本發明專利技術公開了一種單片玻璃及單層玻璃黑色矩陣的光刻生產工藝，采用負型光阻劑或等量曝光型光阻劑，同時采用與光阻劑相對應的顯影劑，將光罩與玻璃基板之間的距離設定在＞400?m范圍內，將光罩設計圖的圖案尺寸縮小1~10?m，本發明專利技術減去以往的一道OC制程，也在不需要其他技術的支持下，就能改善電容屏的生產工藝，不僅避免了在OC制程中出現的種種問題，提高了電容屏產品的良率，既節約了生產成本，也大大提高了電容屏產品的生產效率。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電容屏玻璃的光刻技術，具體涉及單片玻璃和單層玻璃中黑色矩陣的光刻生產工藝。
技術介紹
目前電容屏玻璃采用的BM(黑色矩陣)光刻技術，主要是將光罩設計圖按照最接近1:1的比例曝光到玻璃基板上的光阻涂層上，主要技術原理是當光罩與玻璃基板之間的距離在10(ri50Mffl范圍內時，汞燈(紫外線燈源)發射出來的平行光透過光罩透光區投射到玻璃基板上的光線主要是垂直平行且強度均等的高能量光，黑色負型光阻劑感光后通過顯影得到垂直的BM端面，此時直接鍍ITO (氧化銦錫)膜便會在BM處產生ITO膜斷面，目前普遍采用的技術就是通過涂布一層OC膜(負型光阻保護膜)來實現鍍ITO膜的完整性。在曝光時，將光罩與玻璃基板之間的距離控制在10(Tl50Mm范圍內，汞燈發射出來的平行光 透過光罩透光區投射到玻璃基板上的光線主要是垂直平行且強度均等的高能量光，黑色負型光阻劑感光后通過顯影得到了垂直的BM端面，由于光阻涂層的厚度為為I. 5 2. OMffl，而一般鍍到的ITO膜的厚度為200 300 ，直接鍍膜后會在BM處產生ITO膜斷面，導致黑色矩陣上的ITO膜與玻璃基板上的ITO膜之間無法連接，影響ITO膜的完整性。在BM制程后增加了一道OC制程，在BM上面涂布一層OC膜，在OC膜上鍍ITO膜便能實現ITO膜的完整性，然而，這種光刻技術存在許多缺陷，由于多增一道OC制程，增加了異物產生的概率，易降低電容屏產品的良率；由于需要多添一層OC膜，增加了物料成本、時間成本以及人力成本，大大降低了電容屏產品的生產效率。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是，在做完BM光刻制程后，不需要添加一道OC制程，就可以完成后續的鍍ITO膜制程，并且可以得到完整且不會產生斷面的ITO膜，從而達到簡化生產制程，減少生產成本，提高生產效率的目的。針對上述目的，本專利技術采用如下技術方案單片玻璃及單層玻璃黑色矩陣的光刻生產工藝，其特征在于，包括一光罩設置有透光區，其上方安裝有汞燈，下方放置有玻璃基板，光罩與玻璃基板之間的距離大于400Mffl，汞燈發射的平行光透過光罩透光區投射到玻璃基板上，形成高能量光和低能量光，其中高能量光光線垂直且強度均等，強度為8(Tl50mJ/cm2，低能量光強度按等比例下降，使光罩設計圖的圖案尺寸縮小f lOMffl，其工藝步驟如下 O玻璃基板入料，確認玻璃基板尺寸大小及玻璃基板的正反面后再投料； 2)紫外線洗凈，采用紫外線照射，時間為2(T40s；3)藥液洗凈，中性清洗劑與純水的比例為3°/Γ5%，溫度為40°C，液壓為O.3^0. 5Mpa ； 4)純水洗凈，水洗溫度為22°C常溫狀態，水洗壓力為O.Γ0. 6Mpa ;高壓洗凈時，壓力為O. 6Mpa ；5)干燥，采用紅外線加熱，溫度為6(T80°C，加熱玻璃基板溫度為3(T50°C，加熱時間為3 5min ； 6)光阻涂布，使用旋轉式涂布機，將光阻劑涂布到玻璃基板上，將光阻層的膜厚控制在I.5 2. OMm，涂布機轉速設定為65(T850rpm，旋轉時間6 8s ； 7)軟烤光阻，軟烤溫度為6(Tl00°C，烘烤時間為5 IOmin； 8)曝光，將光罩與玻璃基板之間的距離增加到400Mm以上，曝光能量設定為8(Tl50mJ/cm2 ； 9)顯影，設定溫度是18 28°C，顯影時間為2(T60s； 10)硬烤，溫度為150 250°C，時間為20 60min。所述光阻劑為等量曝光型黑色負型光阻劑。本專利技術的優點在于，減去了一道OC制程，在不需要其他技術支持的條件下，改善電容屏的生產工藝，不僅避免了在OC制程中出現的種種問題，提高了電容屏產品的良率，既節約了生產成本，也大大提高了電容屏產品的生產效率。附圖說明圖I是本專利技術的梯形感光效果原理示意圖。圖2是電容屏的BM整個光刻流程圖。圖3是本專利技術BM光刻制程原理示意圖。圖中101、汞燈，102、透光區，103、高能量光，104、低能量光，201、玻璃基板，202、光阻劑，203、光罩，204、梯形感光效果，205、ITO膜。具體實施例方式以下結合附圖及實施例對本專利技術作進一步說明。參見圖I和圖3，單片玻璃及單層玻璃黑色矩陣的光刻生產工藝，其特征在于，包括一光罩203設置有透光區102，其上方安裝有汞燈101，下方放置有玻璃基板201，光罩203與玻璃基板201之間的距離大于400Mm，汞燈101發射的平行光透過光罩203透光區102投射到玻璃基板201上，形成高能量光103和低能量光104，其中高能量光103光線垂直且強度均等，強度為8(Tl50mJ/cm2，低能量光104強度按等比例下降，使光罩203設計圖的圖案尺寸縮小f IOMffl，其工藝步驟如下 1)玻璃基板201入料，確認玻璃基板201尺寸大小及玻璃基板201的正反面后再投料； 2)紫外線洗凈，采用紫外線照射，時間為2(T40s；3)藥液洗凈，中性清洗劑與純水的比例為3°/Γ5%，溫度為40°C，液壓為O.3^0. 5Mpa ；4)純水洗凈，水洗溫度為22°C常溫狀態，水洗壓力為O.Γ0. 6Mpa ;高壓洗凈時，壓力為O.6Mpa ； 5)干燥，采用紅外線加熱，溫度為6(T80°C，加熱玻璃基板201溫度為3(T50°C，加熱時間為3 5min ； 6)光阻涂布，使用旋轉式涂布機，將光阻劑202涂布到玻璃基板201上，將光阻層的膜厚控制在I. 5^2. OMm，涂布機轉速設定為65(T850rpm，旋轉時間6 8s ； 7)軟烤光阻，軟烤溫度為6(Tl00°C，烘烤時間為5 IOmin； 8)曝光，將光罩203與玻璃基板201之間的距離增加到400Mm以上，曝光能量設定為80^150mJ/cm2 ；9)顯影，設定溫度是18 28°C，顯影時間為2(T60s； 10)硬烤，溫度為150 250°C，時間為20 60min。所述光阻劑202為等量曝光型黑色負型光阻劑202。其特性為可對低能量光104產生感光效應，且發生固化反應的光阻量與光照的強度成正比。本專利技術依據以下技術原理對BM光刻制程進行優化改善 I、光的衍射現象光波在空間傳播遇到障礙物時，其傳播方向會偏離直線傳播，呈現光強不均勻分布的現象。2、梯形感光效果204 :汞燈101發射的平行光線經過光罩203的透光區102后產生衍射現象，透過的光線除了原有垂直平行且強度均等的高能量光103外還可衍射出強度 等比例下降的低能量光104，強度分布由透光區102往兩側依次減少至O mj/cm2，形成梯形感光效果204。3、等量曝光型黑色負型光阻劑202的特性可對低能量光104產生感光效應，且發生固化反應的光阻量與光照的強度成正比。實施例I :單片玻璃及單層玻璃黑色矩陣的光刻生產工藝，參見圖2和圖3，采用黑色負型光阻劑202，同時采用與該光阻劑202相對應的顯影劑(即可與該光阻劑202發生顯影反應的顯影劑，主要成分為氫氧化鉀)，其特征在于，將光罩203設計圖的圖案尺寸縮小4Mm,其工藝步驟如下 O玻璃基板201入料I，確認玻璃基板201尺寸大小及玻璃基板201的正反面后再投料； 2)紫外線洗凈2，采用紫外線照射，時間為30s； 3)藥液洗凈3，中性清洗劑Fisher2本文檔來自技高網...
【技術保護點】
單片玻璃及單層玻璃黑色矩陣的光刻生產工藝，其特征在于，包括一光罩設置有透光區，其上方安裝有汞燈，下方放置有玻璃基板，光罩與玻璃基板之間的距離大于400μm，汞燈發射的平行光透過光罩透光區投射到玻璃基板上，形成高能量光和低能量光，其中高能量光光線垂直且強度均等，強度為80~150mJ/cm2，低能量光強度按等比例下降，使光罩設計圖的圖案尺寸縮小1~10μm，其工藝步驟如下：1）玻璃基板入料，確認玻璃基板尺寸大小及玻璃基板的正反面后再投料；2）紫外線洗凈，采用紫外線照射，時間為20~40s；3）藥液洗凈，中性清洗劑與純水的比例為3%~5%，溫度為40℃，液壓為0.3~0.5Mpa；4）純水洗凈，水洗溫度為22℃常溫狀態，水洗壓力為0.4~0.6Mpa；高壓洗凈時，壓力為0.6Mpa；5）干燥，采用紅外線加熱，溫度為60~80℃，加熱玻璃基板溫度為30~50℃，加熱時間為3~5min；6）光阻涂布，使用旋轉式涂布機，將光阻劑涂布到玻璃基板上，將光阻層的膜厚控制在1.5~2.0μm，涂布機轉速設定為650~850rpm，旋轉時間6~8s；7）軟烤光阻，軟烤溫度為60~100℃，烘烤時間為5~10min；8）曝光，將光罩與玻璃基板之間的距離增加到400μm以上，曝光能量設定為80~150mJ/cm2；9）顯影，設定溫度是18~28℃，顯影時間為20~60s；10）硬烤，溫度為150~250℃，時間為20~60min。...
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱君毅，
申請(專利權)人：江西聯創電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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