本發(fā)明專利技術(shù)公開一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，其包括有：熔斷器、雙向可控硅及穩(wěn)壓管，所述熔斷器的第一端為電源端，其第二端為供電輸出端，該第二端還通過第一電阻而連接至穩(wěn)壓管的陰極，該穩(wěn)壓管的陽極通過第二電阻接地，所述熔斷器的第二端還連接雙向可控硅的第一極，所述雙向可控硅的第二極接地，其控制極連接至穩(wěn)壓管的陽極。本發(fā)明專利技術(shù)不僅避免了電路欠壓還降低了產(chǎn)品成本。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及驅(qū)動電源領(lǐng)域，尤其涉及一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路。
技術(shù)介紹
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步及社會的發(fā)展，越來越多的電子產(chǎn)品走進(jìn)人們的日常生活。特別是隨著小家電產(chǎn)品的種類及數(shù)量的增加，電源適配器產(chǎn)業(yè)逐漸興起，實(shí)際應(yīng)用中，電源過流、反接、過壓等現(xiàn)象造成電子產(chǎn)品損壞的問題也日益凸顯。于是，人們在設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品時，不得不去設(shè)計(jì)一些保護(hù)電路以防止過壓過流及反接的情況發(fā)生。其中，過流是指電流過大，超過電路的額定電流的情況。現(xiàn)在主要防止過流的方法是在電路上加保險絲，保險絲上都有額定的電流，當(dāng)電路電流超過保險絲的額定電流時，保險絲會熔斷，形成斷路，從而保護(hù)電路中的電子元器件。反接是指電源適配器正負(fù)極接反的情況，一般防止反接的辦法是在電路中加二極管，利用二極管的單向?qū)щ姷奶匦远种品聪螂娏鞯牧鬟^，但是采用這種方法時，二極管上會有壓降的損耗，該損耗會隨著電流的增加而增大，在電流較大的電路中，有可能會因?yàn)閴航堤蠖斐呻娐诽幱谇穳旱那闆r。過壓是指輸入電壓超過額定輸入電壓的情況，現(xiàn)有技術(shù)中常采用過壓保護(hù)芯片而穩(wěn)定浪涌電壓，當(dāng)電壓輸入持續(xù)過高時，可將電路斷開以保護(hù)電子元件，但是，過壓保護(hù)芯片的價格較高，增加了企業(yè)成本。因此，現(xiàn)有的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路存在電路欠壓及成本較高的缺陷。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)要解決的技術(shù)問題在于，提供一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，從而避免電路欠壓及降低產(chǎn)品成本。為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)采用如下技術(shù)方案。一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，其包括有熔斷器、雙向可控硅及穩(wěn)壓管，所述熔斷器的第一端為電源端，其第二端為供電輸出端，該第二端還通過第一電阻而連接至穩(wěn)壓管的陰極，該穩(wěn)壓管的陽極通過第二電阻接地，所述熔斷器的第二端還連接雙向可控硅的第一極，所述雙向可控硅的第二極接地，其控制極連接至穩(wěn)壓管的陽極。優(yōu)選地，所述熔斷器為自恢復(fù)型保險絲。優(yōu)選地，所述穩(wěn)壓管的鉗位電壓為12V。優(yōu)選地，所述第一電阻與第二電阻的電阻值相等。優(yōu)選地，所述電源端還通過第一電容接地。優(yōu)選地，所述第二電阻還并聯(lián)有第二電容。本專利技術(shù)公開的一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路中，當(dāng)電路過流時，熔斷器熔斷以令電路呈斷路狀態(tài)。當(dāng)電源端與地反接時，雙向晶閘管的控制極與第二極均為高電位，雙向晶閘管導(dǎo)通，熔斷器因電路短路而熔斷，從而實(shí)現(xiàn)了對電源端與地反接時的保護(hù)，這種保護(hù)方法，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用二極管抑制反向電流的保護(hù)方式，避免了因二極管的壓降損耗而造成的電路欠壓。當(dāng)電源端的輸入電壓過高時，穩(wěn)壓管反向擊穿，且通過第一電阻及第二電阻的分壓作用，使第二電阻產(chǎn)生電壓，當(dāng)該電壓達(dá)到雙向可控硅的觸發(fā)電壓時，雙向可控硅因?qū)ǘ鴮㈦娫炊伺c地短路，此時，熔斷器因電流過大而熔斷，從而實(shí)現(xiàn)了過壓保護(hù)，這種保護(hù)方法，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用過壓保護(hù)芯片的保護(hù)方式，降低了產(chǎn)品成本。因此，本專利技術(shù)不僅避免了電路欠壓還降低了產(chǎn)品成本。附圖說明圖I為本專利技術(shù)的電路原理圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本專利技術(shù)作更加詳細(xì)的說明。·本專利技術(shù)公開一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，如圖I所示，其包括有熔斷器FU1、雙向可控硅Ql及穩(wěn)壓管D1，所述熔斷器FUl的第一端為電源端VIN，其第二端為供電輸出端VCC，該第二端還通過第一電阻Rl而連接至穩(wěn)壓管Dl的陰極，該穩(wěn)壓管Dl的陽極通過第二電阻R2接地，所述熔斷器FUl的第二端還連接雙向可控硅Ql的第一極，所述雙向可控硅Ql的第二極接地，其控制極連接至穩(wěn)壓管Dl的陽極。上述電路結(jié)構(gòu)中，電源適配器的輸出電流及電壓經(jīng)本專利技術(shù)保護(hù)后通過供電輸出端VCC而為電子產(chǎn)品供電。本專利技術(shù)中，當(dāng)電路過流時，熔斷器FUl熔斷以令電路呈斷路狀態(tài)。當(dāng)電源端VIN與地反接時，雙向晶閘管Ql的控制極與第二極均為高電位，雙向晶閘管Ql導(dǎo)通，熔斷器FUl因電路短路而熔斷，從而實(shí)現(xiàn)了對電源端VIN與地反接時的保護(hù)，這種保護(hù)方法，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用二極管抑制反向電流的保護(hù)方式，避免了因二極管的壓降損耗而造成的電路欠壓。當(dāng)電源端VIN的輸入電壓過高時，穩(wěn)壓管Dl反向擊穿，且通過第一電阻Rl及第二電阻R2的分壓作用，使第二電阻R2產(chǎn)生電壓，當(dāng)該電壓達(dá)到雙向可控硅Ql的觸發(fā)電壓時，雙向可控硅Ql因?qū)ǘ鴮㈦娫炊薞IN與地短路，此時，熔斷器FUl因電流過大而熔斷，從而實(shí)現(xiàn)了過壓保護(hù)，這種保護(hù)方法，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用過壓保護(hù)芯片的保護(hù)方式，降低了產(chǎn)品成本。因此，本專利技術(shù)不僅避免了電路欠壓還降低了產(chǎn)品成本。本實(shí)施例中，如圖I所示，熔斷器FUl為自恢復(fù)型保險絲，所以，具體應(yīng)用時，不必反復(fù)更換熔斷器FUl。穩(wěn)壓管Dl的鉗位電壓為12V，第一電阻Rl與第二電阻R2的電阻值相等。若電源端VIN的輸入電壓為VI，則第二電阻R2的壓降VR2= (VI-12V) *R2/ (R1+R2)，由于第一電阻Rl與第二電阻R2的阻值相等，所以VR2= (VI-12V)/2，本實(shí)施例中，當(dāng)輸入電壓高于15V時，則VR2高于1.5V而令雙向可控硅Ql導(dǎo)通，因此，本實(shí)施例可實(shí)現(xiàn)當(dāng)電源端VIN的輸入電壓高于15V時的過壓保護(hù)。但是，在本專利技術(shù)的其他實(shí)施例中，穩(wěn)壓管Dl的鉗位電壓還可以是其他數(shù)值，而第一電阻Rl及第二電阻R2的電阻值也可以不相等，其中第一電阻Rl的阻值可以是零歐姆也可以是其他數(shù)值。 如圖I所示，電源端VIN還通過第一電容Cl接地，第二電阻R2還并聯(lián)有第二電容C2。其中，第一電容Cl及第二電容C2用于濾除高頻雜波以避免本專利技術(shù)的誤啟動。本專利技術(shù)公開的一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用二極管抑制反向電流的保護(hù)方式，避免了因二極管的壓降損耗而造成的電路欠壓。同時，相比現(xiàn)有的采用過壓保護(hù)芯片的保護(hù)方式，還降低了產(chǎn)品的成本。 以上所述只是本專利技術(shù)較佳的實(shí)施例，并不用于限制本專利技術(shù)，凡在本專利技術(shù)的技術(shù)范圍內(nèi)所做的修改、等同替換或者改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本專利技術(shù)所保護(hù)的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，其特征在于，其包括有熔斷器(FU1)、雙向可控硅(Ql)及穩(wěn)壓管(D1)，所述熔斷器(FUl)的第一端為電源端(VIN)，其第二端為供電輸出端(VCC)，該第二端還通過第一電阻(Rl)而連接至穩(wěn)壓管(Dl)的陰極，該穩(wěn)壓管(Dl)的陽極通過第二電阻(R2)接地，所述熔斷器(FUl)的第二端還連接雙向可控硅(Ql)的第一極，所述雙向可控硅(Ql)的第二極接地，其控制極連接至穩(wěn)壓管(Dl)的陽極。2.如權(quán)利要求I所述的基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述熔斷器(FUl)為自恢復(fù)型保險絲。3.如權(quán)利要求I所述的基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓管(Dl)的鉗位電壓為12V。4.如權(quán)利要求3所述的基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第一電阻(Rl)與第二電阻(R2)的電阻值相等。5.如權(quán)利要求I所述的基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述電源端(VIN)還通過第一電容(Cl)接地。6.如權(quán)利要求I所述的基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第二電阻(R2)還并聯(lián)有第二電容(C2)。全文摘要本專利技術(shù)公開一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，其特征在于，其包括有：熔斷器（FU1）、雙向可控硅（Q1）及穩(wěn)壓管（D1），所述熔斷器（FU1）的第一端為電源端（VIN），其第二端為供電輸出端（VCC），該第二端還通過第一電阻（R1）而連接至穩(wěn)壓管（D1）的陰極，該穩(wěn)壓管（D1）的陽極通過第二電阻（R2）接地，所述熔斷器（FU1）的第二端還連接雙向可控硅（Q1）的第一極，所述雙向可控硅（Q1）的第二極接地，其控制極連接至穩(wěn)壓管（D1）的陽極。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃善兵，翟建光，甘彥君，
申請(專利權(quán))人：深圳市新國都技術(shù)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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