四氧化三鈷微-納復合結構陣列及其制備方法技術

本發明專利技術公開了一種四氧化三鈷微-納復合結構陣列及其制備方法。陣列為導電襯底上置有松散排列的四氧化三鈷碗陣列或四氧化三鈷空心球陣列，構成碗陣列或空心球陣列的碗或空心球之間的導電襯底表面覆有網狀四氧化三鈷片，四氧化三鈷碗的碗口直徑為1～30μm，壁厚為10～100nm，其由網狀四氧化三鈷片組成，四氧化三鈷空心球的內直徑為1～30μm，殼厚為20～300nm，其由網狀四氧化三鈷片組成，網狀四氧化三鈷片厚為5～20nm；方法為先將其上置有單層膠體晶體模板的導電襯底置于等離子刻蝕機中刻蝕至少10min，再將其置于鈷電解液中，于電流密度為2～50μA/cm2下電沉積10～50min或55min～4h后，將其置于溶劑中去除模板，制得目標產物。它可用于磁器件以及電化學反應腔載體上。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種四氧化三鈷微？納復合結構陣列，包括導電襯底，其特征在于：所述導電襯底上置有松散排列的四氧化三鈷碗陣列或四氧化三鈷空心球陣列，所述構成四氧化三鈷碗陣列的四氧化三鈷碗之間或構成四氧化三鈷空心球陣列的四氧化三鈷空心球之間的導電襯底表面覆有網狀四氧化三鈷片；所述四氧化三鈷碗的碗口直徑為1～30μm，碗壁厚為10～100nm，其由網狀四氧化三鈷片組成；所述四氧化三鈷空心球的內直徑為1～30μm，球殼厚為20～300nm，其由網狀四氧化三鈷片組成；所述網狀四氧化三鈷片的片厚為5～20nm。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：段國韜，李越，羅媛媛，劉廣強，蔡偉平，
申請(專利權)人：中國科學院合肥物質科學研究院，
類型：發明
國別省市：