【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及太陽能電池生產領域，具體的說是一種單晶硅電池生產中去除單晶娃片上磷娃玻璃的方法。
技術介紹
我國對太陽能電池的研究開發工作高度重視，早在七五期間，非晶硅半導體的研究工作已經列入國家重大課題；八五和九五期間，我國把研究開發的重點放在大面積太陽能電池等方面。2003年10月，國家發改委、科技部制定出未來5年太陽能資源開發計劃，發改委光明工程將籌資100億元用于推進太陽能發電技術的應用，計劃到2015年全國太陽能發電系統總裝機容量達到300兆瓦。我國已成為全球光伏產品最大制造國，我國即將出臺的《新能源振興規劃》，我國光伏發電的裝機容量規劃為2020年達到20GW，是原來《可 再生能源中長期規劃》中I. 8GW的10多倍。太陽能電池的應用已從軍事領域、航天領域進入工業、商業、農業、通信、家用電器以及公用設施等部門，尤其可以分散地在邊遠地區、高山、沙漠、海島和農村使用，以節省造價很貴的輸電線路。目前，由于對不同廠家在生產單晶硅片時使用不同的擴散工藝技術，所以導致在不同的擴散工藝中單晶硅片表面形成的一層磷硅玻璃會有不同的差異性，致使PECVD鍍膜后會產生不同幾率的白線等缺陷片的發生，影響產品的質量，增大在PECVD工序的返工量，影響生產的正常進行。
技術實現思路
本專利技術的目的是為了解決上述現有技術的不足，提供一種單晶硅太陽能電池片生產去除磷硅玻璃的一種方法，應用該方法不僅能夠有效的去除因不同擴散工藝產生的磷硅玻璃，而且還能夠保證在PECVD工序進行鍍膜過程中避免產生白線等缺陷，能夠有效控制產品質量。本專利技術的目的是這樣實現的，首先在容積為150—16...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1. 一種單晶硅電池生產中去除單晶硅片上磷硅玻璃的方法，其特征在于該方法包括以下步驟首先在容積為150—160升工藝槽中加入去離子水130—140升，溫度控制在18 — 23°C之間，一次加入濃度48% 49%的電子級HF酸16升，用PP材質長棒均勻攪拌，得到清洗液備用...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉萬學，劉志堅，程明輝，吳帥，楊帥，韓麗，
申請(專利權)人：吉林慶達新能源電力股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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