一種改善服務器主板諧振區的方法技術

本發明專利技術公開了一種改善服務器主板諧振區的方法，包括如下步驟：S10：遠場實測服務器，初步分析輻射源，以確定與主板諧振區有關的輻射源；S11：運行SIwave軟件，進行諧振區的仿真，獲得諧振模式圖，找出諧振最強的區域；S12：對比實測數據，添加端口，仿真S參數曲線；S13：根據S參數曲線，選擇合適的去耦電容并進行添加；S14：再次運行諧振模式仿真和S參數仿真，并進行前后對比分析，確認效果。相較于現有技術，本發明專利技術改善服務器主板諧振區的方法節約時間，節省勞動量，且簡單，安全可靠，可以有效地改善電源平面的諧振區，降低輻射騷擾的強度。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及新興的信息技術設備的諧振區改善
，尤其涉及。
技術介紹
在服務器主板諧振區結構中，電源和地平面之間構成諧振腔，因此存在諧振。當走線通過諧振較強的區域，信號相當于是走在一個浮動的參考平面上，若走線在此區域過孔，或者恰好某段走線接近諧振頻點的1/4波長，則容易形成天線在近場帶出該諧振點。服務器主板諧振區引起的輻射問題是十分普遍的，而且比較難解。改善電源平面的諧振區，以降低輻射騷擾的強度有多種方法，目前，選擇合適的去耦電容，并在合適的位置添加，是改善服務器主板諧振區主要方法，然而，該種傳統的方法 是通過一次又一次實測的方法，這樣花費了大量的時間與費用。首先，找出諧振區時，傳統方法是使用近場量測探頭進行大范圍的量測，這樣一般要進行幾十次量測，耗費很多的時間與勞動量。而添加去耦電容后，只能等到下一次打板驗證，萬一無效，前功盡棄，傳統方法為了降低風險，進行了改進，往往選取很多位置，添加很多不同容值組合的電容，但是這樣即使一次成功了，還有一個問題，就是相關位置能否擺下這么多電容。故，針對上述現有技術在改善電源平面的諧振區，以降低輻射騷擾的強度方面存在的缺陷，實有必要進行研究，以提供一種方法來改善電源平面的諧振區，以降低輻射騷擾的強度。
技術實現思路
為解決上述問題，本專利技術的目的在于提供，以改善電源平面的諧振區，降低輻射騷擾的強度。為實現上述目的，本專利技術的技術方案為 ，包括如下步驟 510:遠場實測服務器，初步分析輻射源，以確定與主板諧振區有關的輻射源；511:運行SIwave軟件，進行諧振區的仿真，獲得諧振模式圖，找出諧振最強的區域； 512:對比實測數據，添加端口，仿真S參數曲線； 513:根據S參數曲線，選擇合適的去耦電容并進行添加； 514:再次運行諧振模式仿真和S參數仿真，并進行前后對比分析，確認效果。進一步地,在步驟Sll中，把主板layout文件導入SIwave軟件,選定網絡端口區域，進行電容參數、頻率范圍等初始化設置，運行諧振仿真模式，SIwave軟件通過求解齊次麥克斯韋方程得到2D諧振模式。進一步地，在步驟Sll中獲得的諧振最強區域添加一個S端口，運行掃頻分析功能，得到S參數曲線。進一步地，在步驟S13中，根據S參數曲線，根據輻射超標最嚴重的諧振點，選擇諧振頻率在這個諧振點的頻率值附近的去耦電容。相較于現有技術，本專利技術改善服務器主板諧振區的方法節約時間，節省勞動量，且簡單，安全可靠，可以有效地改善電源平面的諧振區，降低輻射騷擾的強度。附圖說明圖I是本專利技術的方法流程圖示； 圖2為服務器在遠場的輻射實測 圖3是采用本專利技術方法后所得的2D諧振 圖4是本專利技術的S參數曲線圖； 圖5是本專利技術加去耦電容前后的S曲線比較圖。具體實施例方式為了使本專利技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本專利技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。請參照圖I所示，本專利技術改善服務器主板諧振區的方法包括如下步驟 510:遠場實測服務器，初步分析輻射源，以確定與主板諧振區有關的輻射源；511:運行SIwave軟件，進行諧振區的仿真，獲得諧振模式圖，找出諧振最強的區域； 512:對比實測數據，添加端口，仿真S參數曲線； 513:根據S參數曲線，選擇合適的去耦電容并進行添加； 514:再次運行諧振模式仿真和S參數仿真，并進行前后對比分析，確認效果。其中，參照圖2對步驟SlO進行說明，圖2為某服務器在遠場的輻射實測圖，其中曲線表示輻射強度，上面的折線為法規限值CISPR22 ClassB IOM Radiation，下面的折線為法規裕量限值Margin 6dB，以上面的折線為準，曲線超出該折線，表示輻射超標。從圖中不難看出，該服務器主板在第8個標示點750M上輻射超標最嚴重；在實測時，拔掉網線，750M超標點消失，而750M恰為網絡端口時鐘125M的6倍頻。因此，可以初步斷定該超標點與主板網絡端口區域的諧振有關。在步驟Sll中，SIwave軟件通過求解齊次麥克斯韋方程得到2D諧振模式。把主板layout文件導入SIwave軟件,選定網絡端口區域,進行電容參數、頻率范圍等初始化設置后，運行諧振仿真模式，軟件根據求解麥克斯韋方程組的原理，得到一系列諧振點，選擇跟實測中750M最接近的諧振點，得到如圖3所示的2D諧振圖。從諧振圖中可以看到顏色最深的部分就是750M頻率點諧振最強的區域，其正好位于方形網絡控制芯片的上方，說明該超標點跟網絡有很大關系。在步驟Sll中獲得的諧振最強區域添加一個S端口，運行掃頻分析功能，得到如圖4所示的S參數曲線，S參數曲線谷底ml點的縱坐標對應著諧振的強度值_15dB (在圖4中，強度值越低表示諧振越強)，橫坐標標示著該端口感受到的諧振頻率值。可見諧振頻率值恰為750M，與實測相對應。在步驟S13中，根據S參數曲線，根據750M的諧振點，選擇諧振頻率在這個值附近的去耦電容，本專利技術實施例中，參考電容供應商的規格書，選取TDK 0402封裝68pf電容兩顆，設置好等效電感與等效電阻參數后，將這兩顆電容添加在S端口附近。步驟S14中，再次運行諧振仿真和S參數仿真，得到加去耦電容后的S曲線圖后，和加去耦電容前的S曲線圖做比較。如圖5所示，加去耦電容后，諧振強度大為減小，仿真目的達到。如果諧振強度沒有明顯改善，可調節電容值，再次運行諧振和S參數仿真，仿真運行時間大約幾十分鐘左右。而傳統方法中，如果實測，需要要反復拆裝機臺，反復焊接電容，更麻煩的是，大部分情況下要新增電容，這樣只能等到下一次打板，如果失效，則前功盡棄，一板一板下來，浪費的時間和費用很龐大。與傳統方法對比，找出諧振最強的區域時，傳統的方法是使用近場量測探頭進行大范圍的量測，這樣一般要進行幾十次量測，耗費很多的時間與勞動量，而本專利技術創作只需要一次諧振模式仿真就可以，時間只有十分鐘左右。而電容選擇時，傳統方法添加去耦電容后，只能等到下一次打板驗證，萬一無效，前功盡棄，傳統方法為了降低風險，往往選取很多位置，添加很多不同容值組合的電容，但是這樣即使一次成功了，還有一個問題，就是相關位置能否擺下這么多電容，而本專利技術創作只要運行幾次S參數仿真，作比較，就可以找到合 適的電容，并驗證效果。以上所述僅為本專利技術的較佳實施例而已，并不用以限制本專利技術，凡在本專利技術的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本專利技術的保護范圍之內。權利要求1.，其特征在于，包括如下步驟 510:遠場實測服務器，初步分析輻射源，以確定與主板諧振區有關的輻射源； 511:運行SIwave軟件，進行諧振區的仿真，獲得諧振模式圖，找出諧振最強的區域； 512:對比實測數據，添加端口，仿真S參數曲線； 513:根據S參數曲線，選擇合適的去耦電容并進行添加； 514:再次運行諧振模式仿真和S參數仿真，并進行前后對比分析，確認效果。2.如權利要求I所述改善服務器主板諧振區的方法，其特征在于在步驟Sll中，把主板layout文件導入SIwave軟件,選定網絡端口區域,進行電容參數、頻率范圍等初始化設置，運行諧振仿真模式，SIwave軟件通過求解齊次麥克斯韋方程得到2D諧振本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種改善服務器主板諧振區的方法，其特征在于，包括如下步驟：S10：遠場實測服務器，初步分析輻射源，以確定與主板諧振區有關的輻射源；S11：運行SIwave軟件，進行諧振區的仿真，獲得諧振模式圖，找出諧振最強的區域；S12：對比實測數據，添加端口，仿真S參數曲線；S13：根據S參數曲線，選擇合適的去耦電容并進行添加；S14：再次運行諧振模式仿真和S參數仿真，并進行前后對比分析，確認效果。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：黨杰，
申請(專利權)人：浪潮電子信息產業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：