一種測(cè)試設(shè)備制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種測(cè)試設(shè)備，包括交流電源電路、相位產(chǎn)生電路、交流漏電調(diào)節(jié)電路和時(shí)間檢測(cè)電路；其特征在于：相位產(chǎn)生電路包括可控硅電流控制電路；所述可控硅電流控制電路包括：根據(jù)所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號(hào)而導(dǎo)通的三極管BG18、由三極管BG18驅(qū)動(dòng)的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通斷的雙向可控硅BG19，雙向可控硅BG19的A、K極串聯(lián)在外接模擬漏電回路中。本發(fā)明專利技術(shù)通過(guò)改進(jìn)可控硅電流控制電路，使其結(jié)構(gòu)較為合理，能夠有效滿足特殊漏電斷路器的測(cè)試需求。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種用于測(cè)試漏電斷路器的測(cè)試設(shè)備
本專利技術(shù)涉及一種測(cè)試設(shè)備，具體涉及一種用于測(cè)試漏電斷路器的測(cè)試設(shè)備。
技術(shù)介紹
根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB14048.2-2001，GB16916.1-2003，GB16917.1-2003等規(guī)定：對(duì)無(wú)論是突然施加或緩慢上升的具有規(guī)定的剩余脈動(dòng)直流或剩余正弦交流電流，能確保在規(guī)定時(shí)間內(nèi)脫扣的漏電斷路器稱為A型漏電斷路器。對(duì)無(wú)論是突然施加或緩慢上升的具有無(wú)直流分量的剩余正弦交流電流，能確保在規(guī)定時(shí)間內(nèi)脫扣的漏電斷路器，稱為AC型漏電斷路器。由上可知，A型漏電斷路器覆蓋了AC型漏電斷路器的功能。上述“規(guī)定的剩余脈動(dòng)電流”為以下4種情況：電流滯后電壓0°的半波整流電流、電流滯后電壓90°的半波整流電流、電流滯后電壓135°的半波整流電流、含有6mA直流的電流滯后電壓0°的半波整流電流。現(xiàn)有技術(shù)中不存在對(duì)A型漏電斷路器進(jìn)行測(cè)量的裝置。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種測(cè)試范圍較廣且性能較為穩(wěn)定可靠的測(cè)試設(shè)備。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本專利技術(shù)提供了一種用于測(cè)試漏電斷路器的測(cè)試設(shè)備，包括交流電源電路、直流供電電路、相位產(chǎn)生電路、交流漏電調(diào)節(jié)電路、相位顯示電路、指示燈電路和時(shí)間檢測(cè)電路；交流電源電路具有用于構(gòu)成負(fù)載回路的第一火線端和用于構(gòu)成模擬漏電回路的第二火線端，第一火線端和第二火線端用于與被測(cè)設(shè)備的火線輸入端相連，所述負(fù)載回路的零線端用于與被測(cè)設(shè)備的零線端相連；所述被測(cè)設(shè)備是A型漏電斷路器；相位產(chǎn)生電路用于與被測(cè)設(shè)備的火線輸出端L2相連；相位產(chǎn)生電路包括控制按鈕電路、電流滯后電壓0°的第一半波整流電路、電流滯后電壓90°的第二半波整流電路、電流滯后電壓135°的第三半波整流電路、6mA直流生成電路以及可控硅電流控制電路，可控硅電流控制電路根據(jù)所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號(hào)在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓0°的半波整流電流、電流滯后電壓90°的半波整流電流、電流滯后電壓135°的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓0°的半波整流電流；控制按鈕電路用于控制相位產(chǎn)生電路在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓0°的半波整流電流、電流滯后電壓90°的半波整流電流、電流滯后電壓135°的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓0°的半波整流電流；所述電流滯后電壓135°的第三半波整流電路包括：正弦波整形電路、充電電路、與門(mén)、電阻R9、電阻R10、運(yùn)算放大器IC1B、電阻R11、電位器WR1、三極管BG3、電阻R12、R13、按鈕開(kāi)關(guān)SB1、電阻R58、三極管BG18、光耦芯片IC4、電阻R59、雙向可控硅BG19、電阻R60和電阻R61；正弦波整形電路由變壓器T2、二極管D5、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7和運(yùn)算放大器IC1A構(gòu)成；充電電路由電阻R8和電容C5構(gòu)成，電阻R8和電容C5依次與運(yùn)算放大器IC1A的輸出端相連；與門(mén)由二極管D6和D7構(gòu)成，二極管D6的負(fù)極接電阻R8，二極管D6的正極接運(yùn)算放大器IC1B的正極；二極管D7的負(fù)極接運(yùn)算放大器IC1A的輸出端，電阻R9和電阻R10各自的輸入端接二極管D7的正極，電阻R9和電阻R10用于設(shè)定相對(duì)于電流滯后電壓135°的整定電壓；電阻R11的輸入端接電阻R9的輸出端，電阻R11的輸出端接運(yùn)算放大器IC1B的反向輸入端；電位器WR1的一端接運(yùn)算放大器IC1B的反向輸入端；電阻R11和電位器WR1用來(lái)調(diào)節(jié)運(yùn)算放大器IC1B的反向輸入端的相對(duì)于電流滯后電壓135°的比較電壓；三極管BG3的基極通過(guò)電阻R12接運(yùn)算放大器IC1B的輸出端，三極管BG3的發(fā)射極接電阻R11的輸入端和按鈕開(kāi)關(guān)SB1，三極管BG3的發(fā)射極接電阻R13的輸入端，三極管BG3與電阻R13構(gòu)成射極跟隨器；電位器WR1的調(diào)節(jié)端和電阻R10的輸出端均與電阻R13的輸出端相連；電阻R12用作三極管BG3基極的限流電阻；運(yùn)算放大器IC1B的輸出端用于輸出電流滯后電壓135°的控制信號(hào)；電阻R13上的電流滯后電壓135°的控制信號(hào)通過(guò)按鈕開(kāi)關(guān)SB1、電阻R58送給三極管BG18，三極管BG18驅(qū)動(dòng)光耦芯片IC4，電阻R59是對(duì)光耦芯片IC4進(jìn)行限流的限流電阻，保證光耦芯片IC4有效工作；光耦芯片IC4用以隔離交流220V與相位產(chǎn)生電路直流部分，控制雙向可控硅BG19的導(dǎo)通和關(guān)斷，電阻R60和電阻R61用于控制雙向可控硅BG19的G極輸入電流，使輸入信號(hào)足夠觸發(fā)雙向可控硅BG19導(dǎo)通；雙向可控硅BG19的A、K二極串聯(lián)在負(fù)載與交流電源之間，流過(guò)負(fù)載的電流就是滯后于電壓135°的半波整流電流；控制雙向可控硅BG19即可控制線路中通過(guò)規(guī)定的剩余脈動(dòng)電流，調(diào)節(jié)電位器WR3、WR4和WR5控制漏電流大小；當(dāng)按鈕開(kāi)關(guān)SB10閉合時(shí)，按鈕開(kāi)關(guān)SB10的兩個(gè)中間觸點(diǎn)用于相位產(chǎn)生電路輸出波形的檢測(cè)；所述可控硅電流控制電路包括：根據(jù)所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號(hào)而導(dǎo)通的三極管BG18、由三極管BG18驅(qū)動(dòng)的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通斷的雙向可控硅BG19，雙向可控硅BG19的A、K極串聯(lián)在所述模擬漏電回路中；所述時(shí)間檢測(cè)電路包括：?jiǎn)纹瑱C(jī)IC6、與單片機(jī)IC6的漏電檢測(cè)端相連的用于檢測(cè)所述模擬漏電回路是否導(dǎo)通的漏電信號(hào)檢測(cè)電路、以及與單片機(jī)IC6的時(shí)間信息輸出端相連的用于顯示時(shí)間的數(shù)碼管；單片機(jī)IC6根據(jù)漏電信號(hào)檢測(cè)電路輸出的漏電信號(hào)測(cè)量從所述模擬漏電回路導(dǎo)通至A型漏電斷路器脫扣所需的時(shí)間并通過(guò)所述數(shù)碼管顯示該時(shí)間。本專利技術(shù)具有積極的效果：(1)本專利技術(shù)通過(guò)改進(jìn)可控硅電流控制電路，使其結(jié)構(gòu)較為合理，能夠有效滿足特殊漏電斷路器的測(cè)試需求。附圖說(shuō)明下面將結(jié)合附圖對(duì)本專利技術(shù)作進(jìn)一步的解釋，其中附圖如下：圖1為實(shí)施例1的測(cè)試設(shè)備的外形結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實(shí)施例1的測(cè)試設(shè)備的部分電原理圖；圖3為實(shí)施例1的測(cè)試設(shè)備的另一部分電原理圖。具體實(shí)施方式(實(shí)施例1)見(jiàn)圖1-3，測(cè)試設(shè)備本實(shí)施例是一種用于測(cè)試漏電斷路器的測(cè)試設(shè)備，包括：交流電源電路1、直流供電電路7、相位產(chǎn)生電路2、交流漏電調(diào)節(jié)電路3、相位顯示電路6、指示燈電路5和時(shí)間檢測(cè)電路4。交流電源電路1具有用于構(gòu)成負(fù)載回路的第一火線端和用于構(gòu)成模擬漏電回路的第二火線端，第一火線端和第二火線端用于與被測(cè)設(shè)備9的火線輸入端相連，所述負(fù)載回路的零線端用于與被測(cè)設(shè)備9的零線端相連。本實(shí)施例中被測(cè)設(shè)備9是A型漏電斷路器。相位產(chǎn)生電路2用于與被測(cè)設(shè)備9的火線輸出端L2相連；相位產(chǎn)生電路2包括控制按鈕電路，控制按鈕電路用于控制相位產(chǎn)生電路2在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓0°的半波整流電流、電流滯后電壓90°的半波整流電流、電流滯后電壓135°的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓0°的半波整流電流。交流漏電調(diào)節(jié)電路3用于控制所述模擬漏電回路的電流大小；時(shí)間檢測(cè)電路4用于測(cè)量從所述模擬漏電回路導(dǎo)通至A型漏電斷路器脫扣所需的時(shí)間，即動(dòng)作時(shí)間。所述相位產(chǎn)生電路2包括：電流滯后電壓0°的第一半波整流電路、電流滯后電壓90°的第二半波整流電路、電流滯后電壓135°的第三半波整流電路、6mA直流生成電路、以及用于根據(jù)所述第一半波整流電路、第二半波整本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種測(cè)試設(shè)備，包括交流電源電路(1)、相位產(chǎn)生電路(2)、交流漏電調(diào)節(jié)電路(3)和時(shí)間檢測(cè)電路(4)；其特征在于：相位產(chǎn)生電路(2)包括可控硅電流控制電路；所述可控硅電流控制電路包括：根據(jù)所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號(hào)而導(dǎo)通的三極管BG18、由三極管BG18驅(qū)動(dòng)的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通斷的雙向可控硅BG19，雙向可控硅BG19的A、K極串聯(lián)在外接模擬漏電回路中。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于測(cè)試漏電斷路器的測(cè)試設(shè)備，包括交流電源電路(1)、直流供電電路(7)、相位產(chǎn)生電路(2)、交流漏電調(diào)節(jié)電路(3)、相位顯示電路(6)、指示燈電路(5)和時(shí)間檢測(cè)電路(4)；其特征在于：交流電源電路具有用于構(gòu)成負(fù)載回路的第一火線端和用于構(gòu)成模擬漏電回路的第二火線端，第一火線端和第二火線端用于與被測(cè)設(shè)備(9)的火線輸入端相連，所述負(fù)載回路的零線端用于與被測(cè)設(shè)備的零線端相連；所述被測(cè)設(shè)備是A型漏電斷路器；相位產(chǎn)生電路用于與被測(cè)設(shè)備的火線輸出端L2相連；相位產(chǎn)生電路(2)包括控制按鈕電路、電流滯后電壓0°的第一半波整流電路、電流滯后電壓90°的第二半波整流電路、電流滯后電壓135°的第三半波整流電路、6mA直流生成電路以及可控硅電流控制電路，可控硅電流控制電路根據(jù)所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號(hào)在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓0°的半波整流電流、電流滯后電壓90°的半波整流電流、電流滯后電壓135°的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓0°的半波整流電流；控制按鈕電路用于控制相位產(chǎn)生電路在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓0°的半波整流電流、電流滯后電壓90°的半波整流電流、電流滯后電壓135°的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓0°的半波整流電流；所述電流滯后電壓135°的第三半波整流電路包括：正弦波整形電路、充電電路、與門(mén)、電阻R9、電阻R10、運(yùn)算放大器IC1B、電阻R11、電位器WR1、三極管BG3、電阻R12、R13、按鈕開(kāi)關(guān)SB1、電阻R58、三極管BG18、光耦芯片IC4、電阻R59、雙向可控硅BG19、電阻R60和電阻R61；充電電路由電阻R8和電容C5構(gòu)成，電阻R8和電容C5依次與運(yùn)算放大器IC1A的輸出端相連；與門(mén)由二極管D6和D7構(gòu)成，二極管D6的負(fù)極接電阻R8，二極管D6的正極接運(yùn)算放大器IC1B的正極；二極管D7的負(fù)極接運(yùn)算放大器IC1A的輸出端，電阻R9和電阻R10各自的輸入端接二極管D7的正極，電阻R9和電阻R10用于設(shè)定相對(duì)于電流滯后電壓135°的整定電壓；電阻R11的輸入端接電阻R9的輸出端，電阻R11的輸出端接運(yùn)算放...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡小青，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州貝騰特電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
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