電氣元件封裝體制造技術

有機EL元件封裝體(1)，其在內部空間氣密密封有有機EL層(2)，所述有機EL元件封裝體(1)具有：配置有有機EL層(2)的元件基板(3)、與元件基板(3)的有機EL層(2)側的表面隔著間隔對置的密封基板(4)、按照包圍有機EL層(2)的周圍的方式對元件基板(3)和密封基板(4)之間的間隙進行氣密密封的玻璃料(5)、以及配置于元件基板(3)和玻璃料(5)之間且用于保護電極不受熔接玻璃料(5)時所照射的激光的影響的保護膜。并且，保護膜例如為發(fā)揮用于反射激光的反射膜功能的介電體多層膜(8)，該介電體多層膜(8)由低折射率介電體層和高折射率介電體層交替層疊而成的層疊結構構成。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及為了防止因周圍環(huán)境的氧、水分等所致的劣化而對有機EL等對周圍環(huán)境非常敏感的電氣元件進行氣密密封的電氣元件封裝體。
技術介紹
眾所周知，有機EL顯示裝置(有機EL顯示器)目前已經進行了各種研究、開發(fā)，并且在用于手機等的小型顯示裝置等部分領域中已經達到了實用化。該有機EL顯示裝置中所使用的有機EL元件(有機EL層)為容易因暴露于周圍環(huán)境的氧、水分中而劣化的敏感元件。因此在實用化時，通過以將有機EL層氣密密封的狀 態(tài)組裝到有機EL顯示裝置中，而謀求該裝置的顯示品質的維持和長壽命化。作為氣密密封有有機EL層的有機EL元件封裝體，其結構通常為在配置有有機EL層的元件基板上，隔著間隔而對置配置密封基板，在該狀態(tài)下，按照包圍配置于元件基板的有機EL層的周圍的方式用玻璃料對元件基板和密封基板之間的間隙進行氣密密封。此時，從密封基板側照射激光而對玻璃料加熱并使其軟化，由此將玻璃料熔接在元件基板和密封基板上，形成氣密密封結構。但是，在對玻璃料照射激光時，可能會由于激光的照射熱而損傷從外部向有機EL層供電的電極(例如ITO電極)、有機EL層。其理由如下。即，在玻璃料的下部配置有用于從外部向有機EL層供電的電極。因此，若不采取任何對激光的照射熱的熱對策，則位于玻璃料的下部的電極會被激光的照射熱不適當地加熱而造成熱損傷，有時甚至會燒壞。此外，當如此地加熱電極時，該熱通過電極而傳導至有機EL層,還可能招致給有機EL層帶來熱損傷的情況。因此，在制作有機EL元件封裝體時，通常會采取各種防止激光的照射熱傳導至電極、有機EL層的熱對策。例如專利文獻1、2中公開了如下方案，即，在配置有有機EL元件的基板側配置將金屬層和用于改善粘接力的改善層重疊而成的層，將玻璃料熔接在改善層，從而使配置有有機EL層的基板和與其對置的基板接合。由此，即使在熔接玻璃料時照射激光，也可以通過金屬層來反射激光。因此，激光的照射熱不易傳導至與有機EL層連接的電極，可以期待防止電極、有機EL層的熱損傷的效果。現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2010-80341號公報專利文獻2 :日本特開2010-80339號公報
技術實現思路
專利技術要解決的課題但是，如專利文獻I和2所公開的那樣，在使用發(fā)揮用于反射激光的反射膜功能的金屬層時，若對金屬層直接溶接玻璃料，則無法充分維持兩者之間的粘接力。因此，必須在金屬層和玻璃料之間夾設用于改善粘接力的改善層。此外，在金屬層和與有機EL元件連接的電極接觸時，由于產生金屬層和電極彼此導通的問題，因此在金屬層和電極之間夾設絕緣層是必不可少的。因此，可能產生有機EL元件封裝體的設計自由度降低的問題。予以說明，上述以有機EL元件為例進行了說明，但有機EL元件以外的電氣元件也容易受外部環(huán)境的影響，只要是用玻璃料進行氣密密封而使用的裝置就可能產生同樣的問題。此外，不僅限于顯示裝置，在照明裝置、太陽能電池等其它領域中，在使用電氣元件封裝體時也可能產生同樣的問題。鑒于以上實際情況，本專利技術的技術課題在于，確保電氣元件封裝體的設計自由度并盡量減少因熔接玻璃料時所施加的激光的照射熱而損傷電極、電氣元件的情況。用于解決課題的手段為了解決上述課題而做出的本專利技術為一種電氣元件封裝體，其具有配置有電氣元件的元件基板、與該元件基板的所述電氣元件側的表面隔著間隔對置的密封基板、以及按照包圍所述電氣元件的周圍的方式對所述元件基板和所述密封基板之間的間隙進行氣密密封的玻璃料，所述電氣元件封裝體的特征在于，具有配置于所述元件基板和所述玻璃料之間、且用于保護電極不受熔接所述玻璃料時所照射的激光影響的保護膜。并且，本申請專利技術包括以下所示的第一專利技術和第二專利技術作為具體例。第一專利技術為一種電氣元件封裝體，其具有配置有電氣元件的元件基板、與該元件基板的所述電氣元件側的表面隔著間隔對置的密封基板、按照包圍所述電氣元件的周圍的方式對所述元件基板和所述密封基板之間的間隙進行氣密密封的玻璃料、以及配置于所述元件基板和所述玻璃料之間、用于反射熔接所述玻璃料時所照射的激光的反射膜，所述電氣元件封裝體的特征在于，所述反射膜由低折射率介電體層和高折射率介電體層交替層疊而成的介電體多層膜構成。根據這樣的方案，用于反射熔接玻璃料時所照射的激光的反射膜由低折射率介電體層和高折射率介電體層交替層疊而成的介電體多層膜形成。構成介電體多層膜的介電體層由于具有與玻璃料優(yōu)異的粘接性，因此即使不在介電體多層膜的基礎上另行設置新的僅僅用于提高與玻璃料的粘接力的粘接力改善層，也能使其良好地維持與玻璃料的粘接力。此外，構成介電體多層膜的介電體層不具有導電性，因此即使不另行設置絕緣層也能夠和與電氣元件連接的電極之間保持電絕緣。因此，另行設置用于改善與玻璃料的粘接力的粘接力改善層、絕緣層不再是必備條件，因此能夠確保電氣元件封裝體的設計自由度。此外，若為上述那樣的介電體多層膜，則可以通過調整低折射率介電體層和高折射率介電體層的各自的材料選擇和膜厚，從而能夠在所使用的激光的波長帶域容易地實現高反射率。因此，若在熔接燒料玻璃(frit glass)時照射激光，則激光被介電體多層膜可靠地反射至燒料玻璃側，可以有效地用于燒料玻璃的加熱。因此，盡量地減少透過介電體多層膜而照射到電極等的激光，由此能夠可靠地防止電極、電氣元件被激光不適當地加熱而導致熱損傷的情況。在上述方案中，既可以是介電體多層膜直接熔接在玻璃料上，也可以是在與電氣元件連接的電極上直接形成介電體多層膜。S卩，如上所述，介電體多層膜由于與玻璃料的粘接力高且具有絕緣性，因此可以直接熔接在玻璃料上或者直接形成在與電氣元件連接的電極上。而且，這種情況下電氣元件封裝體的構成更簡單，因此更容易制造。在上述方案中，優(yōu)選低折射率介電體層的折射率為I. 6以下且高折射率介電體層的折射率為1.7以上。這種情況下，低折射率介電體層和高折射率介電體層之間的折射率差得到適度地保持，可以良好地維持對激光的反射率。在上述方案中，優(yōu)選介電體多層膜對激光的反射率為50%以上。這種情況下，可以將熔接玻璃料時所照射的激光的大部分反射至玻璃料側，因此可以更加可靠地防止因激光的照射熱而損傷電極、電氣元件的情況。在上述方案中，玻璃料可以含有80 99. 7質量％的無機粉末和O. 3 20質量％的顏料，其中，所述無機粉末包含含SnO的玻璃粉末。在此，“含SnO的玻璃粉末”是指含有.20摩爾％以上的SnO作為玻璃組成的玻璃粉末。此外，“無機粉末”是指顏料以外的無機材料粉末，通常是指玻璃粉末和耐火性填料的混合物。這種情況下，玻璃料包含含SnO的玻璃粉末，因此玻璃粉末的軟化點降低，玻璃料整體的軟化點也降低。并且，若使該包含含SnO的玻璃粉末的無機粉末在上述數值范圍，則玻璃料的軟化點適度降低，因此能夠在短時間內完成利用激光的熔接(封接)，而且還可以提高其熔接強度。予以說明，無機粉末的含量少于80質量％時，通過激光進行熔接時，玻璃料的軟化流動變得不足，難以維持高熔接強度。此外，玻璃料含有O. 3 20質量％的顏料。當限定顏料的含量為0.3質量％以上時，玻璃料容易吸收激光，可以使激光的照射熱有效地作用于玻璃料。因此，容易僅對玻璃料中應熔接的部位進行局部加熱，能夠防止電極、電氣元件的熱損傷。另一方面，當將顏料的含本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：山崎康夫，白神徹，益田紀彰，櫻井武，山崎博樹，
申請(專利權)人：日本電氣硝子株式會社，
類型：
國別省市：