類抑制劑。當以較高濃度混入吋，這些唑類抑制劑往往容易聚集并...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
2011.03.03 US 13/039,7051.一種用于含有互連金屬的半導體晶片化學機械拋光的化學機械拋光組合物，所述組合物包括作為初始成分的 水； 唑類抑制劑； 堿金屬有機表面活性劑； 水溶助劑； 含磷試劑； 任選的非糖類水溶性聚合物； 任選的化學式I的水溶性酸化合物2.根據權利要求I的化學機械拋光組合物，其中，所述化學機械拋光組合物含有<O. 001重量％的銨，并且其中所述化學機械拋光組合物含有< O. 001重量％的水溶性纖維素。3.根據權利要求I的化學機械拋光組合物，其中，所述化學機械拋光組合物包括作為初始成分的 水； O. I至5重量％的唑類抑制劑； O. 05至I重量％的堿金屬有機表面活性劑； O. 5至5重量％的水溶助劑； O. I至5重量％的含磷試劑； O. 05至5重量％的非糖類水溶性聚合物； O. 05至5重量％的化學式I的水溶性酸化合物4.根據權利要求3的化學機械拋光組合物，其中所述化學機械拋光組合物含有<O. 001重量％的銨，并且其中化學機械拋光組合物含有< O. 001重量％的水溶性纖維素。5.根據權利要求I的化學機械拋光組合物，其中，所述化學機械拋光組合物包括作為初始成分的 水； O. I至5重量％的苯并三唑； O. 05至I重量％的辛烷磺酸鈉； O. I至I重量％選自甲苯磺酸鈉、ニ甲苯磺酸鈉及其混合物的水溶助劑； O. I至5重量％選自磷酸三鉀、磷酸氫ニ鉀、磷酸ニ氫鉀及其混合物的含磷試劑；以及 O. 05至3重量％的甲基丙烯酸和丙烯酸的共聚物； O. 05至5重量％的亞氨基ニこ酸； O. I至5重量％的蘋果酸；以及， O至25重量％的氧化劑。6.根據權利要求5的化學機械拋光組合物，其中所述化學機械拋光組合物含有<O. 001重量％銨重量％。7.ー種制備權利要求I的化學機械拋光組合物的方法，所述方法包括 提供水； 提供唑類抑制劑...
【專利技術屬性】
技術研發人員：H·拉克奧特，石進杰，J·萊蒂齊亞，X·李，T·H·卡蘭塔爾，F·凱勒，J·K·哈里斯，C·J·塔克，
申請(專利權)人：羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司，陶氏環球技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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