本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種為下式1表示的化合物的用于PDP的熒光體和包括含其的熒光體層的PDP，式1(Y1-x-yGdxTby)AlrQ3-r(BO3)4，其中0＜x≤1，0＜y≤1，Q為Sc、In或Ga，且0≤r≤3，當(dāng)使用該熒光體形成PDP的綠色熒光體層時，可克服常規(guī)綠色熒光體的亮度飽和問題。此外，與用于PDP的常規(guī)熒光體相比，包括包含所述熒光體的熒光體層的PDP根據(jù)包含在熒光體層中的各熒光體的混合比具有較寬的顏色再現(xiàn)范圍，且亮度不降低。因此，包括包含該熒光體的熒光體層的PDP可具有非常優(yōu)異的圖像質(zhì)量。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種用于等離子體顯示面板(PDP)的熒光體和使用該熒光體的rop， 更具體地講，本專利技術(shù)涉及一種用于PDP的熒光體和包括包含所述熒光體的熒光體層的rop， 所述熒光體受真空紫外線激發(fā)發(fā)光，亮度飽和度降低。
技術(shù)介紹
在等離子體顯示裝置(例如等離子體顯示面板(PDP))中，通過激發(fā)作為放電氣體的Xe等產(chǎn)生的真空紫外(VUV)光波長為約147-200nm的激發(fā)光激發(fā)熒光體層。Zn2SiO4 :Mn (下文中稱為“P1”)和YBO3 :Tb (下文中稱為“YB”)為廣泛用于PDP的常規(guī)綠色熒光體，且可以適當(dāng)?shù)幕旌媳冉M合使用。這兩種綠色熒光體能混合的原因在于Pi 比YB的色純度和亮度高，但Pl在PDP工作的高灰度等級(gradation)下具有亮度飽和特性。另一方面，YB比Pl的亮度飽和特性差。已知熒光體的亮度飽和與余輝時間有關(guān)。當(dāng)波長為約147nm的真空紫外線照射其上時，常規(guī)綠色熒光體Pl的余輝時間為約7ms，而在上述相同的條件下，常規(guī)綠色熒光體YB 的余輝時間為約10ms。亮度飽和為表現(xiàn)PDP屏幕灰度等級和確定圖像質(zhì)量的重要因素，從而認(rèn)為是關(guān)鍵的問題。但是，還未開發(fā)具有令人滿意的性能(例如優(yōu)異的色純度和亮度且亮度飽和小) 的熒光體，因此仍迫切需要進(jìn)行改進(jìn)。本專利技術(shù)解決了上述問題并提供了其他優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供了一種具有優(yōu)異的亮度和色純度且具有降低的亮度飽和度的用于PDP 的熒光體以及包含所述熒光體的rop。本專利技術(shù)的一方面提供了一種用于rop的熒光體，所述熒光體為下式I表示的化合物，式I(Y1TyGdxTby) AlrQ3_r (BO3) 4其中O彡X彡1，0 < y彡1，Q為Sc、In或Ga，且O彡r彡3。式I表示的化合物為(Y1^yGdxTby)Al3(BO3)4,其中 x = O. 5，y = O. 2 且 r = 3，即(Y0.3Gd0.5Tb0.2) Al3 (BO3) 4 ;3(Y1^yGdxTby)Al3(BO3)4,其中 X = 0. 6, y = 0. 3 且 r = 3,即(YaiGda6Tba3)Al3(BO3);(YnyGdxTby) Al3(BO3)4,其中 X = 0.6，y = 0.4 且 r = 3，即(Gda6Tba4)Al3(BO3)4 ；(Yo2Gd0.4Tb〔JAl3(BO3);(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 95SC0.05 (BO3) 4 ；(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 9SC0.(BO3)4 ；(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. B^C0. 2(BO3)4 ；(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 5SC0.(BO3)4 ；(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 95! 05 (BO3) 4 ；(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AUnO.(BO3)4 ；(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 8! 2(BO3)4 ；(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 51nO.(BO3)4 ；(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 95^ .05 (BO3) 4 ；(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. gGa0(BO3)4 ；(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 8^ . 2(BO3)4 ;或(Yo2Gd0.4Tb〔.4) AI2. 5^ .(BO3) 4 ο本專利技術(shù)的另一方面提供了一種用于PDP的突光體,所述突光體包括為下式I表不的化合物的第一突光體；和為選自式2A或2B表不的突光體、下式3表不的突光體和下式4 表示的熒光體中的至少一種熒光體的第二熒光體，份。 Al3(BO3)式I(Y1-^yGdxTby) AlrQ3_r (BO3) 4其中 0<x彡 l，0<y<l，Q為 3。、111或6&，且0彡1'彡3 式2ABaMgAl10O17 = Mn 式2BBaMgAl12O19 = Mn 式3Li2Zn(Ge, θ )ζ08:Μη 其中Θ = Al或Ga,3 ^ Z ^ 4,式4Zn2SiO4 = Mn基于100重量份第一焚光體和第二焚光體的總量，第二焚光體的量為10-90重量第二熒光體為式2A或2B表示的熒光體。第二熒光體為式3表示的熒光體。式 3 的熒光體為 Li2Zn (Ge, AD3O8:Mn 或 Li2Zn (Ge, Ga) 30, 第一熒光體為(Ya3Gda5Tba2)Al3(BO3)^ (YaiGda6Tbl(Y0.2Gd0.4Tb0.4) Al3 (BO3) 4、(Y0.2Gd0.4Tb0.4) Al2.95SccMn。J Al3 (BO3) 4、(Gda6Tb0. 05 (BO3) 4、(Y0.2Gd0.4Tb0.Al2 9Sc01 (BO3) 4、(YtK2Gdtl 4TbQ 4) Al2 8Sc0 2 (BO3) 4、(Y0.2GdQ 4TbQ 4) Al2 5Sc0 5 (BO3) 4、 (Y0.2Gd0.4Tb0 4) Al 2 95 In0 Q5(BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) Al2 9In01 (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) Al2 8ln0 2 (BO3)4' (Y0 2Gd0 4Tb0 4) Al2 5In0 5 (BO3)4' (Y0 2Gd0 4Tb0 4) Al 2 95Ga0 05 (BO3) 4、 (Y0.2GdQ. 4Tb0 4) Al2 9Ga01 (BO3) 4、(Y0 2Gd0 4Tb0 4)Al2 8Ga0 2(BO3)4 或(YtK2Gdtl 4Tb0 4) Al2.5Ga0.5 (BO3)4, (Y1^yGdxTby) Al3 (BO3) 4(其中 x = 0. 5 且 y = 0. 2)、(Y1^yGdxTby) Al3(BO3)4(其中 χ = 0·6 且 y = 0.3)或(YnyGdxTby)Al3(BO3)4(其中 x = O. 6 且 y = O. 4)， 第二突光體為式2A或2B表不的突光體,且基于100重量份第一突光體和第二突光體的總量，第二突光體的量為10-90重量份。本專利技術(shù)的另一方面提供了一種包括包含上述用于rop的熒光體的熒光體層的 PDP。所述PDP包括透明前基板；與所述透明前基板平行的后基板；布置在所述透明前基板和所述后基板之間的由障肋限定的發(fā)光單元；在相應(yīng)于所述發(fā)光單元的第一方向上延伸的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的后介電層；布置在所述發(fā)光單元內(nèi)的熒光體層；在第二方向上延伸并與所述尋址電極交叉的維持電極對；覆蓋所述維持電極對的前介電層；和填充在所述發(fā)光單元內(nèi)的放電氣體。附圖說明參考附圖，通過詳述示例性的實(shí)施方案，本專利技術(shù)的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更顯而易見,其中圖I為本專利技術(shù)的一個實(shí)施方案的rop的示意性透視圖2圖示當(dāng)用真空紫外線照射本專利技術(shù)的一個實(shí)施方案的熒光體時，熒光體的激發(fā)光譜圖3為當(dāng)使用在146nm下工作的Excimer燈用真空紫外線照射時,常規(guī)突光體和本專利技術(shù)的一個實(shí)施方案的熒光體的亮度圖4為本專利技術(shù)的一個實(shí)施方案的式I表示的熒光體的亮度飽和度與Tb量變化的關(guān)系圖；和圖5顯示當(dāng)使用在146nm下工作的Excimer燈用真空紫外(VUV)線照射時,合本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種用于PDP的熒光體，所述熒光體包括：為下式1表示的化合物的第一熒光體；和下式3表示的第二熒光體，式1(Y1?x?yGdxTby)AlrQ3?r(BO3)4其中0＜x≤1，0＜y≤1，Q為Sc或Ga，且0≤r≤3，式3Ii2Zn(Ge，θ)zO8:Mn其中θ＝Al或Ga，3≤Z≤4。
【技術(shù)特征摘要】
2007.02.16 KR 10-2007-00167541.一種用于rop的熒光體，所述熒光體包括 為下式I表示的化合物的第一熒光體；和 下式3表示的第二熒光體， 式I (Y1-PyGdxTby) AlrQ3_r (BO3) 4 其中0<x彡l，0<y<l，Q為Sc或Ga，且O彡r彡3， 式3Ii2Zn(Ge, θ )ζ08:Μη其中Θ = Al或Ga, 3彡Z彡4。2.權(quán)利要求I的熒光體，其中基于100重量份第一熒光體和第二熒光體的總量，第二熒光體的量為10-90重量份。3.權(quán)利要求2的熒光體，其中所述式I表示的化合物為一種選自以下的化合物 (Ya3Gda5Tba2) Al3 (BO3) 4、(YaiGda6Tba3)Al3(BO3)0 (Gda6Tba4) Al3 (BO3) 4、(Ya2Gda4Tba4)Al2.95ScQ C15(BO3) 4、(Y。2GdQ 4TbQ 4) Al2 9ScQ」(BO3) 4、(Y。2GdQ 4TbQ 4) Al2 8ScQ 2 (BO3) 4、(Y0.2Gd0.4Tb0 4) Al2 5Sc0 5 (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) Al 2 95Ga0 05 (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4)Al2 9Ga0 ! (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) ...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金志賢，張東植，劉永喆，崔益圭，宋美蘭，李賢德，宋有美，
申請(專利權(quán))人：三星SDI株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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