具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓及其制造方法技術

本發明專利技術提供一種具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓及其制造方法，該集成電路晶圓主要包含一集成電路層，集成電路層的頂面設有多個焊墊且設有一絕緣層，絕緣層于對應各焊墊的位置開設有一貫孔，該貫孔用以供一封裝金屬層注入，絕緣層的頂面設有一電磁屏蔽層，電磁屏蔽層與集成電路層的焊墊之間保持電性絕緣，用以提供電磁屏蔽的效果，借此，本發明專利技術的集成電路并不需要設置金屬屏蔽罩以有效簡化整體制程，同時亦可利用貫孔的設計而方便后續的封裝制程。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術與集成電路晶圓有關，特別是有關于ー種具有電磁屏蔽作用的集成電路及其制造方法。
技術介紹
近年來的電子產品逐漸以高效能及體積小為主要訴求，使得電子產品內部的集成電路勢必要増加本身的運算速度及元件密度，但在集成電路的運算速度及元件密度有所提升的同時，將造成集成電路與其他電子元件之間很容易相互產生電磁干擾的現象。為了解決上述問題，通常是集成電路晶圓切割并對晶粒封裝完成后，在模組制成產品時設置ー金屬屏蔽罩將集成電路與其他電子元件加以隔離，用以防止集成電路受到外界電磁場的影響，進而達到電磁屏蔽的效果。然而，金屬屏蔽罩的設置會增加產品模組化的體積，并且同時需要在模組制程中增加設置金屬屏蔽罩的エ序，使得整個電子元件產品具有額外的成本與制程エ時的耗費。
技術實現思路
本專利技術的主要目的在于提供ー種具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，其能節省制程成本及制程エ時。為達成上述目的，本專利技術的集成電路晶圓定義出多個晶粒區，并包含一集成電路層、一絕緣層以及ー電磁屏蔽層。該集成電路層的頂面設有多個焊墊，所述焊墊位于上述晶粒區的邊緣；該絕緣層設于該集成電路層的頂面且于對應各該焊墊的位置開設有一貫孔， 該貫孔用以供一封裝金屬層注入；該電磁屏蔽層設于該絕緣層的頂面，并與該集成電路層的焊墊保持電性絕緣。借此，本專利技術的集成電路能通過該電磁屏蔽層提供電磁屏蔽的效果而省略掉金屬屏蔽罩的設置，如此便能達到制造方便與降低制造成本的目的。本專利技術所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，該電磁屏蔽層具有ー屏蔽凸塊及一種子層，該屏蔽凸塊是以磁性材料、導電材料或兩者合成的材料所制成，該種子層設于該絕緣層與該屏蔽凸塊之間。本專利技術所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，還包含一封裝金屬層，該封裝金屬層具有一導電凸塊及另一種子層，該導電凸塊設于該絕緣層的貫孔內且突出于該絕緣層的頂面，該另ー種子層布設于該導電凸塊與該貫孔的孔壁之間及該導電凸塊與該焊墊的頂面之間。本專利技術所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，各該晶粒區中，該集成電路層內設有ー電子元件，該電子元件電性連接至少ー該焊墊，該電磁屏蔽層位于該電子元件的上方。本專利技術所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，各該晶粒區中，該電磁屏蔽層具有多個屏蔽凸塊，所述屏蔽凸塊的覆蓋面積大于該電子元件的設置面積。本專利技術所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，所述屏蔽凸塊呈間隔地并列設置。本專利技術所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，該電子元件為具有巨磁阻(Giant magnetoresistance, GMR)效應的有源元件或無源元件,該電磁屏蔽層是以磁性材料或磁性材料與導電材料合成的材料所制成。本專利技術的另一目的在于提供ー種前述集成電路晶圓的制造方法，其均能有效簡化制程且降低制造成本，并能增加后續封裝制程的便利性。為了達成前述目的，本專利技術所提供的制造方法包含下列步驟步驟a :形成該集成電路層及所述焊墊；步驟b :涂布該絕緣層于該集成電路層的頂面，并在對應各該焊墊的位置蝕刻出ー貫孔，用以供一封裝金屬層注入，該封裝金屬層與該焊墊電性連接；以及步驟c :形成該電磁屏蔽層于該絕緣層的頂面，該電磁屏蔽層與該絕緣層的貫孔之間相隔ー預定 距離。本專利技術所述的前述集成電路晶圓的制造方法，在步驟c中，先形成ー種子層于該絕緣層的頂面，再于各該晶粒區形成ー屏蔽凸塊于該種子層的頂面，該屏蔽凸塊與其下方所對應的局部種子層結合形成該電磁屏蔽層。本專利技術所述的前述集成電路晶圓的制造方法，在該種子層形成后，先形成一光致抗蝕劑層于該種子層的頂面，并對該光致抗蝕劑層圖案化以形成ー開口供該屏蔽凸塊注入，接著再依序去除該光致抗蝕劑層及未與該屏蔽凸塊結合的種子層。本專利技術所述的前述集成電路晶圓的制造方法，在該種子層形成后，先形成一光致抗蝕劑層于該種子層的頂面，并對該光致抗蝕劑層圖案化以形成ニ開ロ，其中ー開口供該屏蔽凸塊注入，另ー開ロ位于該焊墊上方以供該導電凸塊注入，接著再依序去除該光致抗蝕劑層及該ニ開ロ以外的種子層。本專利技術所述的前述集成電路晶圓的制造方法，該屏蔽凸塊與該導電凸塊為相同的材質，且同步注入該ニ開口內，該屏蔽凸塊是以導電材料或磁性材料與導電材料合成的材料所制成。本專利技術所述的前述集成電路晶圓的制造方法，該種子層還形成于該貫孔的孔壁及該焊墊上。本專利技術所提供的另ー種前述集成電路晶圓的制造方法包含下列步驟步驟a :形成該集成電路層及所述焊墊；步驟b :涂布該絕緣層于該集成電路層的頂面；步驟c :形成該電磁屏蔽層于該絕緣層的頂面；以及步驟d :在該絕緣層對應各該焊墊的位置蝕刻出該貫孔，該貫孔與該電磁屏蔽層之間相隔ー預定距離，用以供封裝制程所需的ー導電凸塊注入，該導電凸塊與該焊墊電性連接。本專利技術所述的前述集成電路晶圓的制造方法，在步驟c中，先形成ー種子層于該絕緣層的頂面，再形成ー屏蔽凸塊于該種子層的頂面，該屏蔽凸塊與其下方所對應的局部種子層結合形成該電磁屏蔽層，該屏蔽凸塊是以磁性材料、導電材料或兩者合成的材料所制成。本專利技術所述的前述集成電路晶圓的制造方法，在該種子層形成后，先形成一光致抗蝕劑層于該種子層的頂面，并對該光致抗蝕劑層圖案化以形成ー開口供該屏蔽凸塊注入，接著再依序去除該光致抗蝕劑層及未與該屏蔽凸塊結合的種子層。本專利技術所述的前述集成電路晶圓的制造方法，在步驟d中，先形成一光致抗蝕劑層于該絕緣層的頂面，并對該光致抗蝕劑層圖案化以形成一位于該焊墊上方的開ロ，于對應該開ロ的位置蝕刻該絕緣層以形成該貫孔，接著再去除該光致抗蝕劑層。本專利技術所提供的另ー種具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓的制造方法，所述集成電路晶圓定義有多個晶粒區，各該晶粒區的邊緣供封裝制程所需的ー導電凸塊設置，所述集成電路晶圓的制造方法包含下列步驟步驟a :形成該集成電路層及所述焊墊，該集成電路層內具有一電子元件，該電子元件與該焊墊電性連接且位于其中一晶粒區內；步驟b :涂布該絕緣層于該集成電路層的頂面；步驟c :形成ー種子層于該絕緣層的頂面；步驟d :形成一光致抗蝕劑層于該種子層的頂面，再對應于各該晶粒區的位置對該光致抗蝕劑層該光致抗蝕劑層圖案化以形成ー開口供ー屏蔽凸塊注入，使得該屏蔽凸塊與其下方對應的局部種子層結合形成上述具有電磁屏蔽作用的ー電磁屏蔽層；以及步驟e :移除該光致抗蝕劑層，并形成與該電磁屏蔽層電性絕緣且相隔ー預定距離的上述導電凸塊，該導電凸塊與該焊墊電性連接。本專利技術所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓的制造方法，在步驟b之后，先蝕刻該絕緣層以形成位于各該焊墊上方的ー貫孔，在步驟c中，該種子層還形成于該貫孔 的孔壁及該焊墊的頂面。本專利技術所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓的制造方法，在步驟d中，同時對該光致抗蝕劑層圖案化以形成ニ開ロ，并于該ニ開ロ分別同時注入該屏蔽凸塊及該導電凸塊，在步驟e中，依序去除該光致抗蝕劑層及ニ該開ロ以外的種子層。本專利技術所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓的制造方法，在步驟e中依序去除該光致抗蝕劑層及該開ロ以外的種子層，然后先蝕刻該絕緣層以形成位于各該焊墊上方的ー貫孔，再于該貫孔內注入該導電凸塊。通過上述可知，本專利技術的集成電路晶圓的制造方法能夠省略掉設置金屬屏蔽罩的步驟而有效簡化制程，并且能夠通過該貫孔讓該封裝金屬層與該電磁屏蔽層同時形成，以増加后續封裝制程的便利性。附圖說明本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.ー種具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，其特征在于，定義有多個晶粒區，所述集成電路晶圓包含 一集成電路層，其頂面設有多個焊墊，所述焊墊位于上述晶粒區的邊緣； 一絕緣層，設于該集成電路層的頂面且于對應各該焊墊的位置開設有一貫孔；以及 ー電磁屏蔽層，設于該絕緣層的頂面，且位于所述晶粒區，并與該集成電路層的焊墊電性絕緣。2.根據權利要求I所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，其特征在于，該電磁屏蔽層具有一屏蔽凸塊及ー種子層，該屏蔽凸塊是以磁性材料、導電材料或兩者合成的材料所制成，該種子層設于該絕緣層與該屏蔽凸塊之間。3.根據權利要求2所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，其特征在于，還包含一封裝金屬層，該封裝金屬層具有一導電凸塊及另一種子層，該導電凸塊設于該絕緣層的貫孔內且突出于該絕緣層的頂面，該另ー種子層布設于該導電凸塊與該貫孔的孔壁之間及該導電凸塊與該焊墊的頂面之間。4.根據權利要求I所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，其特征在于，各該晶粒區中，該集成電路層內設有ー電子元件，該電子元件電性連接至少ー該焊墊，該電磁屏蔽層位于該電子兀件的上方。5.根據權利要求4所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，其特征在于，各該晶粒區中，該電磁屏蔽層具有多個屏蔽凸塊，所述屏蔽凸塊的覆蓋面積大于該電子元件的設置面積。6.根據權利要求5所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，其特征在于，所述屏蔽凸塊呈間隔地并列設置。7.根據權利要求4所述的具有電磁屏蔽作用的集成電路晶圓，其特征在于，該電子元件為具有巨磁阻效應的有源元件或無源元件，該電磁屏蔽層是以磁性材料或磁性材料與導電材料合成的材料所制成。8.ー種根據權利要求I所述的集成電路晶圓的制造方法，其特征在于，包含下列步驟 步驟a :形成該集成電路層，該集成電路層的頂面設有所述焊墊； 步驟b :涂布該絕緣層于該集成電路層的頂面，并在對應各該焊墊的位置蝕刻出該貫孔，用以供封裝制程所需的ー導電凸塊注入，該導電凸塊與該焊墊電性連接；以及 步驟c :形成該電磁屏蔽層于該絕緣層的頂面，該電磁屏蔽層與該絕緣層的貫孔之間相隔ー預定距離。9.根據權利要求8所述的集成電路晶圓的制造方法，其特征在于，在步驟c中，先形成ー種子層于該絕緣層的頂面，再于各該晶粒區形成ー屏蔽凸塊于該種子層的頂面，該屏蔽凸塊與其下方所對應的局部種子層結合形成該電磁屏蔽層。10.根據權利要求9所述的集成電路晶圓的制造方法，其特征在于，在該種子層形成后，先形成一光致抗蝕劑層于該種子層的頂面，并對該光致抗蝕劑層圖案化以形成ー開ロ供該屏蔽凸塊注入，接著再依序去除該光致抗蝕劑層及未與該屏蔽凸塊結合的種子層。11.根據權利要求9所述的集成電路晶圓的制造方法，其特征在于，在該種子層形成后，先形成一光致抗蝕劑層于該種子層的頂面，并對該光致抗蝕劑層圖案化以形成ニ開ロ，其中ー開口供該屏蔽凸塊注入，另ー開ロ位于該焊墊上方以供該導電凸塊注入，接著再依序去除該光致抗蝕劑層及該ニ開ロ以外的種子層。12.根據權利要求11所述的集成電路晶圓的制造方法，其特征在于，該屏蔽凸塊與該導電凸塊為相同的材質，且同步注入該ニ開口內，該屏蔽凸塊是以導電材料或磁性材料與導電材料合成...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳耀翔，劉滄宇，何彥仕，張恕銘，
申請(專利權)人：精材科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：