一種半導(dǎo)體裝置(130)，具備：被接合基板(100)；薄膜元件(80)，其形成于被接合基板(100)上；以及半導(dǎo)體元件(90)，其接合到被接合基板(100)上，是在半導(dǎo)體元件主體(50)的被接合基板(100)側(cè)層疊多個(gè)基底層(51～54)而形成的，多個(gè)基底層(51～54)分別具有絕緣層和層疊于該絕緣層的電路圖案，半導(dǎo)體元件(90)的薄膜元件(80)側(cè)的端部以各基底層(51～54)的薄膜元件(80)側(cè)的端部隨著朝向被接合基板(100)側(cè)而逐漸地突出的方式設(shè)成階梯狀，并且由樹脂層(120)包覆，薄膜元件(80)和半導(dǎo)體元件主體(50)通過設(shè)于樹脂層(120)上的連接配線(121a)而相互連接。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及，特別是涉及在形成有薄膜元件的基板上接合有半導(dǎo)體元件的。
技術(shù)介紹
有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置具備例如按作為圖像的最小單位的每個(gè)像素設(shè)置為開關(guān)元件的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，下面也稱為“TFT”)等薄膜元件；以及用于驅(qū)動(dòng)各像素的TFT的驅(qū)動(dòng)電路等的半導(dǎo)體元件。近年，在液晶顯示裝置中，例如使用連續(xù)晶界結(jié)晶娃(Continuous GrainSilicon)將驅(qū)動(dòng)電路等周邊電路形成為單片的系統(tǒng)液晶被關(guān)注。在該系統(tǒng)液晶中，為了實(shí)現(xiàn)低功耗化、高精細(xì)化等，周邊電路被要求亞微米級(jí)別的設(shè)計(jì)規(guī)則、即IC(Integrated Circuit :集成電路)級(jí)別的微細(xì)的圖案精度，但因?yàn)闆]有與使用的玻璃基板對(duì)應(yīng)的分級(jí)器等的制造技術(shù)，所以難以將亞微米級(jí)別的高性能的半導(dǎo)體元件直接形成于玻璃基板上。因此，提出了如下方法在使用硅基板形成高性能的半導(dǎo)體元件后，通過轉(zhuǎn)印將該形成的半導(dǎo)體元件的芯片接合到玻璃基板上，將高性能的半導(dǎo)體元件形成于玻璃基板上。例如，在專利文獻(xiàn)I中公開了如下半導(dǎo)體裝置的制造方法將具有層疊著硅層和金屬層的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件轉(zhuǎn)印到基板上，通過加熱，由構(gòu)成硅層中的金屬層側(cè)的部分的娃和構(gòu)成金屬層中的娃層側(cè)的部分的金屬形成金屬娃化物。_5] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)_6] 專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :國際公開第2008/084628號(hào)小冊(cè)子
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
專利技術(shù)要解決的問題但是，在IC芯片等半導(dǎo)體元件被轉(zhuǎn)印到形成有TFT等薄膜元件的玻璃基板的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中，為了抑制與半導(dǎo)體元件形成為一體的電路圖案的占有面積并降低電路圖案的電阻，在半導(dǎo)體元件中大多取如下多層配線結(jié)構(gòu)其以隔著絕緣膜使多個(gè)電路圖案相互重疊的方式形成，通過絕緣膜的接觸孔使各層的電路圖案相互連接。在此，半導(dǎo)體元件是將硅基板切割而形成的，所以半導(dǎo)體元件的各側(cè)壁相對(duì)于作為被接合基板的玻璃基板的表面直立。因此，在形成于玻璃基板的薄膜元件與接合到該玻璃基板的具有多層配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件之間產(chǎn)生大的臺(tái)階。并且，在由樹脂層覆蓋玻璃基板上的薄膜元件和半導(dǎo)體元件、在該樹脂層上形成連接配線、通過該連接配線連接薄膜元件和半導(dǎo)體元件的情況下，由于在薄膜元件和具有多層配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件之間形成的大的臺(tái)階，有可能連接配線會(huì)斷線。本專利技術(shù)是鑒于這樣的方面完成的，其目的在于可靠地連接設(shè)于被接合基板上的薄膜元件和具有多層配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件。用于解決問題的方案為了達(dá)成上述目的，本專利技術(shù)是半導(dǎo)體元件的薄膜元件側(cè)的端部設(shè)成階梯狀并且由樹脂層覆蓋，薄膜元件和半導(dǎo)體元件主體通過設(shè)于樹脂層上的連接配線相互連接。具體地，本專利技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具備被接合基板；薄膜元件，其形成于上述被接合基板上；以及半導(dǎo)體元件，其接合到上述被接合基板上，是在半導(dǎo)體元件主體的上述被接合基板側(cè)層疊多個(gè)基底層而形成的，上述多個(gè)基底層分別具有絕緣層和層疊于該絕緣層的電路圖案，該各電路圖案通過形成于該各絕緣層的接觸孔而相互連接，上述半導(dǎo)體元件的上述薄膜元件側(cè)的端部以上述各基底層的上述薄膜元件側(cè)的端部隨著朝向上述被接合基板側(cè)而逐漸地突出的方式設(shè)成階梯狀，并且由樹脂層包覆，上述薄膜元件和上 述半導(dǎo)體元件主體通過設(shè)于上述樹脂層上的連接配線而相互連接。根據(jù)上述的構(gòu)成，以在半導(dǎo)體元件主體的被接合基板側(cè)層疊的各基底層的薄膜元件側(cè)的端部隨著朝向被接合基板側(cè)而逐漸地突出的方式，將接合到被接合基板上的半導(dǎo)體元件的薄膜元件側(cè)的端部設(shè)成階梯狀，所以在薄膜元件與具有多層配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件之間具有大的臺(tái)階，但與例如半導(dǎo)體元件的各側(cè)壁相對(duì)于被接合基板直立的情況相比，半導(dǎo)體元件的薄膜元件側(cè)的側(cè)壁的整體的傾斜變緩。并且，該半導(dǎo)體元件的薄膜元件側(cè)的整體的傾斜變緩的側(cè)壁、即半導(dǎo)體元件的薄膜元件側(cè)的端部由樹脂層包覆，所以與例如半導(dǎo)體元件的各側(cè)壁相對(duì)于被接合基板直立的情況相比，樹脂層的表面變得平坦。由此，即使在薄膜元件與具有多層配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件之間具有大的臺(tái)階，設(shè)于樹脂層上的連接配線也難以斷線，所以薄膜元件和半導(dǎo)體元件主體通過連接配線可靠地連接，設(shè)于被接合基板上的薄膜元件和具有多層配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件可靠地連接。上述被接合基板可以是玻璃基板。根據(jù)上述的構(gòu)成，因?yàn)楸唤雍匣迨遣ＡЩ澹岳缭跇?gòu)成液晶顯示裝置的玻璃制的有源矩陣基板中，具體地構(gòu)成半導(dǎo)體裝置。上述薄膜元件可以是薄膜晶體管，上述半導(dǎo)體元件主體可以是MOS晶體管。根據(jù)上述的構(gòu)成，因?yàn)楸∧ぴ潜∧ぞw管，半導(dǎo)體元件主體是M0S(MetalOxide Semiconductor :金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管，所以在例如構(gòu)成液晶顯示裝置的玻璃制的有源矩陣基板中，利用薄膜元件具體地構(gòu)成各像素的開關(guān)元件、柵極驅(qū)動(dòng)器等，利用半導(dǎo)體元件主體具體地構(gòu)成源極驅(qū)動(dòng)器、控制器的IC等。另外，本專利技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，具備半導(dǎo)體芯片形成工序，在形成半導(dǎo)體元件主體后，當(dāng)形成分別具有絕緣層和層疊于該絕緣層的電路圖案、該各電路圖案通過形成于該各絕緣層的接觸孔而相互連接的多個(gè)基底層時(shí)，在該各基底層的外端部在與上述各電路圖案同一層利用與上述各電路圖案同一材料將金屬層形成為規(guī)定大小，由此形成半導(dǎo)體芯片；薄膜元件形成工序，在被接合基板上形成薄膜元件；接合工序，在形成有上述薄膜元件的被接合基板上以上述半導(dǎo)體元件主體側(cè)為上方的方式接合上述半導(dǎo)體芯片；以及蝕刻工序，對(duì)接合到上述被接合基板上的半導(dǎo)體芯片中的上述各基底層的外端部的金屬層進(jìn)行蝕刻，由此以上述各基底層的上述薄膜元件側(cè)的端部隨著朝向上述被接合基板側(cè)而逐漸地突出的方式，將上述半導(dǎo)體芯片的上述薄膜元件側(cè)的端部加工成階梯狀而形成半導(dǎo)體元件；連接工序，在由樹脂層包覆上述半導(dǎo)體元件的上述薄膜元件側(cè)的端部后，在該樹脂層上形成連接配線，將上述薄膜元件和上述半導(dǎo)體元件主體相互連接。根據(jù)上述的方法，在蝕刻工序中，對(duì)接合到被接合基板上的半導(dǎo)體芯片中的各基底層的外端部的金屬層進(jìn)行蝕刻，以在半導(dǎo)體元件主體的被接合基板側(cè)層疊的各基底層的薄膜元件側(cè)的端部隨著朝向被接合基板側(cè)而逐漸地突出的方式，將接合到被接合基板上的半導(dǎo)體芯片的薄膜元件側(cè)的端部加工成階梯狀而形成半導(dǎo)體元件，所以雖然在薄膜元件與具有多層配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件之間具有大的臺(tái)階，但與例如半導(dǎo)體元件的各側(cè)壁相對(duì)于被接合基板直立的情況相比，半導(dǎo)體元件的薄膜元件側(cè)的側(cè)壁的整體的傾斜變緩。并且，在連接工序中，由樹脂層包覆該半導(dǎo)體元件的薄膜元件側(cè)的整體的傾斜變緩的側(cè)壁、即半導(dǎo)體元件的薄膜元件側(cè)的端部，所以與例如半導(dǎo)體元件的各側(cè)壁相對(duì)于被接合基板直立的情況相比，樹脂層的表面變得平坦。由此，即使在薄膜元件與具有多層配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件之間具有大的臺(tái)階，在連接工序中形成于樹脂層上的連接配線也難以斷線，所以薄膜元件和半導(dǎo)體元件主體通過連接配線可靠地連接，設(shè)于被接合基板上的薄膜元件和具有多層配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件可靠地連接。專利技術(shù)效果 根據(jù)本專利技術(shù)，半導(dǎo)體元件的薄膜元件側(cè)的端部設(shè)成階梯狀，并且由樹脂層包覆，薄膜元件和半導(dǎo)體元件主體通過設(shè)于樹脂層上的連接配線相互連接，所以能可靠地連接設(shè)于被接合基板上的薄膜元件和具有多層配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件。附圖說明圖I是本專利技術(shù)的一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的截面圖。圖2是以截面示出本專利技術(shù)的一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2010.01.22 JP 2010-0121221.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在干， 具備 被接合基板； 薄膜元件，其形成于上述被接合基板上；以及 半導(dǎo)體元件，其接合到上述被接合基板上，是在半導(dǎo)體元件主體的上述被接合基板側(cè)層疊多個(gè)基底層而形成的，上述多個(gè)基底層分別具有絕緣層和層疊于該絕緣層的電路圖案，該各電路圖案通過形成于該各絕緣層的接觸孔而相互連接， 上述半導(dǎo)體元件的上述薄膜元件側(cè)的端部以上述各基底層的上述薄膜元件側(cè)的端部隨著朝向上述被接合基板側(cè)而逐漸地突出的方式設(shè)成階梯狀，并且由樹脂層包覆， 上述薄膜元件和上述半導(dǎo)體元件主體通過設(shè)于上述樹脂層上的連接配線而相互連接。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在干， 上述被接合基板是玻璃基板。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在干， 上述薄膜元件是薄膜晶體管， 上述半導(dǎo)體元件主體是MOS晶體管。4.一種半導(dǎo)體裝置的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：富安一秀，高藤裕，福島康守，多田憲史，松本晉，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：夏普株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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