一種環形電阻膜片修正方法技術

本發明專利技術公開了環形電阻膜片的修正方法，通過修刻頭切入環形電阻膜片表面的碳粉層，使碳粉層的厚度發生變化，從而使環形電阻膜片的總電壓發生變化，當環形電阻膜片的總電壓與預設的總電壓相等時，停止切入，完成該點的修刻過程。利用本方法，引入總電壓反饋算法可以免除加工時電刷的參與，提高了測量精度，同時使測量及修刻的過程得到簡化。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及傳感器制造領域，尤其涉及。
技術介紹
環形合成膜電位計在制作過程中，需要對環形電阻膜片進行修刻，以使所述環形合成膜電位計的刻度精準。目前，對所述環形電阻膜片的修刻普遍采用的是邊測量邊修刻的方式，按照供電方式的不同可以分為兩種，一種是恒壓源供電，另一種是恒流源供電。但是，在恒壓源供電的修刻過程中，電刷的接觸電阻會被弓I入整體電路中，從而影響測量精度。在恒流源供電的修刻過程中，電刷始終與碳膜接觸，產生的震動會使得電刷與碳膜的接觸不牢靠，因而影響測量的準確性。可見，目前國內的電位計修刻的技術都會影響到測量的準確性。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術提供，以解決現有技術中修刻技術影響測量的準確性的問題，其具體方案如下，所述環形電阻膜片處于恒流源供電系統中，所述方法包括確定所述環形電阻膜片的中心零點位置和碳膜邊界；將所述環形電阻膜片的中心零點位置和碳膜邊界之間的區域作為修刻區域；在所述修刻區域上選取修刻點；修刻頭沿所述修刻點切入所述環形電阻膜片表面的碳粉層，并檢測環形電阻膜片的總電壓；比較所述環形電阻膜片的總電壓和預設的總電壓；當所述環形電阻膜片的總電壓與預設的總電壓相等時，停止修刻點的切入。還包括建立所述修刻量與總電壓的對應關系，確定所述修刻點對應的預設總電壓。確定所述環形電阻膜片的中心零點位置的過程包括移動所述環形電阻膜片；采集所述電刷觸點與中心抽頭間的電壓，當所述電壓為零時，所述環形電阻膜片停止移動，所述環形電阻膜片上與所述電刷觸點對應的位置為中心零點。移動所述環形電阻膜片的方法，包括將所述環形電阻膜片放置于旋轉工作臺上，旋轉所述旋轉工作臺，所述環形電阻膜片隨著所述旋轉工作臺旋轉；當采集到的所述電刷與中心抽頭間的電壓大于第一預設電壓值時，所述旋轉工作臺高速旋轉；當采集到的所述電刷與中心抽頭間的電壓小于第一預設電壓值時，所述旋轉工作臺減速旋轉。確定所述環形電阻膜片的碳膜邊界的過程，包括移動所述電刷，采集所述電刷與中心零點間的輸出電壓； 繪制所述輸出電壓曲線，所述輸出電壓曲線存在四個電壓突跳點，選取鄰近兩個電壓突跳點連線中點所對應的環形電阻膜片的位置為所述環形電阻膜片的碳膜邊界。從上述技術方案可以看出，本專利技術公開的環形電阻膜片修正方法，通過修刻頭切入環形電阻膜片表面的碳粉層，使碳粉層的厚度發生變化，從而使環形電阻膜片的總電壓發生變化，當環形電阻膜片的總電壓與預設的總電壓相等時，停止切入，完成該點的修刻過程。利用本方法，引入總電壓反饋算法可以免除加工時電刷的參與，提高了測量精度，同時使測量及修刻的過程得到簡化。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本專利技術實施例公開的環形電阻膜片修正方法的流程圖；圖2為本專利技術實施例公開的確定中心零點的方法的流程圖；圖3為本專利技術實施例公開的確定環形電阻膜片的碳膜邊界的方法的流程圖；圖4為本專利技術實施例公開的環形電阻膜片左端銀帶附近的輸出電壓曲線圖。具體實施例方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。本專利技術公開的環形電阻膜片修正方法的流程圖如圖I所示，包括步驟S11、確定所述環形電阻膜片的中心零點位置和碳膜邊界；所述環形電阻膜片的中心零點和碳膜邊界位置的確定，是環形電阻膜片修正的基礎。步驟S12、將所述環形電阻膜片的中心零點位置和碳膜邊界之間的區域作為修刻區域；所述中心零點位置的電壓為零，在修刻過程中，要以環形電阻膜片上的中心零點位置為基準，進行測量并修刻。所述環形電阻膜片需要修刻的區域為環形電阻膜片的碳粉層，碳粉層位于所述環形電阻膜片的中間位置，兩端為銀帶區，碳粉層帶有電阻，電阻隨長度呈一定規律發生變化，而銀帶區的電阻很小，且電阻變化可以很小，可以忽略。步驟S13、在所述修刻區域上選取修刻點；在所述修刻區域上選取修刻點，當修刻點為一個時，以下步驟僅是對一個修刻點進行的修刻；當修刻點為多個時，一次修刻過程結束，進行下一個修刻點的修刻，直至全部修刻點修刻結束。步驟S14、修刻頭沿所述修刻點切入所述環形電阻膜片表面的碳粉層，并檢測環形電阻膜片的總電壓。 修刻用刀具上有修刻頭，修刻頭沿修刻點切入所述環形電阻膜片表面的碳粉層，所述碳粉層有電阻，當修刻頭切入碳粉層后，所述修刻點處的碳粉層的厚度發生變化，即修刻點處的碳粉層的橫截面積發生變化。根據電阻計算公式R=P 1/S，其中P為電阻率，I為長度，S為橫截面積，可以知道，電阻與橫截面積成反比，即橫截面積減小，電阻增大。由此可知，當修刻點處的碳粉層的橫截面積減小時，修刻點與中心零點間的電阻增大，設為Λ Ri。而此時，環形電阻膜片上其余點的電阻沒有發生變化，因此，所述環形電阻膜片的總電阻發生變化，其總電阻變化量亦為ARi。由于所述環形電阻膜片處于恒流源供電系統中，其電流一定，設為I。，因此，檢測到所述環形電阻膜片的總電壓的變化量為I。ARi，因此，所述環形電阻膜片的總電壓也可以獲得，這個過程稱為總電壓反饋法。步驟S15、比較所述環形電阻膜片的總電壓和預設的總電壓；所述環形電阻膜片的修刻過程中，當修刻點確定時，環形電阻膜片的總電壓一定，預設其總電壓，比較檢測到的所述環形電阻膜片的總電壓與預設的總電壓。步驟S16、當所述環形電阻膜片的總電壓與預設總電壓相等時，停止修刻點的切入。當檢測到的所述環形電阻膜片的總電壓與預設的總電壓相等時，所述修刻點達到預先要修刻的量，完成所述修刻點的修刻。若修刻區域內并不是只有一個修刻點，此時要繼續對其余的修刻點進行修刻。本實施例所提供的修刻方法，還包括建立所述修刻量與總電壓的對應關系，確定所述修刻點對應的預設總電壓。由于每個修刻點的位置不同，所以需要預先設定各個修刻點的修刻順序以及每一個修刻點修刻之后所對應的總電壓，即預設的總電壓變化量。因此，可將檢測到的所述環形電阻膜片的總電壓與預設的總電壓進行比較，待二者相同的時候，修刻量便達到了要求，也就是停止對該修刻點進行修刻的時候。本實施例公開的環形電阻膜片的修正方法，通過引入總電壓反饋法實現免除電刷的參與，避免了將電刷的接觸電阻引入整體電路，從而影響測量精度的問題，另外，利用總電壓反饋法，使修刻過程得到簡化，并且提高了測量精度。本專利技術公開的確定中心零點的方法的流程圖如圖2所示，包括步驟S21、移動所述環形電阻膜片；移動所述環形電阻膜片，使所述電刷在所述環形電阻膜片的中心抽頭左右移動。所述環形電阻膜片的移動方式，可以為手動，也可以為機器轉動。步驟S22、采集所述電刷觸點與中心抽頭間的電壓；采集所述電刷觸點與中心抽頭間的電壓，當所述電刷觸點位于所述中心抽頭左側時，采集到的所述電壓為負值；當所述電刷觸點位于所述中心抽頭右側時，采集到的所述電刷為正值。步驟S23、當采集到所述電刷觸點與中心抽頭間的電壓為零時，所述環形電阻膜本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種環形電阻膜片修正方法，其特征在于，所述環形電阻膜片處于恒流源供電系統中，所述方法包括：確定所述環形電阻膜片的中心零點位置和碳膜邊界；將所述環形電阻膜片的中心零點位置和碳膜邊界之間的區域作為修刻區域；在所述修刻區域上選取修刻點；修刻頭沿所述修刻點切入所述環形電阻膜片表面的碳粉層，并檢測環形電阻膜片的總電壓；比較所述環形電阻膜片的總電壓和預設的總電壓；當所述環形電阻膜片的總電壓與預設的總電壓相等時，停止修刻點的切入。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：左湘漢，王惠峰，濛淑紅，王廣林，曾好，
申請(專利權)人：中國航天科技集團公司烽火機械廠，
類型：發明
國別省市：