本發明專利技術涉及對處理腔室進行氣體傳送的方法與設備。在某些具體實施例中，處理基板設備包含流量控制器以提供所需的總氣體流量；第一流量控制歧管，該第一流量控制歧管包含第一入口、第一出口、及選擇性連接于其間的多個第一孔，其中該第一入口連接至該流量控制器；以及第二流量控制歧管，該第二流量控制歧管包含第二入口、第二出口、及選擇性連接于其間的多個第二孔，其中該第二入口連接至該流量控制器。其中通過選擇性使流體流經該第一歧管的該多個第一孔中的一或更多第一孔以及該第二歧管的該多個第二孔中的一或更多第二孔而可選擇性獲得在該第一出口與該第二出口之間的所需流量比例。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術的具體實施例大體涉及基板處理。
技術介紹
超大型積體(ULSI)電路包含了形成于半導體基板(例如硅(Si)基板)上、且共同運作以執行組件內各種功能的ー個以上的電子組件(例如晶體管)。在晶體管與其它電子組件制造中常使用等離子體蝕刻；在用以形成這些晶體管結構的等離子體蝕刻處理期間，將ー或更多種處理氣體(蝕刻劑)提供至一理腔室，該處理腔室中系置有基板以蝕刻一或 更多層材料。在某些蝕刻處理期間，將該一或更多種氣體提供至處理腔室內兩個或兩個以上的區域。在這些應用中，使用主動式流量控制器(例如流量偵測器與基于偵測流量而受控制的流量控制器)來主動控制提供至處理腔室區域的一或更多種氣體的流量。然而，專利技術人觀察到在某些應用中，主動控制組件無法指示出測量流量在分流器控制路徑下游中的突然變化，專利技術人相信這與氣體混合及吸熱、放熱反應時所發生的熱反應有關，導致主動式流量偵測器會錯誤確定流量。此情形會因在不需校正時試圖校正氣體流量而不合意地導致產量變化或失敗，并在處理控制器預設處理腔室為失去控制時進ー步導致處理腔室的中斷。此外，專利技術人也進ー步觀察到主動式流量比例控制器中的一般處理偏差。或者是，可利用固定孔的組合來試圖控制提供至處理腔室區域之一或更多種氣體的流量。然而，專利技術人已觀察到這些固定孔組件尚無法有效針對具有動態(例如變化)比例需求的處理來提供多種流量比例。因此，專利技術人提出了控制氣體流量的改良方法與設備。
技術實現思路
本文提供了對ー處理腔室進行氣體傳送的方法與設備。在某些具體實施例中，處理基板設備包含流量控制器以提供所需的總氣體流量；第一流量控制歧管，該第一流量控制歧管包含第一入口、第一出口、及選擇性連接于該第一入口與該第一出口之間的多個第一孔，其中該第一入口連接至該流量控制器；以及第二流量控制歧管，該第二流量控制歧管包含第二入ロ、第二出口、及選擇性連接于該第二入ロ與該第二出ロ之間的多個第二孔，其中該第二入口連接至該流量控制器。其中通過選擇性使流體流經該第一歧管的該多個第一孔中的一或更多第一孔以及該第二歧管的該多個第二孔中的一或更多第二孔而可選擇性獲得在該第一出口與該第二出ロ之間的所需流量比例。在某些具體實施例中，一種用于控制對多個氣體傳送區域之氣體分布的方法系包含選擇第一氣體傳送區域與第二氣體傳送區域之間的所需氣體的所需流量比例；自選擇性連接至該第一氣體傳送區域的多個第一孔中確定第一選擇集合，且自選擇性連接至該第ニ氣體傳送區域的多個第二孔中確定第二選擇集合，以便可提供該所需流量比例；以及使該所需氣體通過該第一與第二選擇集合的孔而流至該第一與第二氣體傳送區域。對本專利技術之其它與進一歩具體實施例說明如下。附圖說明以上簡述的本專利技術具體實施例將于本文中詳細說明，可參照附圖中所描述的本專利技術具體實施例來加以了解。然應注意，附圖僅說明了本專利技術的一般具體實施例，因此其不應被視為對專利技術范圍的限制；本專利技術允許有其它等效的具體實施例。圖I說明根據本專利技術某些具體實施例的示例氣體分布系統的示意圖。圖2A-2C分別說明了根據本專利技術某些具體實施例、與圖I的氣體分布系統連接的氣體傳送區域的部分示意圖。圖3說明了根據本專利技術某些具體實施例的用于使氣體分為所需流量比例的流程圖。圖4說明了根據本專利技術某些具體實施例的用于使氣體分為所需流量比例的流程 圖。圖5說明了根據本專利技術某些具體實施例的用于使氣體分為所需流量比例的流程圖。圖6說明了適合與本專利技術的具體實施例一起使用的控制器。為助于理解，已盡可能使用相同的組件符號來表示圖式中相同的組件；這些圖式并未按比例繪制，且已經簡化以求清晰。應了解ー個具體實施例的組件與特征可有利地合并于其它具體實施例中，而無須進ー步說明。具體實施例方式本專利技術的具體實施例提供了一種用于傳送氣體至腔室的氣體分布系統與其使用方法。本專利技術設備與方法系有利地以所需流量比例對處理腔室提供氣體傳送。該設備以被動方式提供、而未使用主動式流量控制。特別是，本專利技術設備利用排列在兩流量控制歧管中的多個精確孔，該流量控制歧管可選擇性地連接于氣體來源與所需氣體傳送區域之間。本專利技術的具體實施例更提供了確定正確孔大小的方法以被動地保持氣阻流動條件供適當傳導控制來利用，同時選擇孔大小以被動地保持上游壓カ為夠低以避免低蒸汽壓カ氣體在上游凝結。因此，本專利技術方法與設備系有利地提供及選擇孔的大小以得到所需流量比例，且可進ー步助于在各孔間的選擇以同時針對氣體流量的特定組合提供氣阻流動條件，并使上游壓カ達最小以避免低蒸汽壓カ氣體的相態改變，且可進ー步在無法達到特定比例時提供指示，無論是因無法保持氣阻流動所致、或是因超過為避免流過氣體分布系統的處理氣體的相態改變所需的上游壓カ所致。本專利技術的具體實施例提供了一種氣體分布系統，該氣體分布系統被動地將流經其間的氣體分為所需流量比例。該設備系基于通過孔的流量系直接與截面積成比例的基本原理，當氣體流在兩孔(其中一者的截面積為另ー者的兩倍大)之間分流時，流量的比例即2 I。然而，該原理系基于兩孔都有同樣的上游與下游壓力。在本專利技術中，連接至設備的不同氣體傳送區域(例如噴淋頭、不同處理腔室等的區域)會具有不同的傳導率或流動阻力，因此下游壓カ可能會不一樣。在某些具體實施例中，專利技術人已經通過將該設備設計為總是在氣阻流動條件(例如上游壓カ等于下游壓カ的至少兩倍)下操作而消除了此問題；若流動產生氣阻，則流量將僅為上游壓カ的函數。舉例而言，圖I說明了根據本專利技術某些具體實施例的示例氣體分布系統100的示意圖。雖然在圖I中所描述的系統基本上是與將ー氣體流量提供至兩個氣體傳送區域(例如126、128)有關，但該系統系可根據本文所掲示的原理而擴充為可對其他氣體傳送區域(例如142，如虛線所示)提供氣體流量。該氣體分布系統100 —般包含一或更多流量控制器(圖中圖示出ー個流量控制器104)、第一流量控制歧管106、與第二流量控制歧管108 (其它流量控制歧管系以類似于本文所述般配置，如以虛線表示的組件140)。流量控制器104—般系連接至氣體分布平板102，該氣體分布平板102提供了一或更多氣體或氣相混合物(在本文中以及在申請專利范圍皆統稱為“氣體”)。流量控制器104控制氣體通過氣體分布設備100的總流率，且其連接至第一與第二流量控制歧管106、108兩者的各別入口處。雖僅圖示出ー個流量控制器104，但可有多個流量控制器連接至氣體分布平板102，以 測量來自氣體分布平板102的各別處理氣體。所述ー或更多流量控制器104的輸出一般系于分流及引導至各流量控制歧管(例如106、108)前即連接(例如饋入共同導管、混合器、風管等或其組合中)。 第一流量控制歧管106包含多個第一孔110與多個第一控制閥112，該多個第一孔110與多個第一控制閥112連接于第一流量控制歧管106的入口 114與出口 116之間。多個第一控制閥112系選擇性開啟或關閉，以選擇性地使多個第一孔110中一或更多者連接至流量控制器104的輸出(例如使氣體從流量控制器104流經選擇的第一孔110)。同樣地，第二流量控制歧管108包含多個第二孔118與多個第二控制閥120，該多個第二孔118與多個第二控制閥120連接于第二流量控制歧管108的入口 122與出口 124之間。多個第二控制閥120本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發人員：詹姆斯·P·克魯斯，伊茲拉·羅伯特·高德，杰瑞德·阿哈默德·里，明·徐，克里·林恩·柯布，安德魯·源，約翰·W·雷恩，
申請(專利權)人：應用材料公司，
類型：
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。