頂針蓋結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)是一種頂針蓋結(jié)構(gòu)，其是應(yīng)用于具有晶粒的晶圓，頂針蓋結(jié)構(gòu)包含有一蓋體，其頂面具有至少一孔，蓋體的頂面進(jìn)一步具有一晶粒頂出區(qū)，蓋體相對(duì)于晶粒頂出區(qū)，更進(jìn)一步具有至少一長(zhǎng)邊與至少一短邊，長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度除以短邊的長(zhǎng)度的比值大于1，而使得以推抵鄰近晶圓環(huán)的內(nèi)緣的晶粒，故可使取放晶粒的制程得以全面自動(dòng)化，進(jìn)而使得晶粒取放技術(shù)具有便利性。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種頂針蓋結(jié)構(gòu)，其是用于推抵鄰近晶圓環(huán)的內(nèi)緣的晶粒。
技術(shù)介紹
現(xiàn)今晶圓(Wafer)的制造技術(shù)與切割技術(shù)，以及晶粒(Die)取放技術(shù)已經(jīng)日趨成熟。承上所述，現(xiàn)今的晶粒制程，其是將晶圓放置于一具有粘附性的薄膜的晶圓環(huán)中，而后將晶圓切割出復(fù)數(shù)個(gè)所需尺寸的晶粒，再將經(jīng)切割的晶圓連同晶圓環(huán)一并送入晶粒取放機(jī)中，以取得所需的晶粒。當(dāng)具有已切割的晶圓的晶圓環(huán)放置于一晶粒取放機(jī)中時(shí)，位于晶粒環(huán)下方的頂針蓋的操作模式有兩種，其一是頂針蓋具有移動(dòng)模式，即頂針蓋相對(duì)于晶粒的位置移動(dòng)，另一是頂針蓋不具有移動(dòng)模式，即晶粒相對(duì)于頂針蓋的位置移動(dòng)。請(qǐng)配合參考圖I所示，當(dāng)晶圓環(huán)移動(dòng)至頂針蓋I的上方，或者頂針蓋I移動(dòng)至晶圓環(huán)的下方，頂針蓋I通過(guò)吸孔10提供一負(fù)壓，以吸附薄膜20，頂針11穿過(guò)頂針蓋I推抵薄膜20，以使薄膜20與晶粒21呈分離狀，取放裝置2得以吸取晶粒21。請(qǐng)配合參考圖2所示，現(xiàn)今的頂針蓋1，若以其中心線來(lái)區(qū)分的話，頂針蓋I的長(zhǎng)邊與短邊的比例為I : 1，所以較常見(jiàn)的頂針蓋I的形狀是圓形或方形。然而，現(xiàn)今的晶粒21因功能與設(shè)計(jì)的條件，而導(dǎo)致晶粒21的尺寸日漸細(xì)長(zhǎng)，因現(xiàn)今的頂針蓋I的移動(dòng)模式是上述的兩種方式，當(dāng)頂針蓋I移動(dòng)至接近晶圓環(huán)22的內(nèi)緣處，或者晶圓環(huán)22的內(nèi)緣處移動(dòng)至接近頂針蓋I處時(shí)，頂針蓋I與晶圓環(huán)22的內(nèi)緣就會(huì)發(fā)生碰撞的情況，即業(yè)界通稱干涉I，請(qǐng)見(jiàn)圖2。為了避免此一情況發(fā)生，每當(dāng)頂針蓋I欲頂出鄰近晶圓環(huán)22的內(nèi)緣的晶粒21時(shí)，晶粒取放機(jī)會(huì)取消頂針蓋I移動(dòng)至此一位置的指令，或者取消晶圓環(huán)22移動(dòng)的指令，而使該位置的晶粒21另由人工取出。綜合上述，現(xiàn)有的頂針蓋I因其形狀，導(dǎo)致其無(wú)法頂出鄰近晶圓環(huán)22的內(nèi)緣的晶粒21，而需要使用人工方能取出晶粒21，使得晶粒21取放技術(shù)充滿不便性，故現(xiàn)有的頂針蓋I仍有需要改善的空間。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
有鑒于上述的缺點(diǎn)，本技術(shù)的目的在于提供一種頂針蓋結(jié)構(gòu)，其是能夠推抵鄰近晶圓環(huán)的內(nèi)緣的晶粒，而使取放晶粒的制程得以全面自動(dòng)化，進(jìn)而使得晶粒取放技術(shù)具有便利性，并能降低制造晶粒的成本。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)采用的技術(shù)方案是一種頂針蓋結(jié)構(gòu)，其是應(yīng)用于具有晶粒的晶圓，其特征在于，該頂針蓋結(jié)構(gòu)包含有一個(gè)蓋體，其頂面具有至少一個(gè)孔，該蓋體的頂面進(jìn)一步具有一個(gè)晶粒頂出區(qū)，該蓋體相對(duì)于該晶粒頂出區(qū)，該蓋體更進(jìn)一步具有至少一個(gè)長(zhǎng)邊與至少一個(gè)短邊，該長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度除以該短邊的長(zhǎng)度的比值大于I。該蓋體的頂面進(jìn)一步具有至少一個(gè)氣道，該氣道與該孔相通。該蓋體的形狀為多邊形。該蓋體的形狀為橢圓形、長(zhǎng)方形、菱形、六邊形或八邊形。該晶圓為8或12英寸的晶圓，該晶粒的寬 度小于2mm，該晶粒的長(zhǎng)度大于25mm。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)采用的技術(shù)方案還包括一種頂針蓋結(jié)構(gòu)，其是應(yīng)用于具有晶粒的晶圓，其特征在于，該頂針蓋結(jié)構(gòu)包含有一個(gè)蓋體，其頂面具有至少一個(gè)孔，該蓋體的頂面進(jìn)一步具有一個(gè)晶粒頂出區(qū)，該蓋體相對(duì)于該晶粒頂出區(qū)，該蓋體更進(jìn)一步具有至少一個(gè)長(zhǎng)邊與至少一個(gè)短邊，該長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度除以該短邊的長(zhǎng)度的比值大于I. 5。該蓋體的頂面進(jìn)一步具有至少一個(gè)氣道，該氣道與該孔相通。該蓋體的形狀為多邊形。該蓋體的形狀為橢圓形、長(zhǎng)方形、菱形、六邊形或八邊形。該晶圓為8或12英寸的晶圓，該晶粒的寬度小于2mm，該晶粒的長(zhǎng)度大于25mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，采用上述技術(shù)方案的本技術(shù)具有的優(yōu)點(diǎn)在于本技術(shù)的頂針蓋結(jié)構(gòu)是改變蓋體的長(zhǎng)邊與短邊的比例，而使本技術(shù)的蓋體的形狀成為細(xì)長(zhǎng)狀的多邊形，故相較于現(xiàn)有的頂針蓋，本技術(shù)的頂針蓋結(jié)構(gòu)得以推抵鄰近晶圓環(huán)的內(nèi)緣的晶粒，所以無(wú)須使用任何人工推抵鄰近晶圓環(huán)的內(nèi)緣的晶粒，進(jìn)而使取放晶粒的制程得以全面自動(dòng)化，故可節(jié)省人工的支出，并能達(dá)到節(jié)省制作成本的效果，以及使得晶粒取放技術(shù)具有便利性。附圖說(shuō)明圖I是現(xiàn)有的頂針蓋于實(shí)際使用時(shí)的剖面示意圖；圖2是現(xiàn)有的頂針蓋與晶圓環(huán)于干涉時(shí)的示意圖；圖3是本技術(shù)的頂針蓋的第一實(shí)施例的立體外觀圖；圖4是本技術(shù)的頂針蓋的第一實(shí)施例的示意圖；圖5是本技術(shù)的頂針蓋與晶圓環(huán)的示意圖；圖6是本技術(shù)的頂針蓋的第二實(shí)施例的立體外觀圖；圖7是本技術(shù)的頂針蓋的第二實(shí)施例的示意圖；圖8是本技術(shù)的頂針蓋的第三實(shí)施例的立體外觀圖；圖9是本技術(shù)的頂針蓋的第三實(shí)施例的示意圖；圖10是本技術(shù)的頂針蓋的第四實(shí)施例的立體外觀圖；圖11是本技術(shù)的頂針蓋的第四實(shí)施例的示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1頂針蓋；10吸孔；11頂針；2取放裝置；20薄I旲；21晶粒；22晶圓環(huán)；3蓋體；30孔；31氣道；32晶粒頂出區(qū)；40晶圓環(huán)；41晶圓；42晶粒；1干涉；CL中心線；LS長(zhǎng)邊；SS短邊；5蓋體；50孔；51氣道；52晶粒頂出區(qū)；CL2中心線；LS2長(zhǎng)邊；SS2短邊；6蓋體；60孔；61氣道；62晶粒頂出區(qū)；CL3中心線；LS3長(zhǎng)邊；SS3短邊；7蓋體；70孔；71氣道；72晶粒頂出區(qū)；CL4中心線；LS4長(zhǎng)邊；SS4短邊。具體實(shí)施方式以下憑借特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本技術(shù)的具體實(shí)施方式，所屬
中具有通常知識(shí)者可由本說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本技術(shù)的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。請(qǐng)配合參考圖3所示，本技術(shù)是一種頂針蓋結(jié)構(gòu)，其是應(yīng)用于具有晶粒的晶圓，晶圓可為8或12英寸的晶圓的其中一者，晶粒的寬度小于2mm,晶粒的長(zhǎng)度大于25mm。該頂針蓋結(jié)構(gòu)具有一蓋體3，蓋體3的頂面具有至少一個(gè)孔30與至少一個(gè)氣道 31，氣道31相通于孔30，蓋體3的頂面進(jìn)一步具有晶粒頂出區(qū)32，晶粒頂出區(qū)32設(shè)于相對(duì)于孔30的位置。請(qǐng)配合參考圖4所示，蓋體3具有一中心線CL，蓋體3以中心線CL為基準(zhǔn)，蓋體3具有至少一長(zhǎng)邊LS與至少一短邊SS，長(zhǎng)邊LS的長(zhǎng)度除以短邊SS的長(zhǎng)度的比值大于1，在本實(shí)施例中，蓋體3的形狀為橢圓形，蓋體3的形狀也可為長(zhǎng)方形，或者，蓋體3相對(duì)于晶粒頂出區(qū)32，蓋體更進(jìn)一步具有至少一長(zhǎng)邊LS與至少一短邊SS，長(zhǎng)邊LS的長(zhǎng)度除以短邊SS的長(zhǎng)度的比值大于1，舉例而言，該比值能夠大于1、1. 1、1. 2,1. 3,1. 4,1. 5,1. 6,1. 7,1. 8、1.9、2或任何大于I的數(shù)值。請(qǐng)配合參考圖5所示,一已設(shè)于晶圓環(huán)40的晶圓41,晶圓41具有復(fù)數(shù)個(gè)細(xì)長(zhǎng)形的晶粒42，并將此一晶圓環(huán)40移至晶粒取放機(jī)中，位于晶圓環(huán)40下方的蓋體3是移動(dòng)至所欲推頂?shù)木Я?2的下方，或者晶圓環(huán)40依據(jù)欲被推頂?shù)木Я?2的位置，而移動(dòng)至蓋體3的上方。蓋體3通過(guò)孔30與對(duì)晶圓環(huán)40的薄膜產(chǎn)生一負(fù)壓吸力，頂針通過(guò)孔30穿出蓋體3，并推抵薄膜，以使薄膜與晶粒42分離，進(jìn)而使得取放裝置得以吸取晶粒42。請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D4與圖5所示，因蓋體3的長(zhǎng)邊LS的長(zhǎng)度除以短邊SS的長(zhǎng)度的比值大于I,蓋體3的形狀為橢圓形,故當(dāng)蓋體3移動(dòng)至接近晶圓環(huán)40的內(nèi)緣處,或者晶圓環(huán)40的內(nèi)緣處移動(dòng)至接近蓋體3處時(shí)，蓋體3與晶圓環(huán)40的內(nèi)緣就不會(huì)發(fā)生碰撞的情況，即干涉狀態(tài)無(wú)法產(chǎn)生，如此，鄰近晶圓環(huán)40的內(nèi)緣的晶粒42，其應(yīng)可被蓋體3所推頂。綜合上述，本技術(shù)是改變蓋體3的長(zhǎng)邊LS與短邊SS的比例，憑借此一比例的設(shè)定，而使蓋體3得以推抵鄰近晶圓環(huán)40的內(nèi)緣的晶粒42，因此無(wú)須使用任何人工推抵鄰近晶圓環(huán)40的內(nèi)緣的晶粒42，進(jìn)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種頂針蓋結(jié)構(gòu)，其是應(yīng)用于具有晶粒的晶圓，其特征在于，該頂針蓋結(jié)構(gòu)包含有：一個(gè)蓋體，其頂面具有至少一個(gè)孔，該蓋體的頂面進(jìn)一步具有一個(gè)晶粒頂出區(qū)，該蓋體相對(duì)于該晶粒頂出區(qū)，該蓋體更進(jìn)一步具有至少一個(gè)長(zhǎng)邊與至少一個(gè)短邊，該長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度除以該短邊的長(zhǎng)度的比值大于1。

【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳世偉，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州均華精密機(jī)械有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：