本發(fā)明專利技術(shù)公開(kāi)了一種高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻及其制作方法，由具有PTC特性的高分子材料芯材和貼覆于芯材兩面的金屬箔電極層構(gòu)成；其是在貼覆有金屬箔電極層的片材上利用不同形狀刀頭的刀具裁切的方式可以在其周緣形成斜面或弧面。令兩銅箔電極之間的爬電距離比原來(lái)直線距離長(zhǎng)，產(chǎn)品耐壓特性得以提高，有效減少了電極間電弧放電現(xiàn)象，有效降低擊穿，燃燒等異常現(xiàn)象發(fā)生幾率；并且該斜面或弧面可利用不同刀具在制造的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻片材上直接裁切而成，因此，其具有同時(shí)制造簡(jiǎn)單，不增加額外的制作工序，可以降低成本，提高性能，并快速且經(jīng)濟(jì)的大量生產(chǎn)。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)主要涉及具有正溫度系數(shù)電阻率高分子聚合物的電子元件或裝置，特別是指一種高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻及其制作方法。
技術(shù)介紹
具有正溫度系數(shù)(Positive Temperature Coefficient, PTC)特性的導(dǎo)電復(fù)合材料的電阻具有對(duì)溫度變化反應(yīng)敏銳的特性，目前已被廣泛應(yīng)用于過(guò)電流保護(hù)元件或電路元件上。由于PTC導(dǎo)電復(fù)合材料在正常溫度下的電阻可維持極低值，使電路可以正常運(yùn)作，當(dāng)電路發(fā)生過(guò)大電流或過(guò)高溫度時(shí)，其電阻值會(huì)瞬時(shí)升高到高阻態(tài)狀態(tài)，使電路處于一種近 似“開(kāi)路”狀態(tài)，將電路電流限制在極低的水平，以達(dá)到保護(hù)電路的目的。而當(dāng)故障排除后，熱敏電阻器的溫度下降，其電阻值又可恢復(fù)到低電阻狀態(tài)。目前過(guò)電流保護(hù)用高分子熱敏電阻，也稱PPTC (Polymer Positive Temperaturecoefficient)或自恢復(fù)保險(xiǎn)絲，通常用結(jié)晶性高分子聚合物(例如高密度聚乙烯等)，導(dǎo)電粉末(例如碳黑等)，填料，抗氧劑，助交聯(lián)劑等經(jīng)混煉加工芯材后，將金屬箔電極復(fù)合在芯材兩面，復(fù)合片材再經(jīng)切割，或沖裁制成一定尺寸的芯片，再經(jīng)焊接引線，包封而成。這已在本領(lǐng)域中公知。利用現(xiàn)有結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及技術(shù)工藝生產(chǎn)的PPTC存在如下缺陷。在PPTC動(dòng)作后，電壓幾乎都加在PPTC的兩電極之間，由于兩面邊緣的銅箔電極距離較近，在電壓較高的應(yīng)用場(chǎng)合，例如220V電路，有時(shí)就容易在PPTC芯片邊緣產(chǎn)生爬電，跳火，當(dāng)電弧嚴(yán)重時(shí)，容易產(chǎn)生擊穿、燃燒等現(xiàn)象，導(dǎo)致PPTC失效。為解決這個(gè)問(wèn)題，增大兩面銅箔電極之間的爬電距離，公開(kāi)號(hào)為CN1416142的中國(guó)專利，是用電路板腐蝕技術(shù)，在芯片邊緣蝕刻掉一圈銅箔，以加大兩面銅箔電極之間的爬電距離，這樣的方法要增加幾道工序，成本增加。而公開(kāi)號(hào)為CN101315823A的中國(guó)專利提出另一種方法，將切割沖裁好的PPTC芯片再次放入熱壓機(jī)加熱加壓，以使PPTC料從邊緣擠出一點(diǎn)，以達(dá)到加大兩面銅箔電極之間的爬電距離的目的。這樣做同樣存在增加工序，效率低，成本增加的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是提供一種高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻及其制作方法，其有效減少電極間電弧放電現(xiàn)象，以降低擊穿，同時(shí)具有制造成本低，便于加工的特點(diǎn)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)的解決方案是 一種高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻，由具有PTC特性的高分子材料芯材和貼覆于芯材兩面的金屬箔電極層構(gòu)成；其中在熱敏電阻的周緣裁切出斜面。所述斜面是以芯材截面中心線分別向兩面的金屬箔電極層傾斜形成上下兩斜面，即V型切斷面。所述上下兩斜面為對(duì)稱或不對(duì)稱設(shè)置。所述上下兩斜面分別與芯材截面中心線成20-80度的夾角。所述斜面是以上下兩金屬箔電極層分別向芯材中部?jī)A斜形成出上下兩斜面，上下兩斜面之間形成有直邊。一種制作所述高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻的方法，其具體步驟為 步驟1，將貼覆有金屬箔電極層的片材置于模具或夾具上； 步驟2，采用V型刀頭在片材兩面切割線上分別開(kāi)出V形槽； 步驟3，依V形槽為斷線將各部分片材分離便形成多個(gè)單獨(dú)的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻。 所述步驟3中再采用直切頭垂直裁切V形槽的底部便將各部分片材分離形成多個(gè)單獨(dú)的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻。一種高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻，由具有PTC特性的高分子材料芯材和貼覆于芯材兩面的金屬箔電極層構(gòu)成；其中在熱敏電阻的周緣裁切出弧面。所述弧面是以芯材截面中心向外弧凸形成。所述弧面是以芯截面中心線分別向兩面的金屬箔電極層形成內(nèi)凹或外凸的上下兩弧面。所述的上下兩弧面為對(duì)稱或不對(duì)稱設(shè)置。一種制作所述高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻的方法，其具體步驟為 步驟1，將貼覆有金屬箔電極層的片材置于模具或夾具上； 步驟2，采用弧形刀頭在片材兩面切割線上分別開(kāi)出弧形槽； 步驟3，依弧形槽中心為斷線將各部分片材分離便形成多個(gè)單獨(dú)的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻。所述步驟2中的弧形刀頭為兩邊對(duì)稱或不對(duì)稱的外凸弧形刀頭。所述步驟2中的弧形刀頭為兩邊對(duì)稱或不對(duì)稱的內(nèi)凹弧形刀頭。采用上述方案后，本專利技術(shù)的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻是在貼覆有金屬箔電極層的片材上利用不同形狀刀頭的刀具裁切的方式可以在其周緣形成斜面或弧面，令兩銅箔電極之間的爬電距離比原來(lái)直線距離長(zhǎng)，產(chǎn)品耐壓特性得以提高，有效減少了電極間電弧放電現(xiàn)象，有效降低擊穿，燃燒等異常現(xiàn)象發(fā)生幾率；并且該斜面或弧面可利用不同刀具在制造的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻片材上直接裁切而成，因此，其具有同時(shí)制造簡(jiǎn)單，不增加額外的制作工序，可以降低成本，提高性能，并快速且經(jīng)濟(jì)的大量生產(chǎn)。附圖說(shuō)明圖1是本專利技術(shù)實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意 圖2是本專利技術(shù)高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻片材示意 圖3是本專利技術(shù)的制作示意圖1; 圖4是本專利技術(shù)的制作示意圖2; 圖5是本專利技術(shù)的實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意 圖6是本專利技術(shù)的實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意 圖7是本專利技術(shù)的實(shí)施例4的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施例方式如圖1至圖7所示，本專利技術(shù)揭示了一種高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻1，其是由具有PTC特性的高分子材料芯材11和貼覆于芯材兩面的金屬箔電極層12、13構(gòu)成；如圖1、5、6所示，本專利技術(shù)的關(guān)鍵在于在熱敏電阻I的周緣裁切出斜面。如圖1所示，此斜面是芯材11截面中心線分別向兩面的金屬箔電極層12、13傾斜形成上下兩斜面121、131，即構(gòu)成V型切斷面。配合圖2、3、4所示，各熱敏電阻I在制作時(shí)，是將一貼覆有金屬箔電極層的片材10置于模具或夾具中，采用V型刀頭，在片材兩面切割線上，都開(kāi)出V形槽，如4圖所示，當(dāng)所有切割線都開(kāi)槽后，就可以分開(kāi)成為多個(gè)單獨(dú)的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻。由于高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻邊緣采用斜面的形式形成有突出部，因此，兩面銅箔電極之間的爬電距離比原來(lái)直線距離長(zhǎng)，產(chǎn)品耐壓特性得以提高。 此高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻周緣的形狀可采用不同的刀具利用上述的裁切方法即可。如圖4所示，本專利技術(shù)的實(shí)施例2，其斜面是以上下兩金屬箔電極層12、13分別向芯材11中部?jī)A斜形成出上下兩斜面123、133，上下兩斜面123、133之間形成有直邊111，即形成一梯形的切斷面，同樣可以實(shí)現(xiàn)加長(zhǎng)兩面銅箔電極之間爬電距離的功效。而制作時(shí)，先利用V型刀頭刀具在片材兩面切割線上分別開(kāi)出V形槽，之后再采用直切頭垂直裁切V形槽的底部便將各部分片材分離形成多個(gè)單獨(dú)的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻。此述實(shí)施例1、2中的斜面與芯材11中心線成20-80度的夾角為最佳。并且上下兩斜面傾斜的角度可為對(duì)稱或非對(duì)稱設(shè)置。再如圖5、6所示，此熱敏電阻的周緣可利用弧形刀頭刀具裁切出弧面，同樣可以令芯材11的邊緣凸出于兩銅箔電極層12、13的邊緣，以增加兩面銅箔電極之間的爬電距離。如圖5所示，本專利技術(shù)的實(shí)施例3，此弧面112是以芯材11截面中心向外弧凸形成，制作時(shí)是采用兩邊對(duì)稱的內(nèi)凹弧形刀頭刀具裁切。而如圖6所示的本專利技術(shù)實(shí)施例4，此弧面是以芯材11截面中心線分別向兩面的金屬箔電極層12、13形成內(nèi)凹或外凸的上下兩弧面122、132，則制作時(shí)是采用兩邊對(duì)稱或不對(duì)稱的外凸或內(nèi)凹的弧形刀頭刀具裁切。總之，本專利技術(shù)的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻通過(guò)裁切的方式可以在其周緣形成斜面或弧面，令兩銅箔電極之間的爬電距離比原來(lái)直線本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻，由具有PTC特性的高分子材料芯材和貼覆于芯材兩面的金屬箔電極層構(gòu)成；其特征在于：在熱敏電阻的周緣裁切出斜面。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻，由具有PTC特性的高分子材料芯材和貼覆于芯材兩面的金屬箔電極層構(gòu)成；其特征在于在熱敏電阻的周緣裁切出斜面。2.如權(quán)利要求1所述的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻，其特征在于所述斜面是以芯材截面中心線分別向兩面的金屬箔電極層傾斜形成上下兩斜面，即V型切斷面。3.如權(quán)利要求2所述的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻，其特征在于所述上下兩斜面為對(duì)稱或不對(duì)稱設(shè)置。4.如權(quán)利要求2或3所述的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻，其特征在于所述上下兩斜面分別與芯材截面中心線成20-80度的夾角。5.如權(quán)利要求1所述的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻，其特征在于所述斜面是以上下兩金屬箔電極層分別向芯材中部?jī)A斜形成出上下兩斜面，上下兩斜面之間形成有直邊。6.一種制作如權(quán)利要求1、2、3、4或5所述高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻的方法，其具體步驟為步驟1，將貼覆有金屬箔電極層的片材置于模具或夾具上；步驟2，采用V型刀頭在片材兩面切割線上分別開(kāi)出V形槽；步驟3，依V形槽為斷線將各部分片材分離便形成多個(gè)單獨(dú)的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻。7.如權(quán)利要求6所述的高耐壓等級(jí)高分子PTC熱敏電阻制作方法，其特征在于所述步驟3中再采用直切頭垂直裁切V形槽的底部便將各部分片材分離形成...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃恩琳，黃子軒，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廈門(mén)萊納電子有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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