【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
—種簡單的線性電源電路
本專利技術(shù)主要涉及電源電路的設(shè)計領(lǐng)域，特指一種簡單的線性電源電路。
技術(shù)介紹
對于模擬集成電路，其性能的好壞取決于很多因素，其中電源的好壞也是影響模擬集成電路性能的一個關(guān)鍵因素，特別是一些高精度模擬電路，如高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)、高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)、儀表放大器等，這類電路通常都需要一個高質(zhì)量的電源供電，通常都是采用線性電源(LDO)，LDO將一個性能不好的電源信號轉(zhuǎn)換成性能相對較好的電源輸出，LDO的性能通常都很好，但是占用的面積也較大，對于一些簡單的模塊，或者規(guī)模較小的電路模塊，且對電源的性能要求又不是特別高的情況下，LDO并非是一個明智的選擇。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)要解決的問題就在于針對現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問題，提出一種簡單的線性電源電路。本專利技術(shù)提出的解決方案為本電路通過有源器件的閾值電壓產(chǎn)生電流，并采用該電流作為電路的基準(zhǔn)電流，即用自舉基準(zhǔn)產(chǎn)生參考電流，用MOS管閾值電壓作為參考電壓，再結(jié)合負反饋原理實現(xiàn)了一個簡單的線性電源，此電源不受系統(tǒng)電源VDD的影響。附圖說明圖1是本專利技術(shù)的電路原理示意圖；具體實施方式以下將結(jié)合附圖和具體實施對本專利技術(shù)做進一步詳細說明。 如圖1所示，PMOS管M3是柵漏短接的二極管形式連接，其源極電壓即M3的閾值電壓， 假設(shè)其為Vth3，該閾值電壓作為PMOS管M8的柵極偏置電壓，NMOS管Mltl的柵極電壓始終為 M10的閾值電壓，假設(shè)其為Vthici,PMOS管M4、M5的尺寸完全相同，NMOS管M9、M1(I的尺寸也完全相冋，則M9和M10的漏電流Ids相等，即Ids9=Ids...
【技術(shù)保護點】
一種簡單的線性電源電路，其特征在于：電路由PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、電阻R1、電阻R2和電阻R3組成；系統(tǒng)電源VDD連接到PMOS管M1、M4、M5、M6和M7的源極，地信號GND連接到PMOS管M3柵極和漏極、電阻R2一端、電阻R3的一端以及NMOS管M10的源極；電阻R1的一端連接到PMOS管M1的漏極，另一端連接到PMOS管M4、PMOS管M5和PMOS管M6的柵極以及PMOS管M2源極，PMOS管M2漏極連接到PMOS管M3的源極和PMOS管M8的柵極，PMOS管M2柵極連接到PMOS管M1的柵極、PMOS管M4漏極以及NMOS管M9的漏極；NMOS管M9的源極連接到電阻R2以及NMOS管M10的柵極，NMOS管M9柵極連接到NMOS管M10的漏極、NMOS管M11的柵極以及PMOS管M5漏極；PMOS管M6漏極連接到PMOS管M7的柵極和NMOS管M11的漏極，NMOS管M11的源極連接到PMOS管M8的漏極和電阻R3的一端...
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蔣仁杰，
申請(專利權(quán))人：長沙景嘉微電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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