一種跨導放大器、電阻、電感以及濾波器制造技術

本申請公開了一種跨導放大器、電阻、電感以及濾波器，本申請跨導放大器采用兩組子跨導放大器構成，其中一組子跨導放大器由第一PMOS管M1至第四PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九NMOS管至第十二NMOS管、第十五NMOS管至第十八NMOS管組成，第二組子跨導放大器由第七NMOS管、第八NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十九NMOS管、第二十NMOS管組成，兩組放大器的輸出端交叉連接，從而可以利用電流相減的方式消除第一子跨導放大器的三次項諧波，從而實現本申請所述跨導放大器的低功耗高線性度。進而由所述跨導放大器模擬得到的電阻、電感、以及由所述電阻和/或電感構成的電路也可以實現低功耗高線性度。

【技術實現步驟摘要】

本申請涉及電路領域，尤其涉及一種跨導放大器、電阻、電感以及濾波器。
技術介紹
隨著通信技木，尤其是移動通信技術和計算技術的飛速發展，作為現代接收機尤其是零中頻接受機中的ー個關鍵模塊，跨導-電容(Gm-C)有源濾波器能在混頻器之后進行信號的濾波處理，為后級的可變增益放大器提供雜散頻譜較少的信號，既能有效地在可變增益放大器(VGA, Variable Gain Amplifier)、模擬/數字轉換器(ADC,Analog-to-DigitalConverter)之前初步處理信號，又能防止后級的可變增益放大器由于帶外信號過大而飽和。在移動數字視頻廣播系統中，位于接收機中頻部分的Gm-C濾波器，需要處理較大的輸入信號，要求濾波器在功耗很低的情況下保證較高的線性度。
技術實現思路
有鑒于此，本申請要解決的技術問題是，提供一種跨導放大器、電阻、電感以及濾波器，能夠使得濾波器在功耗很低的情況下保證較高的線性度。為此，本申請實施例采用如下技術方案一種跨導放大器，包括第一 PMOS管的柵極以及第ニ PMOS管的柵極連接跨導放大器的正相偏置電壓端；第三PMOS管的柵極和第四PMOS管的柵極連接，且連接跨導放大器的共模反饋電壓端；第一 PMOS管的源極、第二 PMOS管的源極、第三PMOS管的源極、第四PMOS管的源極、第九NMOS管的漏極以及第十NMOS管的漏極連接跨導放大器的電源電壓端；第一 PMOS管的漏極分別連接第九NMOS管的柵極和第i^一匪OS管的漏極；第三PMOS管的漏極和第五NMOS管的漏極連接跨導放大器的負相輸出端；第四PMOS管的漏極和第六NMOS管的漏極連接跨導放大器的正相輸出端；第二 PMOS管的漏極分別連接第十NMOS管的柵極以及第十二 NMOS管的漏極；第五NMOS管的源極、第十NMOS管的源極、第十六NMOS管的柵極、第十八NMOS管的漏極和柵極連接；第六NMOS管的源極、第九NMOS管的源極、第十五NMOS管的柵極、第十七NMOS管的柵極和漏極連接；第^ NMOS管的源極連接第十五NMOS管的漏極；第十二 NMOS管的源極連接第十六NMOS管的漏極；第十五NMOS管的源極、第十六NMOS管的源極、第十七NMOS管的源極以及第十八NMOS管的源極連接；第十一 NMOS管的柵極以及第五NMOS管的柵極均連接跨導放大器的正相輸入端；第六NMOS管的柵極以及第十二 NMOS管的柵極均連接跨導放大器的負相輸入端。還包括第七NMOS管的漏極以及第八NMOS管的漏極與第一PMOS管的源極連接；第七NMOS管的柵極連接跨導放大器的正相輸入端；第八NMOS管的柵極連接跨導放大器的負相輸入端；第七NMOS管的源極分別連接第十三NMOS管的柵極以及第十九匪OS管的漏扱；第八NMOS管的源極分別連接第十四NMOS管的柵極以及第二十NMOS管的漏極；第十九NMOS管的柵極以及第二十NMOS管的柵極均連接跨導放大器的負相偏置電壓端；第十三NMOS管的漏極連接第五NMOS管的漏極；第十四NMOS管的漏極連接第六NMOS管的漏極；第十三NMOS管的源極、第十四NMOS管的源極、第十九NMOS管的源極以及第二十NMOS管的源極均連接第十五NMOS管的源極。還包括 第二十一 PMOS管的源極以及第二十ニ PMOS管的源極連接跨導放大器的電源電壓輸入端；第二^ PMOS管的柵極與第二十二 PMOS管的柵極連接；第二十一 PMOS管的漏極連接跨導放大器的共模反饋電壓端，且，通過第一電阻以及第一電容連接第二十一 PMOS管的柵極，且，分別連接第二十三NMOS管的漏極以及第二十四NMOS管的漏極；第二十二 PMOS管的漏極連接第二十二 PMOS管的柵極、第二十五NMOS管的漏極以及第二十六NMOS管的漏極；第二十三NMOS管的柵極連接跨導放大器的正相輸出端，第二十四NMOS管的柵極和第二十五NMOS管的柵極連接參考電壓端；第二十六NMOS管的柵極連接跨導放大器的負相輸出端；第二十三NMOS管的源極、第二十四NMOS管的源極、第二十七NMOS管的漏極連接；第二十五NMOS管的源極、第二十六NMOS管的源極、第二十八NMOS管的漏極連接；第二十七NMOS管的柵極和第二十八NMOS管的柵極連接負相偏置電壓端；第二十七NMOS管的源極以及第二十八NMOS管的源極接地。ー種電阻，包括權利要求I或2所述的跨導放大器，其中，跨導放大器的負相輸出端與跨導放大器的共模反饋電壓端連接；跨導放大器的正相輸出端與跨導放大器的負相輸入端連接，該連接的連接點作為電阻的第一端；跨導放大器的負相輸入端作為電阻的第二端。ー種電阻，包括權利要求3所述的跨導放大器，其中，跨導放大器的正相輸入端與跨導放大器的負相輸出端連接，該連接的連接點作為所述電阻的第一端；跨導放大器的負相輸入端與跨導放大器的正相輸出端連接，該連接的連接點作為所述電阻的第二端。ー種電阻，包括兩個權利要求I或2所述的跨導放大器，分別為第一跨導放大器和第二跨導放大器，其中，第一跨導放大器的負相輸出端與第一跨導放大器的共模反饋電壓端連接；第二跨導放大器的負相輸出端與第二跨導放大器的共模反饋電壓端連接；第一跨導放大器的正相輸出端作為電阻的第一端，第一跨導放大器的正相輸入端作為電阻的第二端；第一跨導放大器的正相輸出端、第二跨導放大器的正相輸入端以及第ニ跨導放大器的正相輸出端相互連接；第二跨導放大器的負相輸入端、第二跨導放大器的正相輸出端、第一跨導放大器的正相輸入端、第一跨導放大器的負相輸入端相互連接?！N電感，包括兩個權利要求I或2所述的跨導放大器，分別為第一跨導放大器和第二跨導放大器，其中，第一跨導放大器的負相輸出端與第一跨導放大器的共模反饋電壓端連接；第二跨導放大器的負相輸出端與第二跨導放大器的共模反饋電壓端連接；電感的第一端通過第二電容接地，且分別與第一跨導放大器的正相輸出端、第二跨導放大器的正相輸入端連接；電感的第二端分別與第一跨導放大器的正相輸入端、第二跨導放大器的正相輸出端連接； 第一跨導放大器的負相輸入端接地，第二跨導放大器的負相輸入端接地。一種濾波器，包括所述跨導放大器，和/或，所述電阻，和/或，所述電感。對于上述技術方案的技術效果分析如下本申請的跨導放大器采用兩組子跨導放大器構成，其中ー組子跨導放大器由第一PMOS管Ml、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九NMOS管至第十二 NMOS管、第十五NMOS管至第十八NMOS管組成，第二組子跨導放大器由第七NMOS管、第八NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十九NMOS管、第二十NMOS管組成，兩組放大器的輸出端交叉連接，第二組子跨導放大器為第一組子跨導放大器的主跨導對管第五NMOS管和第六NMOS管提供ー個符號相反的三階諧波項，從而可以利用電流相減的方式消除第一子跨導放大器的三次項諧波，從而實現本申請所述跨導放大器的低功耗高線性度；進而包含所述跨導放大器的濾波器也能夠在功耗低的情況下獲得較高的線性度。附圖說明圖I為本申請跨導放大器第一實施例示意圖；圖2為本申請跨導放大器第二實施例示意圖；圖3為本申請共模反饋電路結構示意圖；圖4為本申請電阻第一實施例示意圖；圖5為本申請電阻第二本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種跨導放大器，其特征在于，包括：第一PMOS管的柵極以及第二PMOS管的柵極連接跨導放大器的正相偏置電壓端；第三PMOS管的柵極和第四PMOS管的柵極連接，且連接跨導放大器的共模反饋電壓端；第一PMOS管的源極、第二PMOS管的源極、第三PMOS管的源極、第四PMOS管的源極、第九NMOS管的漏極以及第十NMOS管的漏極連接跨導放大器的電源電壓端；第一PMOS管的漏極分別連接第九NMOS管的柵極和第十一NMOS管的漏極；第三PMOS管的漏極和第五NMOS管的漏極連接跨導放大器的負相輸出端；第四PMOS管的漏極和第六NMOS管的漏極連接跨導放大器的正相輸出端；第二PMOS管的漏極分別連接第十NMOS管的柵極以及第十二NMOS管的漏極；第五NMOS管的源極、第十NMOS管的源極、第十六NMOS管的柵極、第十八NMOS管的漏極和柵極連接；第六NMOS管的源極、第九NMOS管的源極、第十五NMOS管的柵極、第十七NMOS管的柵極和漏極連接；第十一NMOS管的源極連接第十五NMOS管的漏極；第十二NMOS管的源極連接第十六NMOS管的漏極；第十五NMOS管的源極、第十六NMOS管的源極、第十七NMOS管的源極以及第十八NMOS管的源極連接；第十一NMOS管的柵極以及第五NMOS管的柵極均連接跨導放大器的正相輸入端；第六NMOS管的柵極以及第十二NMOS管的柵極均連接跨導放大器的負相輸入端。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：程序，郭桂良，閻躍鵬，
申請(專利權)人：中國科學院微電子研究所，
類型：發明
國別省市：