太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測(cè)設(shè)備制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測(cè)設(shè)備，照明室固定于機(jī)架上，照明室內(nèi)設(shè)有光源，照明室的內(nèi)壁上設(shè)有一層漫反射材料制成的涂層，傳送機(jī)構(gòu)能夠傳送待檢測(cè)產(chǎn)品到照明室內(nèi)光源形成的均勻光照區(qū)域，照明室上方的頂壁設(shè)有與待檢測(cè)產(chǎn)品位置正對(duì)的通光孔，所述成像裝置位于通光孔正上方的機(jī)架上，成像裝置能夠?qū)D片信息傳信給處理器，本實(shí)用新型專利技術(shù)通過照明室將光源的光線漫反射，使得投射在太陽能多晶硅電池片上的光斑亮度均勻性和角度均勻性非常高，進(jìn)而消除了晶粒噪聲干擾，提高了太陽能多晶硅電池片表面檢測(cè)精度。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種太陽能硅片檢測(cè)系統(tǒng)，特別涉及一種多晶硅片表面缺陷檢測(cè)設(shè)備。
技術(shù)介紹
隨著太陽能發(fā)電進(jìn)入民用領(lǐng)域，太陽能光伏產(chǎn)業(yè)以突飛猛進(jìn)的速度發(fā)展。由此對(duì)太陽能硅片的質(zhì)量檢測(cè)越來越被重視。太陽能硅片的表面缺陷是其中一個(gè)重要方面。但是多晶硅片由于其自身緣故，晶粒之間明暗變化非常明顯，這嚴(yán)重降低了表面缺陷的信噪比，從而降低了表面缺陷的檢測(cè)精度。在現(xiàn)有的產(chǎn)品中，基本都是靠后期圖像處理的方法將晶粒噪聲消除。這不僅延長(zhǎng)了圖像處理的時(shí)間，而且會(huì)丟失一些細(xì)微的信息。對(duì)在線檢測(cè)及高精度都造成了不良影響。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為了彌補(bǔ)以上不足，本技術(shù)提供了一種多晶硅片表面缺陷檢測(cè)設(shè)備，該多晶硅片表面缺陷檢測(cè)設(shè)備照明系統(tǒng)能夠在檢測(cè)區(qū)形成亮度均勻性和角度均勻性非常高的光斑，能消除晶粒噪聲干擾，檢測(cè)精度高。本技術(shù)為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測(cè)設(shè)備，包括機(jī)架、照明室、傳送機(jī)構(gòu)、成像裝置和處理器，以實(shí)際使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述照明室固定于機(jī)架上，照明室內(nèi)設(shè)有光源，照明室的內(nèi)壁上設(shè)有一層漫反射材料制成的涂層，傳送機(jī)構(gòu)能夠傳送待檢測(cè)產(chǎn)品到照明室內(nèi)光源形成的均勻光照區(qū)域，照明室上方的頂壁設(shè)有與待檢測(cè)產(chǎn)品位置正對(duì)的通光孔，所述成像裝置位于通光孔正上方的機(jī)架上，成像裝置能夠?qū)D片信息傳信給處理器，傳送機(jī)構(gòu)將待檢測(cè)產(chǎn)品輸送到光源形成的均勻光照區(qū)域內(nèi)并與成像裝置正對(duì)的位置，光源發(fā)出的光線經(jīng)過照明室內(nèi)壁漫反射后投射在待檢測(cè)產(chǎn)品上，在待檢測(cè)產(chǎn)品上形成照度均勻性和角度均勻性非常高的光斑，成像裝置通過照明室頂壁的通光孔對(duì)待檢測(cè)產(chǎn)品成像，并將圖像信號(hào)傳輸給處理器進(jìn)行分析比對(duì)，得出檢測(cè)結(jié)果，由于待檢測(cè)產(chǎn)品上的光斑照度均勻性和照明角度均勻性非常高，這就消除了待檢測(cè)產(chǎn)品上晶粒噪聲干擾，提高了檢測(cè)精度，在本專利中，照度均勻指的是在光斑的不同區(qū)域光強(qiáng)一致或接近，照明角度均勻指的是在同一區(qū)域，入射角不同的光的強(qiáng)度一致或接近。作為本技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述光源為單色LED、多色LED、鹵素?zé)艉蜔晒鉄糁械囊环N，所述光源固定于照明室內(nèi)側(cè)邊緣位置，這樣容易在照明室內(nèi)壁發(fā)生漫反射，當(dāng)然不排除在側(cè)壁上其它位置。作為本技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述光源對(duì)應(yīng)位于待檢測(cè)產(chǎn)品的四個(gè)側(cè)面形成方形結(jié)構(gòu)和環(huán)形結(jié)構(gòu)中的一種，條狀光源的間隔比待待檢測(cè)產(chǎn)品尺寸大，用于容置待檢測(cè)產(chǎn)品O作為本技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述照明室頂壁的通光孔為圓形孔、方形孔和多邊形孔中的一種。作為本技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述成像裝置為相機(jī)。作為本技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述照明室側(cè)壁上設(shè)有能夠開啟和閉合的門，便于實(shí)時(shí)查看多晶硅片及設(shè)備維修。作為本技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述機(jī)架下側(cè)設(shè)有高度能夠調(diào)節(jié)的支腳，便于調(diào)節(jié)光源高度，確保光源高度與待檢測(cè)產(chǎn)品匹配以及光源與待檢測(cè)產(chǎn)品的平行度，確保光斑的照度均勻性和照明角度均勻性。 作為本技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述照明室內(nèi)壁的漫反射涂層為高漫反射涂料(比如BaS04)和貼膜中的一種。作為本技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述照明室內(nèi)壁2為方筒形和圓筒形的腔體中的一種。本文所檢測(cè)的太陽能多晶硅電池片是指從硅片到成品電池片生產(chǎn)過程中的任何半成品或成品。本技術(shù)的有益技術(shù)效果是本技術(shù)通過散射腔將光源的光線漫反射，使得投射在多晶硅片上的光斑亮度均勻性和角度均勻性非常高，進(jìn)而消除了晶粒噪聲干擾，提聞了多晶娃片表面檢測(cè)精度。附圖說明圖I為本技術(shù)的結(jié)構(gòu)原理示意圖；圖2為本技術(shù)的立體圖。具體實(shí)施方式實(shí)施例一種太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測(cè)設(shè)備，包括機(jī)架I、照明室2、傳送機(jī)構(gòu)3、成像裝置4和處理器，以實(shí)際使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述照明室2固定于機(jī)架I上，照明室2內(nèi)設(shè)有光源5，照明室2的內(nèi)壁上設(shè)有一層漫反射材料制成的涂層，傳送機(jī)構(gòu)3能夠傳送待檢測(cè)產(chǎn)品到照明室2內(nèi)光源5形成的均勻光照區(qū)域，照明室2上方的頂壁設(shè)有與待檢測(cè)產(chǎn)品位置正對(duì)的通光孔6，所述成像裝置4位于通光孔6正上方的機(jī)架I上，成像裝置4能夠?qū)D片信息傳信給處理器，傳送機(jī)構(gòu)3將待檢測(cè)產(chǎn)品輸送到光源5形成的均勻光照區(qū)域內(nèi)并與成像裝置4正對(duì)的位置，光源5發(fā)出的光線經(jīng)過照明室2內(nèi)壁漫反射后投射在待檢測(cè)產(chǎn)品上，在待檢測(cè)產(chǎn)品上形成照度均勻性和角度均勻性非常高的光斑，成像裝置4通過照明室2頂壁的通光孔6對(duì)待檢測(cè)產(chǎn)品成像，并將圖像信號(hào)傳輸給處理器進(jìn)行分析比對(duì)，得出檢測(cè)結(jié)果，由于待檢測(cè)產(chǎn)品上的光斑照度均勻性和照明角度均勻性非常高，這就消除了待檢測(cè)產(chǎn)品上晶粒噪聲干擾，提高了檢測(cè)精度，在本專利中，照度均勻指的是在光斑的不同區(qū)域光強(qiáng)一致或接近，照明角度均勻指的是在同一區(qū)域，入射角不同的光的強(qiáng)度一致或接近。所述光源5為單色LED、多色LED、鹵素?zé)艉蜔晒鉄糁械囊环N，所述光源固定于照明室內(nèi)側(cè)邊緣位置，這樣容易在照明室2內(nèi)壁發(fā)生漫反射，當(dāng)然不排除在側(cè)壁上其它位置。所述光源5對(duì)應(yīng)位于待檢測(cè)產(chǎn)品的四個(gè)側(cè)面形成方形結(jié)構(gòu)和環(huán)形結(jié)構(gòu)中的一種，條狀光源5的間隔比待待檢測(cè)產(chǎn)品尺寸大，用于容置待檢測(cè)產(chǎn)品。所述照明室2頂壁的通光孔6為圓形孔、方形孔和多邊形孔中的一種。所述成像裝置4為相機(jī)。所述照明室2側(cè)壁上設(shè)有能夠開啟和閉合的門10，便于實(shí)時(shí)查看多晶硅片及設(shè)備維修。所述機(jī)架I下側(cè)設(shè)有高度能夠調(diào)節(jié)的支腳11，便于調(diào)節(jié)光源5高度，確保光源5高度與待檢測(cè)產(chǎn)品匹配以及光源5與待檢測(cè)產(chǎn)品的平行度，確保光斑的照度均勻性和照明角度均勻性。所述照明室2內(nèi)壁的漫反射涂層為高漫反射涂料(比如BaS04)和貼膜中的一種。所述照明室內(nèi)壁2為方筒形和圓筒形的腔體中的一種。本文所檢測(cè)的太陽能多晶硅電池片是指從硅片到成品電池片生產(chǎn)過程中的任何半成品或成品。權(quán)利要求1.一種太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測(cè)設(shè)備，其特征是包括機(jī)架(I)、照明室(2)、傳送機(jī)構(gòu)(3)、成像裝置(4)和處理器，以實(shí)際使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述照明室(2)固定于機(jī)架(I)上，照明室(2)內(nèi)設(shè)有光源(5)，照明室(2)的內(nèi)壁上設(shè)有一層漫反射材料制成的涂層，傳送機(jī)構(gòu)(3)能夠傳送待檢測(cè)產(chǎn)品到照明室(2)內(nèi)光源(5)形成的均勻光照區(qū)域，照明室(2)上方的頂壁設(shè)有與待檢測(cè)產(chǎn)品位置正對(duì)的通光孔￠)，所述成像裝置(4)位于通光孔(6)正上方的機(jī)架(I)上，成像裝置(4)能夠?qū)D片信息傳信給處理器。2.如權(quán)利要求I所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測(cè)設(shè)備，其特征是所述光源(5)為單色LED、多色LED、鹵素?zé)艉蜔晒鉄糁械囊环N，所述光源固定于照明室內(nèi)側(cè)邊緣位置。3.如權(quán)利要求2所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測(cè)設(shè)備，其特征是所述光源(5)對(duì)應(yīng)位于待檢測(cè)產(chǎn)品的四個(gè)側(cè)面形成方形結(jié)構(gòu)和環(huán)形結(jié)構(gòu)中的一種。4.如權(quán)利要求I所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測(cè)設(shè)備，其特征是所 述照明室(2)頂壁的通光孔￠)為圓形孔、方形孔和多邊形孔中的一種。5.如權(quán)利要求I所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測(cè)設(shè)備，其特征是所述成像裝置(4)為相機(jī)。6.如權(quán)利要求I所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測(cè)設(shè)備，其特征是所述照明室⑵側(cè)壁上設(shè)有能夠開啟和閉合的門(10)。7.如權(quán)利要求I所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測(cè)設(shè)備，其特征是所述機(jī)架(I)下側(cè)設(shè)有高度能夠調(diào)節(jié)的支腳(11)。8.如權(quán)利要求I所述的本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測(cè)設(shè)備，其特征是：包括機(jī)架(1)、照明室(2)、傳送機(jī)構(gòu)(3)、成像裝置(4)和處理器，以實(shí)際使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述照明室(2)固定于機(jī)架(1)上，照明室(2)內(nèi)設(shè)有光源(5)，照明室(2)的內(nèi)壁上設(shè)有一層漫反射材料制成的涂層，傳送機(jī)構(gòu)(3)能夠傳送待檢測(cè)產(chǎn)品到照明室(2)內(nèi)光源(5)形成的均勻光照區(qū)域，照明室(2)上方的頂壁設(shè)有與待檢測(cè)產(chǎn)品位置正對(duì)的通光孔(6)，所述成像裝置(4)位于通光孔(6)正上方的機(jī)架(1)上，成像裝置(4)能夠?qū)D片信息傳信給處理器。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊廣，趙潤川，權(quán)炳浩，廖國偉，丁正雍，陳利平，李波，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州中導(dǎo)光電設(shè)備有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：