一種用于等離子體處理反應腔的射頻屏蔽裝置，所述等離子體處理反應腔包括反應腔殼體，所述反應腔殼體上設置有空洞，其中，所述射頻屏蔽裝置設置在所述反應腔殼體上并至少部分覆蓋所述空洞，所述射頻屏蔽裝置由導電彈性體材料制成。本發明專利技術還提供了一種包括上述射頻屏蔽裝置的等離子體處理系統以及一種用于等離子體處理反應腔的射頻屏蔽方法。采用本發明專利技術的射頻屏蔽機制，能夠更好的進行射頻屏蔽，并且安裝/拆卸方便，節省反應腔空間。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種半導體制造領域內的用于制程模組的射頻屏蔽器件。
技術介紹
在半導體制程中，各種制程很大程度上依賴工藝片的溫度。因此，對工藝片的溫度控制是半導體制程中非常重要的一環，而由于工藝片具有一定尺寸，能夠對工藝片的溫度進行均勻控制更是至關重要的。工藝片的溫度是由等離子處理、熱輻射、熱傳導以及工藝片表面發生的化學過程來確定的?，F有技術通常在工藝片支撐臺中設置冷卻通路，利用冷卻通路中的冷卻劑和工藝片支撐臺上的工藝片進行熱交換，以控制工藝片的溫度。其中，為了使得所述冷卻通路中的 冷卻劑是可以流動的，現有技術的半導體處理反應腔還會設置一個冷卻裝置用于提供和回收冷卻劑，因此，在所述冷卻裝置和冷卻通路之間還會設置至少兩個通道，其一用于往冷卻通路中傳輸冷卻劑，另一用于將冷卻劑延伸出冷卻通路，所述兩個通道均連接于所述冷卻>J-U裝直。傳統的等離子體處理反應腔通常只設置兩個通道和少量冷卻通路(通常為一個環形的冷卻通路)。圖I示出了現有技術的用于等離子體處理反應腔的射頻屏蔽裝置的主視圖，如圖I所示，等離子體處理反應腔100特別地為一個等離子體刻蝕反應腔，其用于對工藝片(典型地為一硅片)進行刻蝕制程處理，所述硅片設置于工藝片支撐臺102上。所述工藝片支撐臺中設置有兩個冷卻通路，分別為第一冷卻通路104a和第二冷卻通路104b，其分別連接于位于反應腔殼體下方的冷卻裝置(未示出)。所述冷卻裝置是供應和處理冷卻劑的場所。具體地，所述第一冷卻通道104a用于將冷卻裝置中冷卻劑傳輸至工藝片支撐臺102中以對其上方放置的硅片溫度進行調節，相應地，所述第二冷卻通道104b則用于將從所述工藝片支撐臺102中的冷卻劑延伸出所述工藝片支撐臺并傳輸至冷卻裝置，如此來完成冷卻劑的循環使用。如圖I所示，第一冷卻通道104a和第二冷卻通道104b需要延伸出反應腔殼體才能連接于設置于等離子體處理反應腔100之下的冷卻裝置，因此必然會在反應腔殼體上存在接口。例如，所述等離子體處理反應腔100還包括一接地板103，其上設置有第一接口IOla和101b，用于使得所述第一冷卻通道104a和第二冷卻通道104b延伸出所述等離子體處理反應腔100。本領域技術人員應當理解，由于等離子體處理反應腔中需要通過射頻源來激發其中存在的等離子體來對硅片表面進行刻蝕，因此，其中必然存在射頻電磁場。結合附圖I和附圖2，由于第一冷卻通道104a和第二冷卻通道104b需要從等離子體處理反應腔反應腔殼體內部延伸出反應腔殼體以與所述冷卻裝置聯通，其必然在接地板103上存在至少存在一個空洞101，以保證所述第一冷卻通道104a和第二冷卻通道104b能夠順利延伸出所述反應腔殼體。然而，上述空洞101的存在會導致反應腔殼體中射頻電磁場的泄漏問題，為了屏蔽射頻泄漏，現有技術通常的做法為在由金屬(例如A1鋁)制成的屏蔽裝置裝置105覆蓋反應腔殼體接地板103以及第一冷卻管104a和第二冷卻管104b之間的空隙，并利用螺絲釘將該屏蔽裝置105安裝到反應腔殼體接地板103上，并包覆住部分延伸出反應腔殼體的第一冷卻管104a和第二冷卻管104b。圖2是現有技術的用于等離子體處理反應腔的射頻屏蔽裝置的仰視圖。如圖2所示，由于現有技術的射頻屏蔽裝置105是由金屬鋁制程的，而金屬的難延展性和相對易碎的特性使得現有技術提供的射頻屏蔽裝置難以一體成型，因為若采用如圖I所示的外觀制造一體的射頻屏蔽裝置105，其將具有一定硬度，而第一冷卻通道104a和第二冷卻通道104b也具有一定硬度，由此，會導致難以所述第一冷卻通道104a和第二冷卻通道104b穿過上述一體成型的射頻屏蔽裝置105，甚至造成因相互擠壓/接觸造成的器件損壞問題。 由此，現有技術往往將射頻屏蔽裝置105分成至少兩塊，如圖2所示，包括第一射頻屏蔽裝置105a和第二射頻屏蔽裝置105b，兩者大約沿著第一冷卻通道104a和第二冷卻通道104b的中切線105’并通過螺絲擠壓以結合在一起。因此，現有技術的射頻屏蔽裝置與冷卻通道結合的緊密程度不夠，可能發生射頻屏蔽不夠充分的情況。并且，隨著溫度控制均勻性和準確性提出了越來越高的要求，需要在工藝片下設置兩個環形的冷卻通路，即工藝片雙區域溫度控制或雙冷卻通路(dualchannel)，即需要屏蔽四個冷卻通道延伸出反應腔殼體而帶來的射頻泄漏問題，若利用現有技術的射頻屏蔽機制，其結構更加復雜，比如需要兩塊以上的子塊通過螺絲結合而成，射頻屏蔽裝置與冷卻通道結合的緊密程度更加不充分，甚至難以實現屏蔽效果。并且，由于現有技術的射頻屏蔽裝置是采用金屬材料制成的，其往往采用螺絲將射頻屏蔽裝置固定于接地板上，因此，技術人員需要彎身在反應腔殼體下面進行安裝/拆卸的工作。再者，結合附圖1，為了保證現有技術的金屬射頻屏蔽裝置的可靠性，其往往具有一定高度和體積，占用了較多空間位置。
技術實現思路
針對現有技術的上述問題，本專利技術提供的一種用于等離子體處理反應腔的射頻屏蔽器件，其能夠更好的進行射頻屏蔽，并且安裝/拆卸方便，節省反應腔空間。本專利技術第一方面提供了一種用于等離子體處理反應腔的射頻屏蔽裝置，所述等離子體處理反應腔包括反應腔殼體，所述反應腔殼體上設置有空洞，其特征在于，所述射頻屏蔽裝置設置在所述反應腔殼體上并至少部分覆蓋所述空洞，所述射頻屏蔽裝置由導電彈性體材料制成。其中，所述反應腔殼體包括反應腔頂部、反應腔側壁、反應腔底部。進一步地，所述等離子體處理反應腔還包括反應腔內部部件，其通過所述空洞從所述反應腔殼體內部延伸至外部，所述射頻屏蔽裝置至少部分覆蓋所述反應腔內部部件延伸出所述空洞的剩余空隙部分，并與所述反應腔內部部件的外圍接合處緊密結合。優選地，所述反應腔內部部件為冷卻通道，所述反應腔殼體包括位于所述反應腔下部的一接地板，所述空洞設置于所述接地板上，所述冷卻通道通過所述空洞延伸出至所述反應腔殼體外部。優選地，所述射頻屏蔽裝置采用下列任一項的方式設置于所述反應腔殼體上按鈕、掛鉤、粘合、卡套。進一步地，所述導電彈性體材料為硅橡膠，所述硅橡膠中嵌入Ag或者Al顆粒。可選地，所述等離子體處理反應腔包括至少兩個冷卻通道，分別為用于將設置于反應腔殼體外部的冷卻裝置中冷卻劑傳輸至工藝片支撐臺中以對所述工藝片支撐臺上方放置的工藝片溫度進行調節的第一冷卻通道和用于將所述工藝片支撐臺的冷卻劑延伸出所述工藝片支撐臺并傳輸至所述冷卻裝置的第二冷卻通道。可選地，所述等離子體處理反應腔包括四個冷卻通道，分別為用于將設置于反應腔殼體外部的冷卻裝置中冷卻劑傳輸至工藝片支撐臺中以對所述工藝片支撐臺上方放置的工藝片溫度進行調節的第一冷卻通道、第三冷卻通道，和用于將所述工藝片支撐臺的冷卻劑延伸出所述工藝片支撐臺并傳輸至所述冷卻裝置的第二冷卻通道、第四冷卻通道，其中，所述第一冷卻通道和第二冷卻通道用于對所述工藝片的中央區域進行溫度控制，所述第三冷卻通道和第四冷卻通道用于對工藝片的邊緣區域進行溫度控制。 可選地，所述反應腔內部部件包括傳感器光線管或氣缸氣管。本專利技術第二方面還提供了一種等離子體處理反應腔，其特征在于，所述等離子體處理反應腔包括本專利技術第一方面提供的射頻屏蔽裝置。附圖說明圖I是現有技術的用于等離子體處理反應腔的射頻屏蔽裝置的主視 圖2是現有技術本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種用于等離子體處理反應腔的射頻屏蔽裝置，所述等離子體處理反應腔包括反應腔殼體，所述反應腔殼體上設置有空洞，其特征在于，所述射頻屏蔽裝置設置在所述反應腔殼體上并至少部分覆蓋所述空洞，所述射頻屏蔽裝置由導電彈性體材料制成。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：吳狄，彭帆，宋曉宏，周旭升，
申請(專利權)人：中微半導體設備上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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