本發(fā)明專利技術(shù)涉及真空器件的真空保持技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種用于真空器件的真空保持系統(tǒng)，所述真空保持系統(tǒng)包括：吸氣劑元件、固定部和真空閥，所述吸氣劑元件安裝在所述固定部上，所述真空閥連接于所述固定部與所述真空器件之間。本發(fā)明專利技術(shù)所設(shè)計的真空保持系統(tǒng)體積小，成本低。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及真空器件的真空保持
，特別是涉及一種用于真空器件的真空保持系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
在科技飛速發(fā)展的今天，許多儀器設(shè)備對真空的要求越來越高，真空設(shè)備在長途運輸過程中需要保持一定的真空度，如果沒有真空保持系統(tǒng)，真空設(shè)備會收到環(huán)境大氣的污染；應付突發(fā)事件的真空儀器在貯存過程中不可能持續(xù)供電，如果沒有真空保持系統(tǒng)，儀器就不具備應對突發(fā)事件的能力，所以設(shè)計一套完備的真空保持系統(tǒng)是非常必要的。 真空保持系統(tǒng)可廣泛應用在各類民用、軍用電子管及真空器件中，更適用于各種高壓及振動條件下要求高可靠性的軍用各類真空器件中，如激光管、行波管、微波管、圖像增強儀、真空玻璃等，還可在填充惰性氣體的器件中應用，以提純惰性氣體。例如，質(zhì)譜儀使用離子泵作為獲得真空的主要手段，但是離子泵的啟動有一定的真空度要求，然而，質(zhì)譜儀在長時間停機斷電后無法保證真空室內(nèi)保持離子泵要求的啟動真空度，故此需要真空保持系統(tǒng)進行維持。美國SAES (賽斯集團)開發(fā)了一種用于保持真空度的多孔薄膜吸氣劑(HighPorosity Thin Film Getters或HPTF)。這種吸氣劑是由在金屬基材上涂鍍高孔隙的、機械性能穩(wěn)定的吸氣劑制成。吸氣劑鍍層通過一種特殊的絲網(wǎng)印刷術(shù)淀積到金屬基材上，通常是通過一種金屬掩模在經(jīng)過化學蝕刻的基材上印刷。然后將這些涂層在真空條件下進行高溫燒結(jié)，由于在連接處形成了一層擴散層，吸氣材料同基材完美地連為一體并機械的合并在一起。這款產(chǎn)品的優(yōu)點在于可靠性高，有效吸附面積大，吸氣劑利用效率高，缺點是外形尺寸較大，費用高昂，從而導致使用該吸氣劑的真空保持系統(tǒng)的體積大，成本高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
(一)要解決的技術(shù)問題本專利技術(shù)首先要解決的技術(shù)問題是如何降低真空保持系統(tǒng)的體積及成本。(二)技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)提供一種用于真空器件的真空保持系統(tǒng)，所述真空保持系統(tǒng)包括吸氣劑元件、固定部和真空閥，所述吸氣劑元件安裝在所述固定部上，所述真空閥連接于所述固定部與所述真空器件之間。優(yōu)選地，所述吸氣劑元件包括吸氣材料部和加熱絲部，所述加熱絲部位于吸氣材料部的兩端。優(yōu)選地，所述固定部為法蘭盤。優(yōu)選地，所述法蘭盤上焊有多個真空引線端子，相鄰的兩個真空引線端子之間焊有吸氣劑元件，且吸氣劑元件之間形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述吸氣材料部由鈦基非蒸散型室溫吸氣劑制成。優(yōu)選地，所述真空閥為常開電磁閥。優(yōu)選地，所述吸氣劑元件的形狀和大小由所述真空器件中真空室的容積和漏氣率決定。(三)有益效果上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點本專利技術(shù)所設(shè)計的真空保持系統(tǒng)體積小，成本低。附圖說明圖I是本專利技術(shù)實施例的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是吸氣劑元件的結(jié)構(gòu)示意圖；·圖3是吸氣劑元件在法蘭盤上的安裝示意圖。具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例，對本專利技術(shù)的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本專利技術(shù)，但不用來限制本專利技術(shù)的范圍。如圖I所示，本專利技術(shù)提供一種用于真空器件的真空保持系統(tǒng)，所述真空保持系統(tǒng)包括吸氣劑元件I、固定部2和真空閥3，所述吸氣劑元件I安裝在所述固定部2上，所述真空閥3連接于所述固定部2與所述真空器件的真空室4之間。如圖2所示，所述吸氣劑元件I包括吸氣材料部1-1和加熱絲部1-2，所述加熱絲部1-2位于吸氣材料部1-1的兩端。所述固定部為法蘭盤。所述法蘭盤上焊有多個真空引線端子5，相鄰的兩個真空引線端子之間焊有吸氣劑元件1，且吸氣劑元件之間形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，如圖3所示。所述吸氣材料部由鈦基非蒸散型室溫吸氣劑制成。這種鈦基非蒸散型室溫吸氣劑是以活性金屬鈦為基，添加適量的鑰粉，經(jīng)高溫沉積等特殊工藝處理后，最終經(jīng)高真空燒結(jié)而成的多孔吸氣材料。核心材料呈多孔結(jié)構(gòu)，具有較高的孔隙度和較大表面積，吸氣劑顆粒之間有一定的粘結(jié)強度，因此它除了具有良好的室溫吸氣性能外，更具有良好的抵抗惡劣工作環(huán)境的強度和性能，同時可以根據(jù)具體需求制備成不同形狀規(guī)格的元件。吸氣劑的使用特點是它激活后，不需要加電或其他任何能量即可工作。所述吸氣劑元件的形狀和大小由所述真空器件中真空室的容積和漏氣率決定。例如，可以設(shè)計成類似棗核的形狀，放置在真空室上靠近離子泵的位置，使之在沒有供電的情況下不斷吸收質(zhì)譜儀的漏氣和真空室材料的放氣，使真空室真空度始終維持在離子泵啟動所需的真空度。另外，如果真空器件放氣量大，必然需要加大吸氣劑的量，但并不是吸氣劑單個元件體積越大越好。吸氣劑有效成分是在高溫環(huán)境下通過化學沉積的方法層層疊加在加熱絲殼體上的，整個過程不可逆，如果沉積厚度過大，在階段冷卻至室溫的過程中由于材料應力會在吸氣劑元件表面產(chǎn)生裂紋，影響使用，甚至直接形成殘次品。因此需要按照實際情況設(shè)計吸氣劑元件的尺寸，不能使單個元件尺寸過大，必要時需用串聯(lián)兩個或多個小尺寸的吸氣劑元件。以下以真空器件一質(zhì)譜儀為例，說明本專利技術(shù)的工作原理。本專利技術(shù)的真空保持系統(tǒng)在使用時需要與質(zhì)譜儀進行連接，具體地，將真空保持系統(tǒng)的真空閥與質(zhì)譜儀的真空室上的離子泵進行連接。在使用前，還需要做如下準備I)烘烤與除氣當真空保持系統(tǒng)烘烤時，環(huán)境真空度應盡量高，須優(yōu)于5 X 10 ,以質(zhì)譜儀真空度確定加熱時間及升溫速度。2)激活質(zhì)譜儀真空度優(yōu)于5X 10_3Pa時，開始加熱吸氣劑，此時真空保持系統(tǒng)應一直與離子泵相連，將吸氣劑激活時放出的氣體及時排走，升溫時要實時監(jiān)控質(zhì)譜儀真空度，當真空度迅速下降時應降低加熱電流或停止對其加熱，直到質(zhì)譜儀真空度回升，整個過程應保持在5X 10_3Pa以上。再繼續(xù)升溫直到吸氣劑本身溫度達到700°C至800°C，保溫20分鐘或以上，隨后切斷電源降溫至室溫，激活結(jié)束。吸氣劑使用一段時間，發(fā)現(xiàn)性能降低后，可重復以上步驟，反復使用。吸氣劑激活溫度范圍為500°C 800°C。吸氣劑經(jīng)充分激活后，可有效吸收02、N2、C0、C02、H2及各種碳氫化合物和水蒸氣等；不吸收He、Ne、Ar等惰性氣體；吸收H2可逆，激活后500°C以下可大量吸氫，500°C以后開始釋放，600°C以上大量放氫。吸氣劑可以多次反復激活再生，可反復激活使用。吸氣劑經(jīng)激活后在_45°C至400°C條件下均可有效吸收活性氣體。隨著吸氣溫度提高，其吸氣速率和吸氣量均可成倍增加。何時需要將本專利技術(shù)的真空保持系統(tǒng)與質(zhì)譜儀的真空室連接上進行真空保持，何時需要將本專利技術(shù)真空保持系統(tǒng)與質(zhì)譜儀的真空室斷開，這是由真空閥控制的。真空閥是常開 電磁閥(斷電時為打開狀態(tài))。在質(zhì)譜儀關(guān)機的情況下，真空閥斷電，處于常開狀態(tài)，質(zhì)譜儀的真空室與吸氣劑元件連通進行真空保持；在質(zhì)譜儀開機工作時，真空室需要檢測氣體樣品，而進樣會使真空度下降，如果吸氣劑元件還與真空室連通的話，吸氣劑也會吸附樣品，從而降低吸氣劑元件的使用時間，這時就需要給真空閥通電使其關(guān)閉，從而斷開真空室與吸氣劑元件的連通。 以下通過實驗說明本專利技術(shù)的工作方式。試驗條件不銹鋼圓柱體真空室內(nèi)徑100mm，容積3L，真空室兩端各連接CF35法蘭，一端接入真空計，另一端接入吸氣劑元件(直徑IOmm,長度IOmm, I支)。真空室由安捷倫STARCELL75離子泵抽真空到可以激活吸氣劑的狀態(tài)下開始激活吸氣劑。在吸氣劑激活完畢后的真空保持系統(tǒng)初始狀態(tài)真空計示數(shù)為O. 9X l(T5Pa。試驗數(shù)據(jù)如表I所示表I權(quán)利要求1.一種用于真空器件的真空保持系本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種用于真空器件的真空保持系統(tǒng)，其特征在于，所述真空保持系統(tǒng)包括：吸氣劑元件、固定部和真空閥，所述吸氣劑元件安裝在所述固定部上，所述真空閥連接于所述固定部與所述真空器件之間。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張揚，李玉江，張文憑，王懷德，陳智勇，唐松，高松海，
申請(專利權(quán))人：北京市北分儀器技術(shù)有限責任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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