本發(fā)明專利技術(shù)提供一種形成部分沉積層的方法及形成部分沉積層的裝置。此方法包括：在蒸發(fā)板上提供基材，在蒸發(fā)板與基材之間置放屏蔽板，使得屏蔽板屏蔽基材的第一部分，并暴露基材的第二部分。當(dāng)基材朝預(yù)定方向移動(dòng)時(shí)，進(jìn)行蒸發(fā)制程，使得在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源沉積在基材暴露的第二部分上，而不沉積在基材屏蔽的第一部分上。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)關(guān)于一種形成部分沉積層的方法及一種形成部分沉積層的裝置，且特別關(guān)于一種不使用洗漆制程(washing process)來移除沉積層不必要的部分的形成部分沉積層的方法及形成部分沉積層的裝置。
技術(shù)介紹
裝飾膜為由基材 與形成在其上的多個(gè)材料層所構(gòu)成，其中，上述基材可為可撓式基材，這使得裝飾膜可應(yīng)用于模內(nèi)裝飾(in-mold decoration, I MD)制程、模內(nèi)轉(zhuǎn)印(in-mold rolling, IMR)制程及類似制程中。裝飾膜為用以提供設(shè)備或設(shè)備外殼中某些視覺效果，例如提供金屬光澤、呈現(xiàn)某些圖案(即，商標(biāo)、標(biāo)志等)或是呈現(xiàn)某些色彩。甚至可通過裝飾膜來達(dá)到某些觸控感應(yīng)效應(yīng)(touch sensing effect)。一般而言，為了提供金屬光澤或者提供具有金屬光澤的圖案，裝飾膜中形成在基板上的材料層至少包括一金屬層，其中，為了達(dá)到高光澤度，此金屬層的材料較佳為銀(Ag)。然而，整體基板表面上形成有Ag層的裝飾膜會(huì)具有電屏蔽效應(yīng)(electricallyshielding effect)，而使得使用此種裝飾膜的電子設(shè)備可能具有不良的無線信號(hào)傳輸品質(zhì)。因此，為了得到所需外觀而不對(duì)電子設(shè)備的傳輸品質(zhì)造成負(fù)面影響，通常會(huì)將形成在基材上的Ag層圖案化，使Ag層部分保留在基材上，而不會(huì)屏蔽無線信號(hào)的傳輸。近來，在基材上形成圖案化Ag層的方法包括在基材上形成屏蔽圖案，在具有屏蔽圖案的基材的整體表面上沉積Ag材料，并洗滌(或清潔)屏蔽圖案及沉積在其上的Ag層的一部分。然而，此種制程會(huì)將裝飾膜的制造復(fù)雜化，且用以洗滌屏蔽圖案及部分Ag層的試劑可能對(duì)環(huán)境造成污染。此外，假若屏蔽圖案及沉積在其上的Ag層部分并未被完全洗去，則可能會(huì)造成裝飾膜中的污染，且原本形成在基材上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(alignment mark)可能被屏蔽，這對(duì)后續(xù)的制程如裝飾膜的制造、后續(xù)的IMD或后續(xù)的IMR制程會(huì)造成負(fù)面影響。因此，必須改良在基材上形成部分金屬層的方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供一種形成部分沉積層的方法以及以此方法所制造的產(chǎn)品，其至少具有簡(jiǎn)單且對(duì)于環(huán)境低污染的特性。本專利技術(shù)提供一種不使用洗滌試劑來形成部分沉積層的裝置。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，提供一種形成部分沉積層的方法，此方法包括在蒸發(fā)板上提供基材，在蒸發(fā)板與基材之間置放屏蔽板，使得屏蔽板屏蔽基材的第一部分，并暴露基材的第二部分。當(dāng)基材朝預(yù)定方向移動(dòng)時(shí)，進(jìn)行蒸發(fā)制程，使得在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源沉積在基材中經(jīng)暴露的第二部分上，而不沉積在基材中經(jīng)屏蔽的第一部分上。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源包括金屬。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例,在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源包括Al、Ni、Au、Pt、Cr、Fe、Cu、Sn、Ag、Ti、Pb、Zn或其中的組合。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源的一部分沉積在遠(yuǎn)離基材的屏蔽板的一側(cè)上。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，在提供基材至蒸發(fā)板上之前，還包括在基材上形成圖案化油墨層，其中，圖案化油墨層至少具有一圖案化開口，使得在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源至少沉積在圖案化開口中。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，在提供基材至蒸發(fā)板上之前，基材具有形成在其上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，且此對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于基材中經(jīng)屏蔽的第一部分中。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例,基材包括可 撓式基材或玻璃基材。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，屏蔽板的位置為可調(diào)整的。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，以加熱器加熱在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源，使得蒸發(fā)源蒸發(fā)并沉積在基材中經(jīng)暴露的第二部分上。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，提供一種形成部分沉積層的裝置。形成部分沉積層的裝置包括腔室、載體以及屏蔽板。腔室具有配置在其中的蒸發(fā)板。載體配置在腔室中，且位于蒸發(fā)板上，用以運(yùn)送基材并使基材朝預(yù)定方向移動(dòng)。屏蔽板配置在蒸發(fā)板與載體之間，其中，屏蔽板屏蔽基材的第一部分并暴露基材的第二部分。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源包括金屬。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例,在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源包括Al、Ni、Au、Pt、Cr、Fe、Cu、Sn、Ag、Ti、Pb、Zn或其中的組合。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，載體包括用以朝預(yù)定方向轉(zhuǎn)動(dòng)的滾輪，且基材置放在滾輪上。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例,基材包括可撓式基材或玻璃基材。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，形成部分沉積層的裝置還包括置放在腔室中，用以支撐屏蔽板的支撐架。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，屏蔽板的數(shù)量為一或多個(gè)。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，形成部分沉積層的裝置還包括用以加熱蒸發(fā)板的加熱器。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，基材至屏蔽板的距離為O. Icm 5cm。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，基材至屏蔽板的距離為O. 5cm 1cm。基于上述，形成部分沉積層的裝置包括置放在腔室中且位在欲沉積的基材之間的屏蔽板、屏蔽板上的部分沉積層以及蒸發(fā)板，使得在蒸發(fā)板上蒸發(fā)源的蒸發(fā)途徑被屏蔽板所屏蔽，蒸發(fā)源僅沉積在基材的第二部分。根據(jù)本專利技術(shù)實(shí)施例的形成部分沉積層的方法不需任何洗滌制程或清潔制程，且就在進(jìn)行蒸發(fā)制程之后形成部分沉積層。因此防止了污染的問題，且此方法相當(dāng)簡(jiǎn)單。為讓本專利技術(shù)的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。其中，在圖式及說明中所使用的相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的設(shè)備。為了清楚敘述本專利技術(shù)的概念，在配合所附圖式的實(shí)施例中，設(shè)備的形狀及厚度可能不完全與真實(shí)情況相符。此外，以下的敘述說明了元件或其組合，然而元件并不特定限制于此些內(nèi)容或說明。任何所屬
中具有通常知識(shí)者所現(xiàn)有的形式或形狀均可應(yīng)用于本專利技術(shù)中。另夕卜，一材料層配置在基材或另一材料層上的敘述意指一材料層直接位在基材或另一材料層上，也可能表示有一些中間層介在此材料層及基材之間，或是在此材料層及另一材料層之間。附圖說明圖I為根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例繪示的一種形成部分沉積層的裝置；圖2為圖I中所示裝置的一部分構(gòu)件的俯視圖；圖3為圖I中所示裝置的一部分構(gòu)件的 側(cè)視圖；圖4為根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例所繪示，當(dāng)進(jìn)行沉積制程時(shí)，沿圖2的A-A'線的剖面圖；圖5為根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例所繪示，使用圖I中所示裝置而形成于基材上的分層；圖6為根據(jù)本專利技術(shù)的另一實(shí)施例所繪示，使用圖I中所示裝置而形成于基材上的分層；圖7為繪示沿圖6的B-B線的剖面圖。附圖標(biāo)記說明10、20 :裝飾膜；100 :裝置；110:腔室；120 :載體；122、124:滾輪；130 :蒸發(fā)板；132 :蒸發(fā)源；134 :加熱器；140 :屏蔽板；142 :支撐架；144 :材料層；150 :基材；150A :第一部分；150B :第二部分；152:部分沉積層；154 :對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；160 :進(jìn)料器；170 :真空檢測(cè)計(jì)；182、184:泵系統(tǒng)；190 :光學(xué)密度檢測(cè)器；210:圖案化油墨層；2IOA :圖案化開口；A-A'、B-B:線；D :預(yù)定方向；d:距離。具體實(shí)施例方式以下詳細(xì)說明本專利技術(shù)的實(shí)施例，其實(shí)例繪示在所附圖式中。在任何可能情況下，圖式與說明書中所使用的相同標(biāo)號(hào)為代表相同或類似的部分。圖I為根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例繪示的一種形成部分沉積層的裝置。請(qǐng)參照?qǐng)D1，裝置100包括腔室110、載體120、蒸發(fā)板13 0以及屏蔽板140。其中，載體120、蒸發(fā)板130及屏蔽板140配置在腔室110內(nèi)。載體120為用以運(yùn)送基材150，且其位置與蒸發(fā)板130相對(duì)，其中，在蒸發(fā)板130中置放蒸本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種形成部分沉積層的方法，包括：在一蒸發(fā)板上提供一基材；在該蒸發(fā)板與該基材之間置放一屏蔽板，使得該屏蔽板屏蔽該基材的一第一部分，并暴露該基材的一第二部分；以及當(dāng)該基材朝一預(yù)定方向移動(dòng)時(shí)，進(jìn)行一蒸發(fā)制程，使得在該蒸發(fā)板上的一蒸發(fā)源沉積在該基材中經(jīng)暴露的該第二部分上，而不沉積在該基材中經(jīng)屏蔽的該第一部分上。
【技術(shù)特征摘要】
2011.05.05 US 13/101,1611.ー種形成部分沉積層的方法，包括 在一蒸發(fā)板上提供一基材； 在該蒸發(fā)板與該基材之間置放ー屏蔽板，使得該屏蔽板屏蔽該基材的ー第一部分，并暴露該基材的一第二部分；以及 當(dāng)該基材朝ー預(yù)定方向移動(dòng)時(shí)，進(jìn)行一蒸發(fā)制程，使得在該蒸發(fā)板上的ー蒸發(fā)源沉積在該基材中經(jīng)暴露的該第二部分上，而不沉積在該基材中經(jīng)屏蔽的該第一部分上。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中在該蒸發(fā)板上的該蒸發(fā)源包括金屬。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中在該蒸發(fā)板上的該蒸發(fā)源包括Al、Ni、Au、Pt、Cr、Fe、Cu、Sn、Ag、Ti、Pb、Zn 或其中的組合。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中在該蒸發(fā)板上的該蒸發(fā)源的一部分沉積在遠(yuǎn)離該基材的該屏蔽板的ー側(cè)上。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，還包括 在提供該基材至該蒸發(fā)板上之前，在該基材上形成一圖案化油墨層； 其中，該圖案化油墨層至少具有ー圖案化開ロ，使得在該蒸發(fā)板上的該蒸發(fā)源至少沉積在該圖案化開口中。6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中在提供該基材至該蒸發(fā)板上之前，該基材具有形成在其上的ー對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，且該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于該基材中經(jīng)屏蔽的該第一部分中。7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中該基材包括可撓式基材或玻璃基材。8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中該屏蔽板的位置為可調(diào)整的。9....
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李浚源，黃韋翔，鄭舒尹，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：鑼洋科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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