用于接收衛星電視信號的高頻頭制造技術

本發明專利技術提供的用于接收衛星電視信號的高頻頭，包括高頻轉接頭及其轉接頭座、導波筒、集波器和電路盒，導波筒和集波器為圓筒形，導波筒的內壁上設有若干介質片插槽，轉接頭座、導波筒、集波器和電路盒一體連接。電路盒內安裝的電路板包括控制芯片單元、高頻放大單元、BPF帶通濾波電路單元、介質DR本振單元、N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元和中頻輸出放大電路單元，衛星RF信號經電路板輸出至高頻轉接頭。本發明專利技術的優點是：由于采用了圓筒形的導波筒和集波器，減小了體積，減輕了重量。電路板的混頻部分采用N溝道無源場效應管FET阻性混頻單元，在保證性能穩定的前提下進一步降低了使用功耗，提高了增益，降低了噪聲，也降低耗材使用。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及高頻信號低噪聲放大降頻器，特別涉及一種用于接收衛星電視信號的聞頻頭。
技術介紹
目前，常規的高頻頭通常包括轉接頭座以及設于頭部下方的波導筒，導波筒下方通常又連接喇叭型接口，俗稱集波器。通常集波器體積較大。高頻頭的作用是接收衛星電視信號，并進行頻道選擇、信號放大及降頻處理，最終輸出穩定的信號。其中混頻器一般都采用非線性元件來實現，但是只要是采用非線性器件去完成混頻操作的，就不可避免的會產生相對較高的交調失真，雜波響應和其他的非線性失真。在傳統的二極管混頻器中，失真的缺陷明顯，另外，二極管混頻器的噪聲包括散粒噪聲和熱噪聲，其噪聲也是較高的。為響應國家環保節能要求，必須對集波器進行優化，獲取體積小、增益強、噪聲低的高頻頭，降低耗材使用，成為一個新的重要課題。
技術實現思路
本專利技術的目的就是要克服現有技術的上述缺陷，提供一種體積小、重量輕、增益強、噪聲低的用于接收衛星電視信號的高頻頭。為達上述目的，本專利技術提供的用于接收衛星電視信號的高頻頭包括高頻轉接頭及其轉接頭座、導波筒、集波器和電路盒，所述導波筒的上端與所述轉接頭座相連接，所述導波筒的下端與所述集波器相連接，所述導波筒和集波器為圓筒形，所述電路盒與所述轉接頭座和所述導波筒的外側壁相連接，所述轉接頭座、導波筒、集波器和所述電路盒一體連接；所述電路盒內安裝有電路板，所述電路板包括控制芯片單元、高頻放大單元、BPF帶通濾波電路單元、介質DR本振單元、N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元和中頻輸出放大電路單元，所述高頻放大單元、BPF帶通濾波電路單元、N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元和中頻輸出放大電路單元依次相連，所述控制芯片單元與所述高頻放大單元和所述中頻輸出放大電路單元分別相連，所述控制芯片單元經所述介質DR本振單元與所述N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元相連，所述高頻放大單元接收RF信號，所述中頻輸出放大電路單元與所述高頻轉接頭相連；接收的衛星RF信號經所述高頻放大電路放大后，接入所述BPF帶通濾波電路單元濾除干擾信號，再送入所述N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元和介質DR本振單元進行信號混頻，所述N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元輸出中頻信號并經所述中頻輸出放大電路單元輸出至所述高頻轉接頭。本專利技術用于接收衛星電視信號的高頻頭，其中所述導波筒的內壁上設有4個與所述導波筒中心軸線平行的介質片插槽，所述介質片插槽均布在與所述導波筒的內壁上。本專利技術用于接收衛星電視信號的高頻頭，其中所述高頻放大單元分別通過第一電阻至第三電阻接至所述控制芯片單元，所述BPF帶通濾波電路單元通過銅箔連接在所述高頻放大單元與所述N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元之間，所述N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元通過銅箔接至所述BPF帶通濾波電路單元，并通過第一電容接至所述介質DR本振單元，同時通過第二電容接至所述中頻輸出放大電路單元，所述N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元通過銅箔接至所述中頻輸出放大電路單元。本專利技術用于接收衛星電視信號的高頻頭，其中所述N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元包括第四電阻和N溝道場效應管FET管，所述第四電阻一端接地，另外一端連接到所述BPF帶通濾波電路單元與所述N溝道場效應管FET管的柵極連接處，所述N溝道場效應管FET管的柵極連接到所述第四電阻與所述BPF帶通濾波電路單元連接處，所述N溝道場效應管FET管的源極接地，所述N溝道場效應管FET管的漏極與所述介質DR本振單元連接，并通過一組印刷電感與所述中頻輸出放大電路單元連接。 本專利技術用于接收衛星電視信號的高頻頭的優點是由于采用了圓筒形的導波筒和集波器，把集波器由喇叭錐形形狀優化為直伸形狀，減小體積達I / 3，減輕了重量。電路板的混頻部分采用N溝道無源場效應管FET阻性混頻單元，在保證性能穩定的前提下進一步降低了使用功耗，提高了增益，降低了噪聲，也降低耗材使用。附圖說明圖I是本專利技術高頻頭的結構示意圖；圖2是本專利技術高頻頭的局部剖視結構示意圖；圖3是本專利技術高頻頭中電路板的工作原理框圖；圖4是本專利技術高頻頭中電路板的電路圖。附圖中1.高頻轉接頭，2.轉接頭座，3.電路盒，4.導波筒，5.介質片插槽，6.集波器，7.電路板。具體實施例方式下面結合附圖詳細說明本專利技術一種用于接收衛星電視信號的高頻頭的實施例。參照圖I和圖2，本專利技術提供的用于接收衛星電視信號的高頻頭包括高頻轉接頭I及其轉接頭座2、導波筒4、集波器6和電路盒3。導波筒4的上端與轉接頭座2相連接，導波筒4的下端與集波器6相連接。導波筒4和集波器6為圓筒形，其內壁上設有4個介質片插槽5，介質片插槽5均布在導波筒4的內壁上并與導波筒中心軸線平行。電路盒3與轉接頭座2和導波筒4的外側壁相連接，其位置對本專利技術提供的用于接收衛星電視信號的高頻頭的效果是必須的。轉接頭座2、導波筒4、集波器6和電路盒3—體連接。這一結構可使本專利技術提供的用于接收衛星電視信號的聞頻頭的體積減少1/3。在電路盒3內安裝有電路板7。本專利技術用于接收衛星電視信號的高頻頭技術考慮到如果采用一個沒有非線性的時變元件，就能實現沒有失真的混頻器。場效應管可以實現這一點。這種混頻器具有失真小，Ι/f噪聲低，沒有散粒噪聲的優點，其變頻損耗同二極管混頻器相當。當漏源電壓較低或為O時，場效應管FET溝道可很好的近似為一個線性電阻。這個線性溝道的電阻由柵極上的RF電壓來調制。因為柵壓的變化可以改變柵下耗盡區的深度，從而改變溝道電阻的值。當柵壓低于開啟電壓Vt時，溝道阻值很大相當于開路；而當柵壓超過最大值時，溝道電阻將會降到幾個歐姆。這個變化范圍對于一個阻性混頻器已經足夠了。另外，場效應管FET溝道是純電阻，它的噪聲幾乎完全是熱噪聲。場效應管FET電阻混頻器的等效噪聲溫度等于混頻器的物理溫度，比二極管混頻器的低一點。因為二極管混頻器的噪聲包括散粒噪聲和熱噪聲。參照圖3，電路板7包括控制芯片單元12、高頻放大單元8、BPF帶通濾波電路單元9、介質DR本振單元10、N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元11和中頻輸出放大電路單元13。高頻放大單元8、BPF帶通濾波電路單元9、N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元11和中頻輸出放大電路單元13依次相連。控制芯片單元12與高頻放大單元8和中頻輸出放大電路單元13分別相連。控制芯片單元12經介質DR本振單元10與N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元11相連。高頻放大單元8接收RF信號，中頻輸出放大電路單元13與高頻轉接頭I相連。結合參照圖4，高頻放大單元8分別通過第一電阻Rl至第三電阻R3接至控制芯片單元12。BPF帶通濾波電路單元9通過銅箔連接在高頻放大單元8和N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元11之間。N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元11通過銅箔接至BPF帶通濾波電路單元9，并通過第一電容C15接至介質DR本振單元10，同時通過第二電容C19接至中頻輸出放大電路單元13。N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元11通過銅箔接至中頻輸出放大電路單元13。其中，N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元11包括第四電阻R4和N溝道場效應管FET管Q4，第四電阻R4 —端接地，另外一端連接到BPF帶通濾波電路單元9與N溝道場效本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種用于接收衛星電視信號的高頻頭，包括高頻轉接頭(I)及其轉接頭座(2 )、導波筒(4)、集波器(6)和電路盒(3)，所述導波筒(4)的上端與所述轉接頭座(2)相連接，所述導波筒(4)的下端與所述集波器(6)相連接，其特征在于所述導波筒(4)和集波器(6)為圓筒形，所述電路盒(3 )與所述轉接頭座(2 )和所述導波筒(4 )的外側壁相連接，所述轉接頭座(2)、導波筒(4)、集波器(6)和所述電路盒(3) —體連接； 所述電路盒(3)內安裝有電路板，所述電路板(7)包括控制芯片單元(12)、高頻放大單元(8)、BPF帶通濾波電路單元(9)、介質DR本振單元(10)、N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元(11)和中頻輸出放大電路單元(13 ),所述高頻放大單元(8 )、BPF帶通濾波電路單元(9)、N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元(11)和中頻輸出放大電路單元(13)依次相連，所述控制芯片單元(12)與所述高頻放大單元(8)和所述中頻輸出放大電路單元(13)分別相連，所述控制芯片單元(12)經所述介質DR本振單元(10)與所述N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元(11)相連，所述高頻放大單元(8)接收RF信號，所述中頻輸出放大電路單元(13)與所述高頻轉接頭(I)相連； 接收的衛星RF信號經所述高頻放大電路(8)放大后，接入所述BPF帶通濾波電路單元(9)濾除干擾信號，再送入所述N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元(11)和介質DR本振單元(10)進行信號混頻，所述N溝道無源場效應管FET阻性混頻器單元(11)輸出中頻信號并經所述中頻輸出放大電路單元(13)輸出至所述高...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張金國，
申請(專利權)人：張金國，
類型：發明
國別省市：