一種微納米技術(shù)領(lǐng)域的從離子液體中沉積制備超疏水性銻化銦薄膜的方法，通過將基底置于含有氯化銦和氯化銻的1-甲基-3-乙基咪唑雙三氟甲基磺酰亞胺鹽溶液中進(jìn)行電化學(xué)沉積得到薄膜，再對(duì)該薄膜進(jìn)行表面化學(xué)修飾得到超疏水性銻化銦薄膜。本發(fā)明專利技術(shù)沉積得到的銻化銦薄膜經(jīng)過表面化學(xué)修飾水滴的接觸角大于150°，滾動(dòng)角小于20°。本發(fā)明專利技術(shù)的方法簡單易行，能夠適用于各種導(dǎo)電基底表面。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及的是一種微納米
的方法，具體是一種。
技術(shù)介紹
固體表面的潤濕性通常用接觸角來衡量，通常把水的接觸角大于150°的表面稱為超疏水表面。液體的接觸角主要取決于固體的表面自由能和微觀幾何形貌，由于長烷基鏈羧酸、長烷基鏈硫醇和氟硅烷等具有較低的表面自由能，常用于修飾具有微納米復(fù)合結(jié) 構(gòu)的表面，從而得到不能被水潤濕的超疏水表面。經(jīng)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的文獻(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn)，I-Wen Sun等在《Journal of TheElectrochemical Society》(150, C544-C548, 2003)上發(fā)表的文章“Electrodeposition ofIndium Antimonide from the Water-Stable l-Ethyl-3-methylimidazolium Chloride/Tetrafluoroborate Ionic Liquid”,該文采用含有摩爾百分比40 60%的三氯化招的離子液體氯化(I-乙基-3-甲基咪唑)/1_乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽作為電解液，在鎳片上沉積得到了銻化銦多晶薄膜。其不足之處是反應(yīng)需要在手套箱中進(jìn)行，電沉積需要在80 0C以上進(jìn)行，沉積條件苛刻。檢索中還發(fā)現(xiàn)，中國國家專利技術(shù)專利ZL200810052489. 1，公開日2008年8月20日，記載了“一種多元共蒸發(fā)制備銦鎵銻類多晶薄膜的方法”，該技術(shù)將襯底與銦源和銻源蒸發(fā)源置入真空鍍膜系統(tǒng)的鐘罩內(nèi)抽真空，將襯底均勻加熱至200-600°C之間，銻源加熱至300-500°C之間，銦源加熱至400-1200°C之間，使其各自蒸發(fā)，可制備出銻化銦(InSb)多晶化合物半導(dǎo)體薄膜。其不足之處在于該方法需要真空裝置和高溫處理，制備條件嚴(yán)格，能耗較大。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提供一種，通過在沉積過程中形成微納米復(fù)合結(jié)構(gòu)，將制得的銻化銦薄膜表面化學(xué)修飾后，得到超疏水特性。本專利技術(shù)是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，本專利技術(shù)通過將基底置于含有氯化銦和氯化銻的I-甲基-3-乙基咪唑雙三氟甲基磺酰亞胺鹽溶液中進(jìn)行電化學(xué)沉積得到薄膜，再對(duì)該薄膜進(jìn)行表面化學(xué)修飾得到超疏水性銻化銦薄膜。所述的基底為鉬片或外部鍍有鉬層的玻璃片、ITO導(dǎo)電玻璃或銅片；所述的基底在丙酮中超聲清洗；所述的含有氯化銦和氯化銻的I-甲基-3-乙基咪唑雙三氟甲基磺酰亞胺鹽溶液中氯化銦和氯化銻的濃度分別為10 lOOmM。所述的電化學(xué)沉積是指以銀電極作為參比電極，鉬電極作為輔助電極，在-I. 20V至-I. 40V之間進(jìn)行電化學(xué)沉積3 24小時(shí)后取出，用丙酮和去離子水清洗基底并晾干。所述的表面化學(xué)修飾是指將薄膜浸入濃度為5 50mM的烷基磷酸的乙醇溶液，或者濃度為0. 5 20mM的氟硅烷的正己烷溶液30分鐘至2小時(shí)后取出，經(jīng)過清洗晾干后 得到超疏水性銻化銦薄膜。所述的烷基磷酸為I-辛烷基磷酸、I-癸烷基磷酸或I-十四烷基磷酸；所述的氟硅烷為全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟癸基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟癸基三甲氧基硅烷、全氟十二烷基三氯硅烷、全氟癸基三氯硅烷或全氟辛基二氣娃燒。經(jīng)本專利技術(shù)沉積得到的銻化銦薄膜經(jīng)過表面化學(xué)修飾后具有顯著的疏水性能，水滴的接觸角大于150°，滾動(dòng)角小于20°。本專利技術(shù)的方法簡單易行，能夠適用于各種導(dǎo)電基底表面，包括鉬、導(dǎo)電玻璃、銅的表面。附圖說明圖I為實(shí)施例I中超疏水銻化銦薄膜表面的水滴接觸角照片；圖2為實(shí)施例I中超疏水銻化銦薄膜表面的掃描電子顯微鏡照片；圖3為實(shí)施例I中超疏水銻化銦薄膜表面的X射線衍射圖譜。具體實(shí)施例方式下面對(duì)本專利技術(shù)的實(shí)施例作詳細(xì)說明，本實(shí)施例在以本專利技術(shù)技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過程，但本專利技術(shù)的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。實(shí)施例I①電化學(xué)沉積稱取0. 1383克無水氯化銦和0. 1427克無水氯化鋪,溶解在25毫升離子液體1_甲基-3-乙基咪唑雙三氟甲基磺酰亞胺鹽中，配制成濃度為25mM的溶液。將鍍有鉬層的玻璃片基底放入丙酮中超聲清洗后取出晾干待用。將洗凈的基底浸入上述離子液體溶液中，以銀電極作為參比電極，鉬電極作為輔助電極，在-1.25V電壓下進(jìn)行電化學(xué)沉積，20小時(shí)后取出，用丙酮和去離子水清洗，晾干后得到沉積薄膜。②薄膜表面化學(xué)修飾將沉積得到的薄膜浸入濃度為IOmM的I-癸烷基磷酸的乙醇溶液，保持2小時(shí)后取出，用無水乙醇清洗，晾干后得到超疏水薄膜。水滴的接觸角為155°，滾動(dòng)角為18°。如圖I所示，為實(shí)施例I中得到的超疏水銻化銦薄膜上的水滴接觸角照片，從圖中可見該水滴在薄膜表面的接觸角為155°。如圖2所示，為實(shí)施例I中得到的超疏水銻化銦薄膜表面的掃描電子顯微鏡照片，從圖中可以看出，基底上形成了微納米復(fù)合結(jié)構(gòu)。如圖3所示，為實(shí)施例I中得到的超疏水銻化銦薄膜表面的X射線衍射圖譜，從圖中可以看到在2 0角為23. 8°處出現(xiàn)了銻化銦(JCPDC卡號(hào)06-0208) (111)晶面的衍射峰。實(shí)施例2①電化學(xué)沉積稱取0. 0553克無水氯化銦和0. 0571克無水氯化鋪,溶解在25毫升離子液體1_甲基-3-乙基咪唑雙三氟甲基磺酰亞胺鹽中，配制成濃度為IOmM的溶液。將導(dǎo)電玻璃片基底放入丙酮中超聲清洗后取出晾干待用。將洗凈的基底浸入上述離子液體溶液中，以銀電極作為參比電極，鉬電極作為輔 助電極，在-1.35V電壓下進(jìn)行電化學(xué)沉積，6小時(shí)后取出，用丙酮和去離子水清洗，晾干后得到沉積薄膜。②薄膜表面化學(xué)修飾將沉積得到的薄膜浸入濃度為IOmM的I-十四烷基磷酸的乙醇溶液，保持2小時(shí)后取出，用無水乙醇清洗，晾干后得到超疏水薄膜。水滴的接觸角為154°，滾動(dòng)角為15°。實(shí)施例3①電化學(xué)沉積稱取0. 2766克無水氯化銦和0. 2854克無水氯化鋪,溶解在25毫升離子液體1_甲基-3-乙基咪唑雙三氟甲基磺酰亞胺鹽中，配制成濃度為50mM的溶液。將銅基底放入丙酮中超聲清洗后取出晾干待用。將洗凈的基底浸入上述離子液體溶液中，以銀電極作為參比電極，鉬電極作為輔助電極，在-1.45V電壓下進(jìn)行電化學(xué)沉積，4小時(shí)后取出，用丙酮和去離子水清洗，晾干后得到沉積薄膜。②薄膜表面化學(xué)修飾將沉積得到的薄膜浸入濃度為2mM的全氟辛基三氯硅烷的正己烷溶液中，保持2小時(shí)后取出，用正己烷清洗，晾干后得到超疏水薄膜。水滴的接觸角為153°，滾動(dòng)角為10。。本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種從離子液體中沉積制備超疏水性銻化銦薄膜的方法，其特征在于，通過將基底置于含有氯化銦和氯化銻的I-甲基-3-乙基咪唑雙三氟甲基磺酰亞胺鹽溶液中進(jìn)行電化學(xué)沉積得到薄膜，再將薄膜浸入濃度為5 50mM的烷基磷酸的乙醇溶液得到超疏水性銻化銦薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的從離子液體中沉積制備超疏水性銻化銦薄膜的方法，其特征是，所述的基底為鉬片或外部鍍有鉬層的玻璃片、ITO導(dǎo)電玻璃或銅片。3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的從離子液體中沉積制備超疏水性銻化銦薄膜的方法，其特征是，所述的基底在丙酮中超聲清洗。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的從離子液體中沉積制備...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李梅，路慶華，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海交通大學(xué)，
類型：發(fā)明
國別省市：
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