一種制備介孔SiO2/CdS復合納米球的方法技術

本發明專利技術涉及一種制備介孔SiO2/CdS復合納米球的方法，特征是采用了正硅酸酯類和十八烷基三甲氧基硅烷（C18TMS）在氨水催化下水解制備SiO2納米球，以SiO2納米球為模板，鎘鹽為鎘源，硫脲為硫源在0～90℃條件下反應4～24小時，得到SiO2/CdS復合納米球；高溫煅燒后得到介孔SiO2/CdO復合納米球，經過H2S氣體在30～200℃反應2～8小時，即得到直徑為270～400nm的介孔SiO2/CdS復合納米球。本發明專利技術在制備得到介孔SiO2/CdS復合納米球的過程中，反應條件比較溫和，需要的設備簡單，便于擴大規模，適合產業化生產。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種制備介孔SiO2/CdS復合納米球的方法，其特征在于：先將正硅酸酯類和十八烷基三甲氧基硅烷在氨水催化下水解制備SiO2納米球，以SiO2納米球為模板，鎘鹽為鎘源，硫脲為硫源在0～90℃條件下反應4～24小時，得到SiO2/CdS復合納米球；然后將SiO2/CdS復合納米球在500～900℃條件下煅燒1～4小時，得到介孔SiO2/CdO復合納米球；最后將介孔SiO2/CdO復合納米球經過H2S氣體在30～200℃反應2～8小時，即得到所述介孔SiO2/CdS復合納米球。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：錢海生，胡金林，應桃開，章紅寶，鄭佑楣，阿爾孜古麗·玉蘇甫，
申請(專利權)人：浙江師范大學，
類型：發明
國別省市：