一種陶瓷無引線繼電器管殼,其矩形陶瓷殼體的上端口具有環狀金屬焊接層,底部具有矩形通孔Ⅰ和矩形通孔Ⅱ,外壁底面上封裝焊接有片狀金屬管腳A1、金屬管腳B1、金屬管腳C1和金屬管腳D1,且金屬管腳C1位于矩形通孔Ⅰ的下方在管殼內腔形成焊盤C,金屬管腳D1位于矩形通孔Ⅱ的下方;所述矩形陶瓷殼體內腔底面上具有焊盤A、焊盤B、焊盤D、焊盤F、焊盤G和焊盤H,內腔右端前后側壁上的兩個凸臺的上端面分別具有焊盤E和焊盤I,所述焊盤E和焊盤I分別與金屬管腳A1、金屬管腳B1電氣連接;所述焊盤A位于矩形通孔Ⅱ中并與金屬管腳D1電氣連接。本發明專利技術體積小、重量輕、高度低,適合高密度集成SMD印制電路板設計。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于繼電器管殼制造
,具體涉及一種陶瓷無引線繼電器管殼。
技術介紹
微電子技術的發展主要是芯片設計、制造與封裝技術的發展。現代武器對封裝的要求也越來越高,陶瓷管殼以其體積小、重量輕、長壽命、高可靠、耐惡劣環境等優勢,現正在繼電器制造
快速發展。傳統的陶瓷繼電器管殼主要有雙列直插(DIP封裝)或表面貼裝(SMD封裝)兩種結構形式。DIP封裝結構管殼,印制電路板必須設計為焊孔形式,因此不適用于全表貼集成電路;SMD封裝結構管殼,雖可以應用于全表貼集成電路,但由于焊腳所占面積較大,不適用于密集表貼集成電路。
技術實現思路
本專利技術解決的技術問題設計一種陶瓷無引線繼電器管殼,可應用在大功率光MOS固體繼電器制造領域,適合高密度集成表面貼裝印制電路板的設計,采用黑色氧化鋁陶瓷與金屬燒結而成,體積小、重量輕、高度低、可靠性高、耐惡劣環境。本專利技術的技術解決方案一種陶瓷無引線繼電器管殼,包括矩形陶瓷殼體,所述矩形陶瓷殼體的上端口具有環狀金屬焊接層,底部具有矩形通孔I和矩形通孔II,且矩形通孔I位于矩形陶瓷殼體的左半部,矩形通孔II (4)位于矩形陶瓷殼體的右半部;所述陶瓷殼體的外壁底面上封裝焊接有片狀金屬管腳Al、金屬管腳BI、金屬管腳Cl和金屬管腳D1,且金屬管腳Cl位于矩形通孔I的下方并在管殼內腔形成焊盤C,金屬管腳Dl位于矩形通孔II的下方,金屬管腳Al、金屬管腳BI對稱位于金屬管腳Dl的兩側;所述矩形陶瓷殼體內腔底面上具有焊盤A、焊盤B、焊盤D、焊盤F、焊盤G和焊盤H,所述矩形陶瓷殼體內腔右端前后側壁上具有兩個對稱的凸臺,且兩個凸臺的上端面分別具有焊盤E和焊盤I,所述焊盤E和焊盤I通過凸臺內部與金屬管腳Al、金屬管腳BI分別電氣連接;所述焊盤F、焊盤G和焊盤H均布在兩個凸臺之間,且焊盤F和焊盤H對稱位于焊盤G的兩側;所述焊盤A位于矩形通孔II中并與金屬管腳Dl電氣連接,所述焊盤B位于焊盤A的左側,焊盤D位于焊盤A的下側。所述片狀金屬管腳Al、金屬管腳BI、金屬管腳Cl和金屬管腳Dl均采用鑰銅材料制成,厚度為O. 5mm,且金屬管腳Al為繼電器輸入端子IN(+)、金屬管腳BI為繼電器輸入端子IN(-),金屬管腳Cl為繼電器輸出端子0UT(+)、金屬管腳Dl為繼電器輸出端子OUT(-);所述矩形陶瓷殼體為多層氧化鋁黑色陶瓷殼體,所述片狀金屬管腳Al、金屬管腳BI、金屬管腳Cl和金屬管腳Dl通過金屬化鎢焊盤a與陶瓷殼體的外壁底面封裝焊接。所述焊盤A采用無氧銅制成,厚度為I. 5mm ;焊盤B采用鑰銅制成,厚度為O. 2mm ;焊盤D、焊盤E、焊盤F、焊盤G、焊盤H和焊盤I均為金屬化鎢焊盤。所述片狀金屬管腳Al、金屬管腳BI、金屬管腳Cl和金屬管腳Dl及其周圍的金屬化鎢焊盤a的表面均鍍金處理;所述環狀金屬焊接層的表面鍍金處理;所述焊盤A、焊盤B、焊盤D、焊盤E、焊盤F、焊盤G、焊盤H和焊盤I的表面均鍍金處理。本專利技術與現有技術相比具有的優點和效果1、本專利技術外形簡潔,無輸出引線,適合高密度集成表面貼裝印制電路板的設計。2、本專利技術管殼結構和導電材料滿足大功率輸出的要求,輸出電流大于10A。3、本專利技術采用黑色氧化鋁陶瓷與多種金屬燒結而成,體積小、重量輕、高度低、可 靠性高、耐惡劣環境。附圖說明圖1為本專利技術一種實施例的外形結構示意圖,圖2為本專利技術一種實施例的電路原理圖,圖3為本專利技術外壁底面結構示意圖,圖4為本專利技術內腔底面結構示意圖,圖5為本專利技術結構剖視圖.具體實施例方式結合附圖1-5描述本專利技術的一種實施例。一種陶瓷無引線繼電器管殼,包括矩形陶瓷殼體1,所述矩形陶瓷殼體1的上端口 具有環狀金屬焊接層2,底部具有矩形通孔I 3和矩形通孔II 4,且矩形通孔I 3位于矩形 陶瓷殼體1的左半部,矩形通孔II 4位于矩形陶瓷殼體1的右半部;所述陶瓷殼體1的外 壁底面上封裝焊接有片狀金屬管腳A1、金屬管腳B1、金屬管腳C1和金屬管腳D1,且金屬管 腳C1位于矩形通孔I 3的下方在管殼內腔形成焊盤C,金屬管腳D1位于矩形通孔II 4的下 方,金屬管腳A1、金屬管腳B1對稱位于金屬管腳D1的兩側;所述矩形陶瓷殼體1內腔底面 上具有焊盤A、焊盤B、焊盤D、焊盤F、焊盤G和焊盤H,所述矩形陶瓷殼體1內腔右端前后 側壁上具有兩個對稱的凸臺5,且兩個凸臺5的上端面分別具有焊盤E和焊盤I,所述焊盤 E和焊盤I通過凸臺5內部與金屬管腳A1、金屬管腳B1分別電氣連接;所述焊盤F、焊盤G 和焊盤H均布在兩個凸臺5之間,且焊盤F和焊盤H對稱位于焊盤G的兩側;所述焊盤A位 于矩形通孔II 4中并與金屬管腳D1電氣連接,所述焊盤B位于焊盤A的左側,焊盤D位于 焊盤A的下側。所述片狀金屬管腳A1、金屬管腳B1、金屬管腳C1和金屬管腳D1均采用鑰銅材料 制成,厚度為0. 5mm,且金屬管腳A1為繼電器輸入端子IN(+)、金屬管腳B1為繼電器輸入端 子IN(-),金屬管腳Cl為繼電器輸出端子0UT(+)、金屬管腳D1為繼電器輸出端子OUT(-); 所述矩形陶瓷殼體1為多層氧化鋁黑色陶瓷殼體,所述片狀金屬管腳A1、金屬管腳B1、金屬 管腳C1和金屬管腳D1通過金屬化鎢焊盤a與陶瓷殼體1的外壁底面封裝焊接。所述焊盤 A采用無氧銅制成,厚度為1. 5mm ;焊盤B采用鑰銅制成,厚度為0. 2mm ;焊盤D、焊盤E、焊盤 F、焊盤G、焊盤H和焊盤I均為金屬化鎢焊盤。所述片狀金屬管腳A1、金屬管腳B1、金屬管腳C1和金屬管腳D1及其周圍的金屬 化鎢焊盤a的表面均鍍金處理,既易于產品的焊接,保證產品的焊接強度,又能提高其表面 的抗氧化和抗腐蝕性能;所述環狀金屬焊接層2的表面鍍金處理,易與鍍金金屬蓋板6實 現熔焊密封,保證產品的密封質量;所述焊盤A、焊盤B、焊盤D、焊盤E、焊盤F、焊盤G、焊盤H和焊盤I的表面均鍍金處理,易于芯片的焊接及金絲的鍵合,保證芯片的焊接強度及金線的鍵合強度。本專利技術環狀金屬焊接層2采用適宜平行縫焊的鐵鎳合金4J42燒結在矩形陶瓷殼體I的上端口,厚度為O. 5mm,可以保證產品的熔焊密封質量。多層黑色陶瓷殼體I的主要成分為氧化鋁,具有較好的機械強度、良好的熱導性、耐磨性和金屬封接性能。多層黑色陶瓷殼體I與鎢漿料燒結后,形成金屬化鎢焊盤a。片狀金屬管腳采用適宜封接的金屬材質鑰銅,能夠較好地與金屬化鎢焊盤a實現封接,保證管殼的密封及抗鹽霧能力。使用本專利技術制作大功率光MOS固體繼電器時,繼電器輸入部分由發光二極管芯片Vl和V2組成,發光二極管芯片Vl和V2采用導電銀膠粘接在陶瓷電路板的焊盤上,陶瓷電路板通過其上的焊盤采用導電銀膠分別粘接在焊盤E和焊盤I上;繼電器輸出部分由功率場效應管芯片V3及光伏打電池組件芯片D1、D2組成。光伏打電池組件芯片D1、D2采用導電銀膠分別粘接在焊盤F及焊盤H上,功率場效應管芯片V3采用共晶焊焊接在焊盤C上,且發光二極管芯片VI、V2分別位于光伏打電池組件芯片D1、D2的上方,使發光二極管芯片V1、V2分別與光伏打電池組件芯片D1、D2之間物理隔離;其它電氣連接采用金絲鍵合線與焊盤B、焊盤D、焊盤A及焊盤G配合過渡完成。最后在環狀金屬焊接層2上焊接金屬蓋板6即可完成廣品。本專利技術輸入電流自金屬管腳Al流入,金屬管本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種陶瓷無引線繼電器管殼,包括矩形陶瓷殼體(1),其特征在于:所述矩形陶瓷殼體(1)的上端口具有環狀金屬焊接層(2),底部具有矩形通孔Ⅰ(3)和矩形通孔Ⅱ(4),且矩形通孔Ⅰ(3)位于矩形陶瓷殼體(1)的左半部,矩形通孔Ⅱ(4)位于矩形陶瓷殼體(1)的右半部;所述陶瓷殼體(1)的外壁底面上封裝焊接有片狀金屬管腳A1、金屬管腳B1、金屬管腳C1和金屬管腳D1,且金屬管腳C1位于矩形通孔Ⅰ(3)的下方在管殼內腔形成焊盤C,金屬管腳D1位于矩形通孔Ⅱ(4)的下方,金屬管腳A1、金屬管腳B1對稱位于金屬管腳D1的兩側;所述矩形陶瓷殼體(1)內腔底面上具有焊盤A、焊盤B、焊盤D、焊盤F、焊盤G和焊盤H,所述矩形陶瓷殼體(1)內腔右端前后側壁上具有兩個對稱的凸臺(5),且兩個凸臺(5)的上端面分別具有焊盤E和焊盤I,所述焊盤E和焊盤I通過凸臺(5)內部與金屬管腳A1、金屬管腳B1分別電氣連接;所述焊盤F、焊盤G和焊盤H均布在兩個凸臺(5)之間,且焊盤F和焊盤H對稱位于焊盤G的兩側;所述焊盤A位于矩形通孔Ⅱ(4)中并與金屬管腳D1電氣連接,所述焊盤B位于焊盤A的左側,焊盤D位于焊盤A的下側。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員:朱煜,劉亞鋒,
申請(專利權)人:陜西群力電工有限責任公司,
類型:發明
國別省市:
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