太陽能級單晶硅片制造技術

本實用新型專利技術涉及太陽能電池技術領域，具體公開了一種太陽能級單晶硅片，其包括硅片本體，該硅片本體采用單晶硅制作而成，所述硅片本體為平行四邊形結構，該硅片本體的厚度為100um～200um。本實用新型專利技術的太陽能級單晶硅片，其針對于不規則硅棒體，采用平行四邊形結構設置，進行因形而取材，可以避免回爐，減少損耗。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及太陽能電池
，尤其涉及一種用于制備太陽能電池的單晶硅片。
技術介紹
晶態娃分為單晶娃和多晶娃，它們均具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導電，但導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有半導體性質。單晶硅在日常生活中是電子計算機、自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料。電視、電腦、冰箱、電話、手表、汽車，處處都離不開單晶硅材料，單晶硅作為科技應用普及材料之一，已經滲透到人們生活中的各個角落。目前單晶太陽能級硅片主要采用CZ法生長〈100〉晶向的圓棒，經過開方，將圓棒切割成橫截面為四角帶圓弧形的準方形柱體，然后經過滾圓機砂輪滾圓，使原來生長勢不均勻的圓棒毛坯獲得均一的尺寸，一般磨削量為2mm-5mm，用這種準方棒進行線切割，即可獲得用于生產電池的單晶硅片。目前行業內普遍生產的為6英寸(直徑約151_)和8英寸(直徑約196mm)的圓棒，經過上述加工過程形成125mmX125mm和156mmX 156mm四角帶圓弧的準方形娃片；125mmX 125mm準方形娃片圓弧直徑為150mm, 156mmX 156mm準方形娃片圓弧直徑為195_。這種截面形狀的太陽能及單晶硅片存在的缺點為硅棒的利用率不高，6英寸的利用率約83. 6%，8英寸的利用率約77%，主要損失在開方產生的邊皮，邊皮部分雖然可循環投爐使用，但回用越多生產成本越大。
技術實現思路
本技術的目的在于，提出一種太陽能級單晶硅片，其針對于不規則硅棒體，采用平行四邊形結構設置，進行因形而取材，可以避免回爐，減少損耗。為實現上述目的，本技術提供了一種太陽能級單晶硅片，其包括硅片本體，該硅片本體采用單晶硅制作而成，所述硅片本體為平行四邊形結構，該硅片本體的厚度為IOOum 200um。其中，所述硅片本體可以采用一組對邊為4. 5英寸，另一組對邊為3. 5英寸的平行四邊形結構設置?；蛘撸龉杵倔w可以采用一組對邊為3. 5英寸，另一組對邊為5英寸的平行四邊形結構設置。此外，所述硅片本體還可以采用一組對邊為6英寸，另一組對邊為4英寸的平行四邊形結構設置。本技術的太陽能級單晶硅片，其主要針對不規則硅棒體，由于其少子壽命和電阻率均為符合太陽能級電池板的要求，因此因形而取材，采用平行四邊形的結構設計，可以避免回爐，極大的減少了資源損耗。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本技術的太陽能級單晶硅片一種具體實施例的結構示意圖。具體實施方式下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒炯夹g中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下 所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。如圖I所示，本技術提供一種太陽能級單晶硅片，其包括硅片本體10，該硅片本體10采用單晶硅制作而成，所述硅片本體10為平行四邊形結構，該硅片本體10的厚度約為IOOum 200um。本技術這種平行四邊形硅片本體10的結構設置，可以使得硅片的表面積更大，在利用本技術制成的電池拼裝成電池組的時候，電池與電池之間的間隙幾乎沒有，因此，本技術相對現有的四角帶圓弧的準方形硅片而言，還具有發電功率高，利用其制成電池后在拼裝時安裝空間的利用更為充分的優點。在本技術具體實施例中，該娃片本體10的厚度可以制作為lOOum、150um、180um及200um等任意規格厚度。本技術的太陽能級單晶硅片在具體制作時，主要針對于不規則形狀的硅棒體(未圖示)，該硅片本體10的各邊長度均需小于硅棒體的直徑。作為本技術的一種選擇性實施例，該硅片本體10可以采用一組對邊為4. 5英寸，另一組對邊為3. 5英寸的平行四邊形結構設置。或者，所述硅片本體10還可以采用一組對邊為3. 5英寸，另一組對邊為5英寸的平行四邊形結構設置。此外，作為本技術的另一種選擇性實施例，所述硅片本體10還可以采用一組對邊為6英寸，另一組對邊為4英寸的平行四邊形結構設置。該平行四邊形結構設置的硅片本體10針對不規則硅棒體，因形而取材，可以避免回爐，極大的減少了資源損耗，可以在一定程度上降低生產成本。以上所述僅為本技術的較佳實施例而已，并不用以限制本技術，凡在本技術的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本技術的保護范圍之內。權利要求1.一種太陽能級單晶硅片，包括硅片本體，該硅片本體采用單晶硅制作而成，其特征在于，所述娃片本體為平行四邊形結構，該娃片本體的厚度為IOOum 200um。2.如權利要求I所述的太陽能級單晶硅片，其特征在于，所述硅片本體采用一組對邊為4. 5英寸，另一組對邊為3. 5英寸的平行四邊形結構設置。3.如權利要求I所述的太陽能級單晶硅片，其特征在于，所述硅片本體采用一組對邊為3. 5英寸，另一組對邊為5英寸的平行四邊形結構設置。4.如權利要求I所述的太陽能級單晶硅片，其特征在于，所述硅片本體采用一組對邊為6英寸，另一組對邊為4英寸的平行四邊形結構設置。專利摘要本技術涉及太陽能電池
，具體公開了一種太陽能級單晶硅片，其包括硅片本體，該硅片本體采用單晶硅制作而成，所述硅片本體為平行四邊形結構，該硅片本體的厚度為100um～200um。本技術的太陽能級單晶硅片，其針對于不規則硅棒體，采用平行四邊形結構設置，進行因形而取材，可以避免回爐，減少損耗。文檔編號H01L31/0352GK202758897SQ20122041495公開日2013年2月27日 申請日期2012年8月21日 優先權日2012年8月21日專利技術者夏學軍 申請人:云南三奇光電科技有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種太陽能級單晶硅片，包括硅片本體，該硅片本體采用單晶硅制作而成，其特征在于，所述硅片本體為平行四邊形結構，該硅片本體的厚度為100um～200um。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：夏學軍，
申請(專利權)人：云南三奇光電科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：