一種高導熱、防靜電正裝LED芯片制造技術

本實用新型專利技術公開了一種高導熱、防靜電正裝LED芯片，包括GaN層、襯底以及密封于兩者之間的反射層，所述的襯底包括從上至下設置的類鉆碳膜、鋁合金層和純銅層，類鉆碳膜上表面與GaN層底部相密封結合。采用上述三層結構的襯底，不但具有較高的導熱性，而且還具有較好的防靜電性能，有效提高了LED的熱管理，保證了LED的光效和使用壽命。另外，也能夠簡化其制作工藝，取消了原有藍寶石襯底所需的磨片、劃片等工藝。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及LED燈，更具體地說，涉及一種高導熱、防靜電正裝LED芯片。技術背景 就固態照明市場發展而言，熱管理系統設計是一個非常重要的環節，當LED溫度升高時，LED的光效和使用壽命將會迅速降低，這表明，熱管理不僅對LED芯片是重要的，而且在整個LED照明系統中，均起到決定性的作用。而目前常見的正裝結構的發光LED芯片一般包括GaN層(氮化鎵)、襯底和密封于兩者之間的反射層，其中，襯底一般采用藍寶石襯底或者銅襯底，然而，藍寶石襯底不導電，導熱效率差，而銅襯底雖然導電，但存在防靜電性能差的缺點。
技術實現思路
針對現有技術中存在的上述缺點，本技術的目的是提供一種高導熱、防靜電正裝LED芯片，其襯底具有高導熱且防靜電的功能。為實現上述目的，本技術采用如下技術方案該高導熱、防靜電正裝LED芯片包括GaN層、襯底以及密封于兩者之間的反射層，所述的襯底包括從上至下設置的類鉆碳膜、鋁合金層和純銅層，類鉆碳膜上表面與GaN層底部相密封結合。所述的純銅層下表面還設有一低共熔低熱阻鍍層。所述的GaN層上表面設有正、負電極鍵合墊以及間隔分布的正、負極線。所述的類鉆碳膜的厚度為0. 040 0. 050mm。所述的芯片的總高度為110 160 ii m ;所述的襯底的高度為100 150 y m。在上述技術方案中，本技術的高導熱、防靜電正裝LED芯片包括GaN層、襯底以及密封于兩者之間的反射層，所述的襯底包括從上至下設置的類鉆碳膜、鋁合金層和純銅層，類鉆碳膜上表面與GaN層底部相密封結合。采用上述三層結構的襯底，不但具有較高的導熱性，而且還具有較好的防靜電性能，有效提高了 LED的熱管理，保證了 LED的光效和使用壽命。另外，也能夠簡化其制作工藝，取消了原有藍寶石襯底所需的磨片、劃片等工藝。附圖說明圖I是本技術的高導熱、防靜電正裝LED芯片的結構剖視圖。圖2是本技術的正裝LED芯片的俯視圖。具體實施方式以下結合附圖和實施例進一步說明本技術的技術方案。請參閱圖I所示，本技術的高導熱、防靜電正裝LED芯片與現有技術相同之處為，同樣也包括GaN層I、襯底2以及密封于兩者之間的反射層3。所不同的是，該襯底2包括從上至下設置的類鉆碳膜21、鋁合金層22和純銅層23，鋁合金層22與純銅層23相復合，類鉆碳膜21上表面與GaN層I底部通過晶片鍵合工藝形成密封結合，取消了原有藍寶石襯底2所需的磨片、劃片等工藝。在所述純銅層23下表面還可設有一低共熔低熱阻鍍層24。而在所述的GaN層I上表面設有正、負電極鍵合墊4、5以及間隔分布的正、負極線6、7,見圖2所示。經過多次、反復試驗和設計，將所述的類鉆碳膜21的厚度設計為0. 040 0. 050m m,將所述的芯片的總高度設計為110 160 u m,而所述的襯底2的高度設計為100 150 u m。采用本技術的LED芯片，從熱學角度來看，當GaN層I工作時所產生的熱量傳到由類鉆碳膜21、鋁合金層22和純銅層23所構成的襯底2上時，由于類鉆碳膜21的導熱系數為475W/m k，銅的導熱系數是385W/m k，鋁的導熱系數為130W/m k，所以整個芯片熱阻僅為0.9°C /W，而采用IOOiim厚的藍寶石襯底2的正裝LED芯片的熱阻高達2.91 °C /W，采用150 iim厚的藍寶石襯底2的正裝LED芯片的熱阻高達4. 57°C /W，相差高達5_8倍之多。綜上所述，本技術的LED光源與現有技術相比，不但具有較高的導熱性，而且 還具有較好的防靜電性能，有效提高了 LED的熱管理，保證了 LED的光效和使用壽命。另外，也能夠簡化其制作工藝，取消了原有藍寶石襯底2所需的磨片、劃片等工藝。本
中的普通技術人員應當認識到，以上的實施例僅是用來說明本技術，而并非用作為對本技術的限定，只要在本技術的實質精神范圍內，對以上所述實施例的變化、變型都將落在本技術的權利要求書范圍內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高導熱、防靜電正裝LED芯片，包括GaN層、襯底以及密封于兩者之間的反射層，其特征在于：所述的襯底包括從上至下設置的類鉆碳膜、鋁合金層和純銅層，類鉆碳膜上表面與GaN層底部相密封結合。

【技術特征摘要】
2011.12.22 CN 201120544902.31.ー種高導熱、防靜電正裝LED芯片，包括GaN層、襯底以及密封于兩者之間的反射層，其特征在于 所述的襯底包括從上至下設置的類鉆碳膜、鋁合金層和純銅層，類鉆碳膜上表面與GaN層底部相密封結合。2.如權利要求I所述的高導熱、防靜電正裝LED芯片，其特征在于 所述的純銅層下表面還設有一低共熔低熱...

【專利技術屬性】
技術研發人員：包紹林，包建敏，
申請(專利權)人：包建敏，
類型：實用新型
國別省市：