本發明專利技術提供一種中性色的雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃及鍍制工藝，該玻自玻璃基板向外的結構層依次為：玻璃/電介質層（1）/復合吸收層（1）/銅合金層（1）/銀層（1）/保護層（1）/復合電介質層（1）/銀層（2）/保護層（2）/電介質層（2）；采用真空磁控濺射鍍膜工藝，優點是，在原有復合結構中新增加一層銅合金層，能夠使其透過顏色呈中性色。并且，銅合金和銀的特性使得該玻璃對遠紅外線的放射率大大提高，即達到了低輻射的性能。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種中性色的雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃及工藝 特別是涉及鍍有金屬銅鍍層的雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃。
技術介紹
市場上目前的雙銀復合結構的低輻射鍍膜玻璃，在保證反射顏色呈中性色時，其透過顏色無法同時呈現中性色效果，從室內觀測室外情況，經常呈現出淡淡的綠色或者黃色。主要是因為這種雙銀產品其多層復合結構的光線干涉所造成的。
技術實現思路
本專利技術目的，為了能夠保持反射顏色不變的情況下，透射顏色呈中性色的雙層銀 的鍍膜玻璃，提供一種含有銅鋁合金層的雙銀復合結構的低輻射鍍膜玻璃及生產工藝。該玻璃膜層結構自玻璃基板向外依次為 電介質層(I)、復合吸收層(I)、銅合金層(I)、銀層(I)、保護層(I)、復合電介質層(I)、銀層(2)、保護層(2)、電介質層(2)； 其中電介質層(I)為SiNx,膜層厚度為 25nm 50nm; 復合吸收層(I)為在NiCr鍍層上再鍍陶瓷ZnOx層，總膜層厚度為12nnTl4nm; 銅鋁合金層(I)為CuAlNx層，膜層厚度為2 IOnm; 銀層(I)、(2)為Ag,膜層厚度為5nnTl5nm; 保護層(I)、(2)為NiCr，膜層厚度為OnnTHnm; 復合電介質層(I)為在ZnO鍍層上再依次鍍SnO2層、ZnO層結構，總膜層厚度為50nm 110nm; 電介質層(2)為Si3N4，膜層厚度為35nnT50nm。所述銅鋁合金層，在該多層復合膜層結構中，其位置位于電介質層(I)和(2 )之間的任何位置。所述銅鋁合金層，為鍍制的氮化銅鋁合金。本專利技術采用真空磁控濺射鍍膜工藝，各膜層的鍍制工藝是 電介質層(1)，通過交流陰極的錫靶在氧氬氛圍中濺射； 復合吸收層(I )，通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射鎳鉻合金，其中Ni : Cr=80:20，并在鎳鉻合金上鍍有由交流陰極的ZnO靶濺射的ZnO層，其氬氧比例保持在20 :1. 5 ；銅鋁合金層(I)，通過直流銅鋁合金平靶在氬氮氛圍中濺射氮化銅鋁合金層； 銀層(1)、(2)，通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射； 保護層(I)、(2)，通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射鎳鉻合金，其中Ni:Cr=80:20 ； 復合電介質層(1)，通過交流陰極的鋅鋁靶、氧化錫靶、鋅鋁靶在氧氬氛圍中濺射； 電介質層(2 )，通過交流陰極的硅鋁合金靶在氮氬氛圍中濺射， 硅鋁合金之比為Si:Al=90:10。本專利技術優點是，在保證原先雙銀低輻射鍍膜玻璃性能的基礎上，其透射顏色呈中性色。并且，銅合金和銀的特性使得該玻璃對遠紅外線的放射率大大提高，即達到了低輻射的性能。具體實施例方式本專利技術用平板玻璃雙端連續式鍍膜機進行生產，其中一種優選的工藝方案，使用6個交流雙靶，6個直流單靶，共12個靶位進行生產，制出本專利技術的中性色的雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃。其工藝參數和靶的位置列表如 下權利要求1.一種中性色的雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，其特征在于在玻璃基板鍍制包含有復合吸收層在內的多層膜層的結構，各膜層結構，自玻璃基板向外依次為 電介質層(I)、復合吸收層(I)、銅合金層(I)、銀層(I)、保護層(I)、復合電介質層(I)、銀層(2)、保護層(2)、電介質層(2)； 其中電介質層(I)為SiNx,膜層厚度為 25nm 50nm; 復合吸收層(I)為在NiCr鍍層上再鍍陶瓷ZnOx層，總膜層厚度為12nnTl4nm; 銅鋁合金層(I)為CuAlNx層，膜層厚度為2 IOnm ； 銀層(I)、(2)為Ag,膜層厚度為 5nnTl5nm; 保護層(I)、(2)為NiCr，膜層厚度為OnnTHnm; 復合電介質層(I)為在ZnO鍍層上再依次鍍SnO2層、ZnO層結構，總膜層厚度為50nm 110nm; 電介質層(2)為Si3N4，膜層厚度為35nnT50nm。2.根據權利要求I所述的中性色的雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述銅鋁合金層，在該多層復合膜層結構中，其位置位于電介質層(I)和(2)之間的任何位置。3.根據權利要求2所述的中性色的雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述銅鋁合金層，為鍍制的氮化銅鋁合金。4.按權利要求I所述中性色的雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃的鍍制工藝，各膜層的鍍制工藝是 電介質層(1)，通過交流陰極的錫靶在氧氬氛圍中濺射； 復合吸收層(I )，通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射鎳鉻合金，其中Ni : Cr=80:20，并在鎳鉻合金上鍍有由交流陰極的ZnOx靶濺射的ZnOx層，其氬氧比例保持在20 :1. 5 ； 銅鋁合金層(I)，通過直流銅鋁合金平靶在氬氮氛圍中濺射氮化銅鋁合金層； 銀層(I)、( 2 )，通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射； 保護層(I )、(2)，通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射鎳鉻合金，其中Ni : Cr=80:20 ； 復合電介質層(1)，通過交流陰極的鋅靶、錫靶、鋅靶在氧氬氛圍中濺射； 電介質層(2 )，通過交流陰極的硅鋁合金靶在氮氬氛圍中濺射， 硅鋁合金之比為Si:Al=90:10。全文摘要本專利技術提供一種中性色的雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃及鍍制工藝，該玻自玻璃基板向外的結構層依次為玻璃/電介質層(1)/復合吸收層(1)/銅合金層(1)/銀層(1)/保護層(1)/復合電介質層(1)/銀層(2)/保護層(2)/電介質層(2)；采用真空磁控濺射鍍膜工藝，優點是，在原有復合結構中新增加一層銅合金層，能夠使其透過顏色呈中性色。并且，銅合金和銀的特性使得該玻璃對遠紅外線的放射率大大提高，即達到了低輻射的性能。文檔編號B32B33/00GK102898041SQ2012104303公開日2013年1月30日 申請日期2012年11月1日 優先權日2012年11月1日專利技術者陳波, 吳斌, 孫大海, 葛劍君, 董華明 申請人:上海耀皮玻璃集團股份有限公司, 上海耀皮工程玻璃有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種中性色的雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：在玻璃基板鍍制包含有復合吸收層在內的多層膜層的結構，各膜層結構，自玻璃基板向外依次為：電介質層（1）、復合吸收層（1）、銅合金層（1）、銀層（1）、保護層（1）、復合電介質層（1）、銀層（2）、保護層（2）、電介質層（2）；其中：電介質層（1）為SiNx，膜層厚度為？？？25nm～50nm;？？？？？？復合吸收層（1）為在NiCr鍍層上再鍍陶瓷ZnOx層，總膜層厚度為12nm~14nm;銅鋁合金層（1）為CuAlNx層，膜層厚度為2~10nm；銀層（1）、（2）為Ag，膜層厚度為？？？？5nm~15nm;保護層（1）、（2）為NiCr，膜層厚度為？？0nm~14nm;？？？？？？復合電介質層（1）為在ZnO鍍層上再依次鍍SnO2層、ZnO層結構，總膜層厚度為？50nm~110nm;？？？？？？？？電介質層（2）為Si3N4，膜層厚度為？35nm~50nm。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳波，吳斌，孫大海，葛劍君，董華明，
申請(專利權)人：上海耀皮玻璃集團股份有限公司，上海耀皮工程玻璃有限公司，
類型：發明
國別省市：
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