一種排氣方法、裝置及基片處理設備制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種排氣方法、裝置及基片處理設備。其中，排氣方法至少包括下述步驟：10)為基片處理腔室設置至少兩個排氣口，并使各個排氣口的排氣速率可被單獨控制；20)使各個排氣口以不同的排氣速率向外排氣。排氣裝置包括連接至基片處理腔室的至少兩個排氣口，其中，各個排氣口的排氣速率可被單獨控制?；幚碓O備包括基片處理腔室并設置用上述本發明專利技術提供的排氣裝置。上述排氣方法、裝置及基片處理設備在進行基片處理工藝時均能有效提高基片處理腔室中的氣流分布均勻性，從而提高工藝質量的均勻性。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及微電子加工
，具體地，涉及一種排氣方法、裝置以及應用上述排氣方法或裝置的基片處理設備。
技術介紹
在微電子產品的制造過程中，需要在基片表面進行多種薄膜的制備工藝。其中，有一種常用的化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,以下簡稱CVD)工藝,是利用工藝 氣體的化學反應而在基片表面形成所需膜層的薄膜制備技術。利用該工藝能夠制備出結晶膜、非結晶膜、絕緣膜、導電膜以及保護膜等多種特性及用途的膜層。在CVD工藝中，工藝氣體能否與基片進行充分且均勻的接觸將直接決定所制備的膜層質量的均勻性。在目前常見的CVD設備中，多采用一個供氣口和一個排氣口使工藝氣體由供氣口進入腔室并參與相應的化學反應，反應后的副產物及未充分參與反應的工藝氣體由排氣口被排出，從而在腔室內形成穩定的氣流場分布。但是，這種供氣和排氣方案所形成的氣流較為固定，從而導致腔室內部分區域(如靠近供氣口和排氣口所在位置的腔室區域)始終有較強的氣流流過，而另一些區域始終不能獲得較為充足的氣流。由于上述工藝氣體的流動分布不均勻，將進一步導致CVD工藝質量的不均勻。為此，日本專利文獻特開1994-349738號公報中公開了一種CVD設備，該設備采用一種復雜的基片保持部和隔板裝置引導氣流以試圖提高工藝氣體在腔室內的分布均勻性。但是，由于該技術方案中的基片保持部和隔板的結構復雜，造成附著在該復雜機構上的薄膜容易脫落而形成顆粒污染。并且，上述隔板裝置的設計方案與腔室容積的關聯性很大，而將同樣的隔板裝置安裝在不同容積的基片處理腔室中時所產生的氣體分配效果會有很大的差別；因此，在應用于大容積的基片處理設備時，需要重新設計并制造上述隔板裝置，從而在一定程度上增加了設備的設計和制造成本。
技術實現思路
為解決上述問題，本專利技術提供一種排氣方法，其能夠使工藝氣體均勻分布于基片處理腔室中的各個區域，從而提供工藝質量的均勻性，并且對于大型設備同樣適用。為解決上述問題，本專利技術提供一種排氣裝置，其同樣能夠使工藝氣體均勻分布于基片處理腔室中的各個區域，從而提供工藝質量的均勻性，并且對于大型設備同樣適用。為解決上述問題，本專利技術還提供一種應用上述排氣方法或裝置的基片處理設備，其同樣能夠使工藝氣體均勻分布于基片處理腔室中的各個區域，從而提供工藝質量的均勻性，并且在設備大型化改造時無需對排氣方案進行重新設計。為此，本專利技術提供一種排氣方法，用于配合基片處理腔室進行排氣操作，其包括下述步驟10)為基片處理腔室設置至少兩個排氣口，并使各個排氣口的排氣速率可被單獨控制；20)使至少兩個排氣口以不同的排氣速率向外排氣。其中，在步驟20)中，使各個排氣口的排氣速率隨時間變化。其中，在步驟10)中，排氣口的數量為至少三個。其中，在步驟20)中，使至少三個排氣口中的至少一個的排氣速率大于其它排氣口的排氣速率。其中，在步驟20)中，使其中一個排氣口的排氣速率大于其它排氣口的排氣速率，并且使其它排氣口的排氣速率相等。其中，在步驟20)中，使其中一個排氣口的排氣速率大于其它排氣口 ；同時，其它排氣口的排氣速率是距離排氣速率最大的排氣口越遠的排氣口的排氣速率越小。其中，在步驟20)中，按照順時針或逆時針的相鄰順序而使各個排氣口依次獲得 最大的排氣速率。其中，在步驟20)中，使各個排氣口的排氣速率連續變化；或者，使各個排氣口的排氣速率每隔預定時長變化一次。其中，預定時長為定值或變量。此外，本專利技術還提供一種排氣裝置，用于配合基片處理腔室進行排氣操作，該排氣裝置包括連接至基片處理腔室的至少兩個排氣口，其中，各個排氣口的排氣速率可被單獨控制。其中，排氣口的數量為至少三個。其中，各個排氣口的單位面積的氣體流速和/或排氣截面積可被調節，通過分別調節各個排氣口的單位面積的氣體流速和/或排氣截面積而對排氣口的排氣速率進行調節。 其中，各個排氣排氣口分別連接至各自專用的抽氣裝置，通過調節各個抽氣裝置的抽氣速率而對各個排氣口的排氣速率進行調節。其中，各個排氣口分別通過獨立的排氣管路而連接至同一個抽氣裝置上，并且各個排氣管路中均設置有截面調節閥，通過調節各個排氣管路中的截面調節閥而對各個排氣口的排氣截面積進行調節，以對各個排氣口的排氣速率進行調節。其中，各個排氣口分別通過獨立的排氣管路而連接至各自專用的抽氣裝置，并且在各個排氣管路中均設置有截面調節閥；通過控制各個抽氣裝置的抽氣速率和/或調節截面調節閥而對各個排氣口的單位面積的氣體流速和/或排氣截面積進行調節，以對各個排氣口的排氣速率進行調節。其中，還包括排氣速率控制模塊，用于控制各個排氣口以不同的排氣速率向外排氣，并且使各個排氣口的排氣速率隨時間變化。其中，排氣速率控制模塊使各個排氣口的排氣速率按照順時針或逆時針的相鄰順序而依次達到最大值。其中，截面調節閥包括一個出氣端、至少三個分散設置的進氣端和設置于截面調節閥內部的可旋轉的閥芯；其中，出氣端與一抽氣裝置相連接，至少三個進氣端分別與各個排氣口對應連接；可旋轉的閥芯用于使各個進氣端的進氣速率隨時間而進行順時針或逆時針旋轉，以使與各個進氣端對應連接的排氣口的排氣速率產生相應變化。其中，還包括閥芯驅動部，用以驅動閥芯按照預定的旋轉方向和速度進行旋轉。另外，本專利技術還提供一種基片處理設備，包括基片處理腔室和設置于基片處理腔室內的基片保持部，其還包括權利要求上述本專利技術提供的的排氣裝置，用以在基片上方形成均勻分布的氣流。其中，基片保持部包括至少兩層沿基片處理腔室高度方向排列的托盤結構；對應于各個托盤的位置，基片處理腔室內還設置有供氣通道和排氣通道，排氣裝置與排氣通道相連接。其中，供氣通道沿基片處理腔室的中心軸而設置，相應的，排氣通道設置于基片處理腔室的四周。其中，供氣通道設置于基片處理腔室的四周，相應的，排氣通道沿基片處理腔室的中心軸而設置。其中，基片處理設備為金屬有機化合物化學氣相淀積設備。本專利技術具有下述有益效果 本專利技術所提供的排氣方法包括為基片處理腔室設置至少兩個排氣速率可被單獨控制的排氣口 ；并使各個排氣口以不同的排氣速率向外排氣。由此可知，應用本專利技術提供的排氣方法進行排氣操作時，借助至少兩個排氣口同時進行排氣，同時根據實際氣流分布情況而隨時對各個排氣口的排氣速率進行調節。因此，應用本專利技術提供的排氣方法能夠使工藝氣體更加均勻地分布于整個基片處理腔室的各個區域，從而使腔室內的各個區域均能獲得充足的氣流供應，進而可有效提高基片處理工藝的均勻性。而且，應用上述本專利技術提供的排氣方法進行排氣操作時與基片處理腔室的容積沒有直接關系，也無需對基片處理腔室的結構做出任何改變或者在基片處理腔室內安裝復雜的隔板裝置；因此，本專利技術提供的排氣方法在應用于大型的基片處理設備時，同樣能夠有效提供工藝氣體分布的均勻性。本專利技術提供的排氣裝置借助設置在基片處理腔室上的至少兩個排氣口進行排氣操作，能夠使腔室內的工藝氣體按照多個流向進行分布；并且通過單獨控制各個排氣口的排氣速率還可實現對氣流分布流量的調節，從而使腔室內各個區域均可獲得充足的氣流供應。因此，應用本專利技術提供的排氣裝置進行排氣時能夠使工藝氣體更加均勻地分布于整個基片處理腔室的內部空間，從而有效提高基片處理工藝的均勻。而且，應用上述本專利技術提供的排氣裝置進行排氣操作時與基片處本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種排氣方法，用于配合基片處理腔室進行排氣操作，其特征在于，包括下述步驟：10)為所述基片處理腔室設置至少兩個排氣口，并使各個排氣口的排氣速率可被單獨控制；20)使所述至少兩個排氣口以不同的排氣速率向外排氣。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：古村雄二，張建勇，周衛國，徐亞偉，
申請(專利權)人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司，
類型：發明
國別省市：