實施方式的半導體裝置，包括：半導體元件、導電性的基座、多個引線、懸掛銷和模制樹脂。上述半導體元件具有多個電極。上述半導體元件借助于第一焊料搭載到上述基座上。上述基座在包圍上述半導體元件的外周部具有定位銷。上述多個引線從上述基座向外側延伸，且與上述半導體元件的上述多個電極電氣連接。上述懸掛銷在前端具有定位孔，用與上述引線相同的導電性材料構成。把上述定位銷插入上述定位孔而把上述懸掛銷卡合到上述基座的上述外周部。上述模制樹脂內部包含上述半導體元件、上述基座、上述引線的一端和上述懸掛銷。上述引線的另一端向上述模制樹脂的外部突出地延伸。上述懸掛銷通過第二焊料固定到上述基座的上述外周部。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術的實施方式涉及，該半導體裝置包括搭載了半導體元件的基座(bed)和把半導體元件的電極引出到外部的引線，且用樹脂封裝。
技術介紹
作為在模制樹脂內對搭載了半導體元件的基座和用來把半導體元件的各電極引出到外部的電路端子進行了密封的半導體裝置，有例如S0P(Small Outline Package，小夕卜 形封裝)、QFP(Quad Flat Package,方形扁平封裝)等。在這些半導體裝置中要求提高散熱性。為了改善散熱性，使基座的與搭載了半導體元件的表面相反側的表面從模制樹脂露出。為了提高過渡性熱傳導而進ー步提高散熱性，希望把基座加厚。但是，在半導體裝置的組裝エ序中，通常用使基座和引線從框延伸并一體化了的引線框來提供基座和引線。在半導體裝置的組裝完成之前，用金屬模從引線框上切斷利用懸掛銷(hanging pin)連結到框上的引線的頭和直接連結到框上的引線的頭。此時，如果引線和基座相當厚，則金屬模的壽命縮短，從而導致制造エ序的成本増加。于是，使用通過分別準備較薄地形成了懸掛銷和引線的引線框和比引線框厚的基座，把懸掛銷的前端和基座的外周部鉚接起來，而使基座和引線一體化所得到的結構。但是，該基座和引線的鉚接加工費也對半導體裝置的制造成本有較大影響。希望進ー步降低加工費。
技術實現思路
本專利技術的實施方式提供制造成本低、散熱性高的。實施方式的半導體裝置，包括半導體元件、導電性的基座、多個引線、懸掛銷和模制樹脂。上述半導體元件具有多個電扱。上述半導體元件借助于第一焊料搭載到上述基座上。上述基座在包圍上述半導體元件的外周部具有定位銷。上述多個引線從上述基座向外側延伸，且與上述半導體元件的上述多個電極電氣連接。上述懸掛銷在前端具有定位孔，用與上述引線相同的導電性材料構成。把上述定位銷插入上述定位孔而把上述懸掛銷卡合到上述基座的上述外周部。上述模制樹脂內部包含上述半導體元件、上述基座、上述引線的ー端和上述懸掛銷。上述引線的另一端向上述模制樹脂的外部突出地延伸。上述懸掛銷通過第二焊料固定到上述基座的上述外周部。根據本專利技術的實施方式，能夠提供制造成本低、散熱性高的。附圖說明圖1(a)是根據實施方式I的半導體裝置的平面圖，圖1(b)是圖1(a)的沿A-A線的剖面圖。圖2(a)是根據實施方式I的半導體裝置的制造エ序的一部分的平面圖，圖2(b)是圖2(a)的沿A-A線的剖面圖。圖3(a)是根據實施方式I的半導體裝置的制造エ序的一部分的平面圖，圖3(b)是圖3(a)的沿A-A線的剖面圖。圖4(a)是根據實施方式I的半導體裝置的制造エ序的一部分的平面圖，圖4(b)是圖4(a)的沿A-A線的剖面圖。圖5(a)是根據實施方式I的半導體裝置的制造エ序的一部分的平面圖，圖5(b)是圖5(a)的沿A-A線的剖面圖。圖6 (a)是根據實施方式2的半導體裝置的平面圖，圖6(b)是圖6(a)的沿A-A線 的剖面圖。圖7(a)是根據實施方式2的半導體裝置的制造エ序的一部分的平面圖，圖7 (b)是圖7(a)的沿A-A線的剖面圖。圖8(a)是根據實施方式2的半導體裝置的制造エ序的一部分的平面圖，圖8 (b)是圖8(a)的沿A-A線的剖面圖。圖9(a)是根據實施方式2的半導體裝置的制造エ序的一部分的平面圖，圖9 (b)是圖9(a)的沿A-A線的剖面圖。圖10(a)是根據實施方式2的半導體裝置的制造エ序的一部分的平面圖，圖10(b)是圖10(a)的沿A-A線的剖面圖。具體實施例方式下面，參照附圖說明本專利技術的實施方式。在實施方式的說明中使用的附圖，是用來使說明變得容易的示意圖，圖中各要素的形狀、尺寸、大小關系等，在實際實施時并不一定限于圖中所示的情況，在能獲得本專利技術的效果的范圍內可以適當變更。在實施例中，作為用模制樹脂封裝了的半導體裝置的一例，說明了作為半導體元件具有MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)等的電カ用半導體元件的芯片的SOP 8，但在QFP等的其它的樹脂封裝的半導體裝置中也可以適用。另外，在實施例中，以M0SFET、IGBT等的半導體芯片為例，說明了半導體元件，但半導體元件不限于半導體芯片，當然作為半導體元件也可以使用在表面上形成了這些半導體芯片、電容、電阻等的元件、布線圖案和電極焊盤等的布線襯底或者多芯片模塊。另外，半導體芯片不限于MOSFET、IGBT等的個別半導體，只要是發熱成為問題的半導體元件，即使是IC (集成電路)芯片等，也都可以適用本專利技術。(實施方式I)用圖I說明實施方式I。圖1(a)是根據實施方式I的半導體裝置的平面圖，圖1(b)是圖1(a)的沿A-A線的剖面圖。另外，圖1(a)的模制樹脂8內的平面圖是作為透視圖畫出的。像圖I所示的那樣，根據本實施方式的半導體裝置100包括半導體元件I、基座3、多個引線4、懸掛銷5和模制樹脂8。半導體元件1，作為一例，是M0SFET、IGBT等的電カ用半導體元件的芯片，具有未圖示的多個電極，例如源電極、漏電極和柵電扱。作為一例，在半導體元件I的表面上形成源電極和柵電極，在半導體元件I的背面上形成漏電極(未圖示)。半導體元件I的背面通過焊料2 (第一焊料)與由導電性材料構成的基座3的表面(第一主面)電氣連接。即，半導體元件I通過把其背面用焊料焊到基座3的表面上，使漏電極與基座3電氣連接。作為基座3的材料，可以用例如銅、鋁。基座3在其外周部3b上有向表面側(第一主面側)突出的定位銷3a。在本實施方式的情況下，基座3具有矩形的形狀，在其四角上有定位銷3a。基座3的搭載了半導體元件I的部分形成得比外周部3b厚。因此，基座3在與表面相反的ー側具有從外周部3b突出的背面(第二主面)。以下，如果沒有特別聲明，基座3的厚度指基座3的搭載了半導體元件I的部分的厚度。即，基座3的厚度表示基座3的表面(第一主面)與背面(第二主面)之間的間隔。 多個引線4從基座向外側延伸。在本實施方式的情況下，由于以SOP 8為例，所以4條引線從基座的ー邊向外側延伸，另4條引線從與它們相反側的基座的另ー邊向外側延伸。從上述ー邊向外側延伸的4條引線4a，例如，通過鍵合引線7與基座3電氣連接，通過第一焊料2與在半導體元件I的背面上形成的未圖示的漏電極電氣連接。或者，也可以是，從上述一邊向外側延伸的4條引線4a與基座3 —體地形成,從基座3的外周部3b的上述一邊向外側突出地形成(未圖示)。另外，從上述另ー邊向外側延伸的4條引線中的兩條引線4b通過鍵合引線7與在半導體元件I的表面上形成的未圖示的源電極電氣連接，另兩條引線4c通過鍵合引線7與在半導體元件I的表面上形成的未圖示的柵電極電氣連接。另外，各引線與源電極、漏電極和柵電極各自電氣連接，作為一例示出鍵合引線，但也可以取代鍵合引線，用由鋁或銅等構成的稱為條帶(stripe)的帯狀或長方形狀的導電體進行。懸掛銷5在其前端具有定位孔5a，由與多個引線相同的導電性材料構成。作為導電性材料，可以使用鋁、銅等。通過把在上述基座3的外周部3b上形成的定位銷3a插入定位孔5a中，把懸掛銷5卡合到基座3的外周部。通過用焊料6(第二焊料)把懸掛銷5的形成了在前端形成的定位孔5a的部分與在基座3的外周部3b上形成的定位銷3a接合起來，把懸掛銷5固定到基座3的本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
2011.03.22 JP 2011-0633151.一種半導體裝置，其特征在于包括 半導體元件，具有多個電扱； 導電性的基座，借助于第一焊料搭載有上述半導體元件，且在包圍上述半導體元件的外周部具有定位銷； 多個引線，從上述基座向外側延伸，且與上述半導體元件的上述多個電極電氣連接；懸掛銷，在前端具有定位孔，用與上述引線相同的導電性材料構成，且把上述定位銷插入上述定位孔而被卡合到上述基座的上述外周部；以及 模制樹脂，內部包含上述半導體元件、上述基座、上述引線的一端和上述懸掛銷，且上述引線的另一端向其外部突出地延伸， 上述懸掛銷通過第二焊料固定到上述基座的上述外周部。2.如權利要求I所述的半導體裝置，其特征在于 上述懸掛銷的厚度與上述引線的厚度相同。3.如權利要求I所述的半導體裝置，其特征在于 上述基座比上述引線厚。4.如權利要求I所述的半導體裝置，其特征在于 上述基座的具有上述定位銷的上述外周部比上述基座的搭載上述半導體元件的部分薄。5.如權利要求I所述的半導體裝置，其特征在于 上述基座具有搭載了上述半導體元件的第一主面、和從上述外周部向與上述第一主面相反的ー側突出的第二主面。6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于 上述定位銷向上述第一主面側突出。7.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于 上述懸掛銷的形成了上述定位孔的部分通過第二焊料與上述基座的外周部的上述定位銷固定。8.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于 上述定位銷向上述第二主面側突出。9.如權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于 上述懸掛銷的形成了上述定位孔的部分通過上述第二焊料與上述基座的外周部的側壁固定。10.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于 上述基座的第二主面從模制樹脂露出11.如權利要求I所述的半導體裝置，其特征在干 上述半導體元件包含在表面上形成了電極、布線層、和半導體芯片的布線襯底。12.—種半導體裝置的制造方法，其特征在于包括 通過在具有從環狀的框向內側延伸的引線和懸掛銷的引線框的上述懸掛銷的前端設置的定位孔中插入在導電性的基座的外周部設置的定位銷，把上述引線框的上述懸掛銷卡合到上述基座的上述外周部的エ序； 在上述基座的中央部分涂敷第一焊料漿料的エ序；在上述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：三宅英太郎，
申請(專利權)人：株式會社東芝，
類型：發明
國別省市：
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