本發(fā)明專利技術(shù)公開一種封裝基板及其制造方法，所述封裝基板包含：一第一介電層；至少一第一導(dǎo)電柱，形成于所述第一介電層內(nèi)；一種子層，覆蓋于所述第一介電層的一上表面，并對應(yīng)所述第一導(dǎo)電柱形成至少一開口；一第一電路層，形成于所述種子層上，并通過所述開口與所述第一導(dǎo)電柱電性連接，且所述第一電路層與所述種子層對應(yīng)排列設(shè)置。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù) 是有關(guān)于一種，特別是有關(guān)于一種可增加層間導(dǎo)通孔結(jié)合可靠度的。
技術(shù)介紹
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度及微型化的封裝需求，以供更多有源、無源元件及電路載接，半導(dǎo)體封裝亦逐漸由雙層電路發(fā)展出多層電路板(multi-layercircuit board),在有限空間下利用層間連接技術(shù)(Interlayerconnection)以擴大半導(dǎo)體封裝基板(substrate)上可供運用的電路布局面積，以達到高電路密度之積體電路需要，降低封裝基板的厚度，以在相同基板單位面積下容納更大量的電路及電子元件?！愣鄬与娐贩庋b基板主要由多個電路層(circuit layer)及多個介電層(dielectric layer)交替迭合所構(gòu)成。通常電路層是由銅箔層電鍍搭配圖案化光刻膠的工藝所制成；而介電層形成于電路層之間，用以保護并隔開各個電路層；且各電路層可通過介電層中的導(dǎo)電柱而彼此電性連接。在一現(xiàn)有電路層制作工藝中，為了電鍍上銅箔作為電路層，在介電層上通常先形成一厚度較薄的種子層(由次微米級的導(dǎo)電粒子所組成，一般是由金屬粒子所組成)，其可利用無電鍍(化學鍍)、物理沉積或濺鍍等方式形成。之后，再利用電鍍的方式和圖案化光刻膠層在所述種子層上以形成電鍍銅為電路層；接著，同樣再利用電鍍方式和導(dǎo)電柱圖案光刻膠層，在電路層上以形成至少一導(dǎo)電柱。在上述的電路基板中，雖然種子層與電路層及導(dǎo)電柱的材質(zhì)可以均為銅，但以微結(jié)構(gòu)的角度而言，種子層是由次微米級的導(dǎo)電粒子所組成，其微結(jié)構(gòu)可能受溫度變化的影響而產(chǎn)生變化進而強度會改變。因此當電路基板在后續(xù)封裝工藝及最終產(chǎn)品的使用狀態(tài)時，所產(chǎn)生的熱效應(yīng)會導(dǎo)致種子層與電路層及導(dǎo)電柱接觸的部分受到熱應(yīng)力(thermal stress)的破壞而易產(chǎn)生剝離或裂縫。而上述的剝離或裂縫現(xiàn)象會造成導(dǎo)電柱和電路層間接觸不良，容易造成二者之間電性連接劣化，進而降低電路基板的結(jié)構(gòu)可靠度(reliability)。故，有必要提供一種，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
有鑒于此，本專利技術(shù)提供一種，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的電路基板結(jié)構(gòu)可靠度的問題。本專利技術(shù)的主要目的在于提供一種，其利用種子層在和導(dǎo)電柱連接的位置處形成一開口，進而使得電路層及導(dǎo)電柱之間的電性連接結(jié)構(gòu)更可靠，并可以確保后續(xù)芯片的信號傳輸效果。為達成本專利技術(shù)的前述目的，本專利技術(shù)一實施例提供一種封裝基板，其中所述封裝基板包含一第一介電層、至少一第一導(dǎo)電柱、一種子層及一第一電路層。所述第一導(dǎo)電柱形成于所述第一介電層內(nèi)。所述種子層覆蓋于所述第一介電層的一上表面，并對應(yīng)所述第一導(dǎo)電柱形成至少一開口。所述第一電路層形成于所述種子層上，并通過所述開口與所述第一導(dǎo)電柱電性連接，且所述第一電路層與所述種子層對應(yīng)排列設(shè)置。再者，本專利技術(shù)另一實施例提供另一種封裝基板的制造方法，其中所述制造方法包含以下步驟(a)提供一第一介電層，所述第一介電層中具有至少一第一導(dǎo)電柱；(b)于所述第一介電層上形成一種子層；(C)通過激光照射，使所述第一種子層對應(yīng)所述第一導(dǎo)電柱形成至少一開口 ；(d)在所述種子層上電鍍形成一第一電路層，所述第一電路層通過所述開口與所述第一導(dǎo)電柱電性連接；以及(e)移除未被所述第一電路層覆蓋的所述種子層，使得所述種子層與所述第一電路層對應(yīng)排列設(shè)置。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本專利技術(shù)的封裝構(gòu)造，這樣不但可使電路層及導(dǎo)電柱之間的電性連接結(jié)構(gòu)更可靠，還可以確保芯片的信號傳輸效果。為讓本專利技術(shù)的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下·附圖說明圖I是一本專利技術(shù)一實施例封裝基板的剖面不意圖。圖2是本專利技術(shù)另一實施例封裝基板的剖面示意圖。圖3A-3G是以剖面示意圖的方式表示本專利技術(shù)一實施例制造方法的步驟。具體實施例方式以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本專利技術(shù)可用以實施的特定實施例。再者，本專利技術(shù)所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「頂」、「底」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」、「周圍」、「中央」、「水平」、「橫向」、「垂直」、「縱向」、「軸向」、「徑向」、「最上層」或「最下層」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本專利技術(shù)，而非用以限制本專利技術(shù)。請參照圖I所示，本專利技術(shù)一實施例的封裝基板I主要包含一第一介電層10a、至少一第一導(dǎo)電柱11a、一第二電路層12、一種子層13’、一第一電路層14、一第二介電層IOb及至少一第二導(dǎo)電柱lib。所述第一導(dǎo)電柱Ila形成于所述第一介電層IOa內(nèi)。所述第二電路層12形成于所述第一介電層IOa的一下表面,并與所述第一導(dǎo)電柱Ila電性連接。所述種子層13’覆蓋于所述第一介電層IOa的一上表面，并對應(yīng)所述第一導(dǎo)電柱Ila形成至少一開口 130。所述第一電路層14形成于所述種子層13’上，并通過所述開口 130與所述第一導(dǎo)電柱Ila電性連接，且所述第一電路層14與所述種子層13’對應(yīng)排列設(shè)置。所述第二介電層IOb覆蓋于所述第一介電層IOa及所述第一電路層14上。所述第二導(dǎo)電柱Ilb形成于第二介電層IOb內(nèi)，并與所述第一電路層14電性連接。請再參照圖I所示，本實施例的第一介電層IOa的材料可為絕緣樹脂材料，例如玻璃纖維層經(jīng)過含浸環(huán)氧樹脂(epoxy)并干燥硬化后所制成的B階化膠片(B-stagepr印reg)，其利用其在高溫高壓中的再熔膠以及流膠特性，壓合在一承載板或工作臺上，接著再次加熱固化即可得到所述第一介電層10a，所述第一介電層IOa的高度約介于30至150微米之間，但并不限于此。在本實施例中，所述至少一第一導(dǎo)電柱Ila是預(yù)先以電鍍搭配圖案化光刻膠的工藝形成的，接著才被包埋在所述第一介電層IOa內(nèi)，所述第一導(dǎo)電柱I Ia的橫截面的形狀可選自圓形，三角形或多邊形等，其表面可用作打線表面、植球表面或是層間導(dǎo)通；再者，所述第一介電層IOa的一表面(如下表面)可選擇以類似工藝預(yù)先形成所述第二電路層12。所述第一介電層IOa及第一導(dǎo)電柱Ila的材質(zhì)例如為銅、鎳、金、銀或鋁等，但并不限于此。所述第一導(dǎo)電柱Ila的高度約介于20至100微米之間，但并不限于此。所述第二電路層12的厚度通常明顯小于所述第一導(dǎo)電柱Ila的高度。所述第二電路層12在此可做為一外電路層，并與所述第一導(dǎo)電柱Ila電性連接。在本實施例中，所述種子層13’由次微米級的導(dǎo)電粒子所組成，一般是由金屬粒子所組成，例如為銅，及所述種子層13’的厚度等于或小于I微米。所述種子層13’是以無電鍍(化學鍍)、物理沉積或濺鍍等方式形成覆蓋于所述第一介電層IOa上，并對應(yīng)所述第一導(dǎo)電柱IIa形成至少一開口 130。所述開口 130的面積可以等于或小于所述第一導(dǎo)電柱IIa的橫截面積。 在本實施例中，所述第一電路層14是以電鍍搭配圖案化光刻膠的工藝形成于所述種子層13’上，并通過所述開口 130與所述第一導(dǎo)電柱Ila電性連接。所述第一電路層14的材質(zhì)例如為銅、鎳、金、銀或鋁等，但并不限于此。在本實施例中，相似的，所述第二介電層IOb的材料同樣可為絕緣樹脂材料，例如玻璃纖維層經(jīng)過含浸環(huán)氧樹脂并干燥硬化后所制成的B階化膠片，其利用其在高溫高壓中的再熔膠以及流膠特性，壓合在所述第一電路層14及第一介電層IOa上，接著再次加熱固化即可得到所本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種封裝基板，其特征在于：所述封裝基板包含：？一第一介電層；？至少一第一導(dǎo)電柱，形成于所述第一介電層內(nèi)；？一種子層，覆蓋于所述第一介電層的一上表面，并對應(yīng)所述第一導(dǎo)電柱形成至少一開口；以及？一第一電路層，形成于所述種子層上，并通過所述開口與所述第一導(dǎo)電柱電性連接，且所述第一電路層與所述種子層對應(yīng)排列設(shè)置。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種封裝基板，其特征在于所述封裝基板包含 一第一介電層; 至少一第一導(dǎo)電柱，形成于所述第一介電層內(nèi)； 一種子層，覆蓋于所述第一介電層的一上表面，并對應(yīng)所述第一導(dǎo)電柱形成至少一開口 ；以及 一第一電路層，形成于所述種子層上，并通過所述開口與所述第一導(dǎo)電柱電性連接，且所述第一電路層與所述種子層對應(yīng)排列設(shè)置。2.如權(quán)利要求I所述的封裝基板，其特征在于所述開口的面積等于或小于所述第一導(dǎo)電柱的橫截面積。3.如權(quán)利要求I所述的封裝基板，其特征在于所述開口為激光燒灼開口。4.如權(quán)利要求I所述的封裝基板，其特征在于所述種子層的厚度等于或小于I微米。5.如權(quán)利要求I所述的封裝構(gòu)造，其特征在于所述的封裝構(gòu)造另包含一第二介電層，覆蓋于所述第一介電層及所述第一電路層上；以及 至少一第二導(dǎo)電柱，形成于第二介電層內(nèi)，并與所述第一電路層電性連接。6.如權(quán)利要求I或5所述的封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一導(dǎo)電柱及所述第二導(dǎo)電柱的高度介于20至100微米之間。7.如權(quán)利要求I或5所述的封裝基板，所述第一導(dǎo)電柱或所述第二導(dǎo)電柱的橫截面的形狀選自圓形，三角形或多邊形。8.如權(quán)利要求I所述的封裝構(gòu)造，其特征在于所述的封裝構(gòu)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王德峻，黃建華，羅光淋，方仁廣，
申請(專利權(quán))人：日月光半導(dǎo)體上海股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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