發(fā)光二極管制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)的示例性實(shí)施例涉及包括位于基底上且適合用于AC驅(qū)動的多個發(fā)光單元的發(fā)光二極管。發(fā)光二極管包括基底和形成在基底上的多個發(fā)光單元。每個發(fā)光單元包括處于發(fā)光單元的邊界處的第一區(qū)域和與第一區(qū)域相對的第二區(qū)域。第一電極焊盤形成在發(fā)光單元的第一區(qū)域中。具有線性形狀的第二電極焊盤設(shè)置成面對第一電極焊盤，同時與第二區(qū)域的邊界一起限定外圍區(qū)域。布線在兩個相鄰的發(fā)光單元之間將第一電極焊盤連接到第二電極焊盤。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例涉及包括化合物半導(dǎo)體的發(fā)光二極管和適于AC操作的發(fā)光二極管。
技術(shù)介紹
發(fā)光二極管(LED)可以由化合物半導(dǎo)體制成，化合物半導(dǎo)體例如包括基于第III族氮化物的化合物半導(dǎo)體，發(fā)光二極管已經(jīng)用在包括顯示裝置和背光單元的大范圍的應(yīng)用中，也已經(jīng)用作作為現(xiàn)有的白熾燈和熒光燈的替代品的用于普通照明的光源。 通常，LED根據(jù)由AC電源施加的電流的方向而重復(fù)地接通/斷開。因此，當(dāng)LED直接連接到AC電源時，LED不是連續(xù)地發(fā)光，并且有可能因反向電流而受到損傷。為T解決LED的這種問題，由Sakai等人提交的題目為“Light-emitting device havinglight-emitting elements (具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置)”的第W02004/023568 (Al)號國際公開提出了一種直接連接到高電壓AC電源的LED。圖1示出了傳統(tǒng)的AC發(fā)光二極管I。參照圖1 ,AC發(fā)光二極管I包括形成在絕緣基底2上的多個矩形發(fā)光單元4。此外，結(jié)合焊盤3a、3b形成在基底2上。傳統(tǒng)的發(fā)光二極管I包括在每個發(fā)光單元4上的n型電極焊盤6和p型電極焊盤8。將發(fā)光單元4部分地去除到預(yù)定的深度，以暴露發(fā)光單元4中的中間層的一部分。暴露的層通常為n型半導(dǎo)體層，n型電極焊盤6形成在暴露的n型半導(dǎo)體層的區(qū)域上。p型電極焊盤8形成在發(fā)光單元4的頂部處的p側(cè)區(qū)域上。結(jié)合焊盤3a、3b與結(jié)合焊盤3a、3b之間的發(fā)光單元4通過布線5相互串聯(lián)連接。相鄰發(fā)光單元的p型電極焊盤8和n型電極焊盤6通過布線5相互連接。在這種傳統(tǒng)的發(fā)光二極管I中，如果在對應(yīng)的發(fā)光單元4中，n型電極焊盤6和p型電極焊盤8之間的距離大，則電流主要集中在p型電極焊盤8附近，從而在p型電極焊盤8附近發(fā)射強(qiáng)烈的光。此外，當(dāng)p型電極焊盤8位于n型電極焊盤6附近時，在p型電極焊盤8與n型電極焊盤6之間的區(qū)域中亮度提高，但是在p型電極焊盤8與發(fā)光單元4的邊界之間的區(qū)域中亮度明顯降低。這就導(dǎo)致發(fā)光二極管的發(fā)光均勻性有明顯的劣化，并且成為在制造大尺寸發(fā)光二極管時的主要障礙。在其它類型的傳統(tǒng)發(fā)光二極管中，n型電極焊盤和p型電極焊盤可以成對角地在發(fā)光單元的相對的角部處設(shè)置成彼此面對。然而，在這些類型的發(fā)光二極管中，只有P型電極焊盤附近的亮度高，從而導(dǎo)致不均勻的發(fā)光。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
技術(shù)問題本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例提供了一種在發(fā)光單元的具有不同極性的電極焊盤之間具有改善了的電流擴(kuò)散特性以提供均勻的發(fā)光的發(fā)光二極管。本專利技術(shù)的附加的特征將在下面的描述中進(jìn)行闡述，部分地通過描述將是清楚的，或者可通過實(shí)踐本專利技術(shù)而了解。技術(shù)方案本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例公開了一種包括基底、多個發(fā)光單元、第一電極焊盤、第二電極焊盤和布線的發(fā)光二極管。多個發(fā)光單元設(shè)置在基底上。每個發(fā)光單元包括處于發(fā)光單元的邊界處的第一區(qū)域和與第一區(qū)域相對的第二區(qū)域。第一電極焊盤設(shè)置在第一區(qū)域處。第二電極焊盤具有線性形狀并且設(shè)置成面對第一電極焊盤。第二電極焊盤與第二區(qū)域的邊界一起限定外圍區(qū)域。布線將第一發(fā)光單元的第一電極焊盤連接到第二發(fā)光單元的第二電極焊盤。本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例公開了一種包括發(fā)光單元、第一電極焊盤和第二電極焊盤的發(fā)光二極管。第一電極焊盤設(shè)置在第一區(qū)域處。第二電極焊盤具有線性形狀并且設(shè)置成面對第一電極焊盤。第二電極焊盤與第二區(qū)域的邊界一起限定外圍區(qū)域。 本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例公開了一種包括基底、多個發(fā)光單元、布線層、絕緣層和微透鏡的發(fā)光二極管。多個發(fā)光單元在基底上彼此分離。每個發(fā)光單元包括下半導(dǎo)體層、設(shè)置在下半導(dǎo)體層的至少一部分上的有源層、上半導(dǎo)體層以及透明電極層。布線層將第一發(fā)光單元的下半導(dǎo)體層電連接到與第一發(fā)光單元相鄰的第二發(fā)光單元的上半導(dǎo)體層。絕緣層設(shè)置在布線層和所述多個發(fā)光單元之間，以防止由于布線層而導(dǎo)致的所述多個發(fā)光單元的短路。微透鏡形成在所述多個發(fā)光單元上。本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例公開了一種包括基底、多個發(fā)光單元、布線層和絕緣層的發(fā)光二極管。多個發(fā)光單元在基底上彼此分離。每個發(fā)光單元包括下半導(dǎo)體層、設(shè)置在下半導(dǎo)體層的至少一部分上的有源層、上半導(dǎo)體層以及透明電極層。布線層將第一發(fā)光單元的下半導(dǎo)體層電連接到與第一發(fā)光單元相鄰的第二發(fā)光單元的上半導(dǎo)體層。絕緣層設(shè)置在布線層和所述多個發(fā)光單元之間，以防止由于布線層而導(dǎo)致的所述多個發(fā)光單元的短路。每個發(fā)光單元包括位于布線層下方的電流屏蔽件。有益效果應(yīng)當(dāng)理解，前述的總體描述和下面的詳細(xì)描述是示例性的和說明性的，并且意圖提供對所保護(hù)的本專利技術(shù)的進(jìn)一步解釋。附圖說明附圖示出了本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例，并且與描述一起用來解釋本專利技術(shù)的原理，其中，包括附圖來提供對本專利技術(shù)的進(jìn)一步理解，并且附圖被包含在本說明書中并且構(gòu)成本說明書的一部分。圖1是根據(jù)本專利技術(shù)示例性實(shí)施例的傳統(tǒng)的包括多個發(fā)光單元的發(fā)光二極管的平面圖。圖2是根據(jù)本專利技術(shù)示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管的平面圖。圖3是根據(jù)本專利技術(shù)示例性實(shí)施例的在圖2中示出的發(fā)光二極管的發(fā)光單元的放大平面圖。圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9和圖10是根據(jù)本專利技術(shù)示例性實(shí)施例的發(fā)光單元的平面圖。圖1IA和圖1IB是分別示出了根據(jù)本專利技術(shù)示例性實(shí)施例的示例和對比示例的發(fā)光二極管的發(fā)光均勻性的測試結(jié)果的照片。圖12是根據(jù)本專利技術(shù)示例性實(shí)施例的沿著圖2中的發(fā)光二極管的1-1線截取的剖視圖。圖13、圖14、圖15和圖16是示出了根據(jù)本專利技術(shù)示例性實(shí)施例的制造圖12的發(fā)光二極管的方法的剖視圖。圖17示出了根據(jù)本專利技術(shù)示例性實(shí)施例的各種微透鏡的平面圖。圖18和圖19是根據(jù)本專利技術(shù)示例性實(shí)施例的各種微透鏡的照片。具體實(shí)施方式 在下文中參照附圖更充分地描述本專利技術(shù)，在附圖中示出了本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例。然而，本專利技術(shù)可以以許多不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例使得本公開是徹底的，并且這些示例性實(shí)施例將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本專利技術(shù)的范圍。在附圖中，為了清楚起見，可以夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。附圖中同樣的標(biāo)號表示同樣的元件?？梢允÷栽诖税拿枋龊凸δ艿脑敿?xì)描述，以避免使本專利技術(shù)的主題變得模糊。將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或者“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，該元件可以直接在所述另一元件或?qū)由希蛘?，也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接到”或者“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)所列項(xiàng)目的任意組合和所有組合。將理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，在不脫離本專利技術(shù)的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。為了易于描述，在這里可使用空間相對術(shù)語，如“在…之下”、“在…下方”、“下”、“在…上方”、“上”等來描述如圖所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對術(shù)語意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2010.07.22 KR 10-2010-0070840;2010.10.28 KR 10-2011.一種發(fā)光二極管，包括 基底； 多個發(fā)光單元，設(shè)置在基底上，每個發(fā)光單元包括處于發(fā)光單元的邊界處的第一區(qū)域和與第一區(qū)域相對的第二區(qū)域； 第一電極焊盤，設(shè)置在第一區(qū)域處； 第二電極焊盤，具有線性形狀并且設(shè)置成面對第一電極焊盤，第二電極焊盤與第二區(qū)域的邊界一起限定外圍區(qū)域；以及 布線，將第一發(fā)光單元的第一電極焊盤連接到第二發(fā)光單元的第二電極焊盤。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，第二電極焊盤的端部與第二區(qū)域的邊界相鄰。3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其中，布線與第一電極焊盤和第二電極焊盤一體地形成。4.如權(quán)利要求所述的發(fā)光二極管，其中，第一電極焊盤包括沿著第一區(qū)域的輪廓彼此連接的至少兩個線性部分或者至少一個彎曲部分。5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，每個發(fā)光單元包括四邊形形狀，第一電極焊盤包括分別平行于第一區(qū)域的兩條邊且在第一區(qū)域的頂點(diǎn)附近彼此相交的兩個線性部分。6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其中，第二電極焊盤包括從第二電極焊盤的與第二區(qū)域的兩條邊相鄰的端部朝著第一電極焊盤延伸且在第二電極焊盤的中間部分彼此相交的兩個線性部分。7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其中，第二電極焊盤的線性部分之間限定的角度大于或等于第一電極焊盤的線性部分之間限定的角度。8.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其中，第二電極焊盤包括單個線性部分，所述單個線性部分包括與第二區(qū)域的兩條邊相鄰地設(shè)置的兩個端部。9.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其中，一個發(fā)光單元的第一電極焊盤的兩個線性部分中的一個線性部分被包括在與所述一個發(fā)光單元相鄰的另一發(fā)光單元中，所述一個發(fā)光單元的第一電極焊盤的另一線性部分連接到所述另一發(fā)光單元中的線性部分而形成直線。10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，每個發(fā)光單元包括圓形或橢圓形的形狀，第一電極焊盤沿著第一區(qū)域形成為弧形形狀。11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管，其中，第二電極焊盤包括平行于第一電極焊盤的弧形形狀。12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，每個發(fā)光單元包括多邊形形狀，第一電極焊盤平行于第二電極焊盤。13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管還包括 第一結(jié)合焊盤和第二結(jié)合焊盤，設(shè)置在基底上， 其中，所述多個發(fā)光單元包括第一發(fā)光單元，包括連接到第一結(jié)合焊盤的第一電極焊盤；第二發(fā)光單元，包括經(jīng)由布線連接到第二結(jié)合焊盤的第二電極焊盤。14.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管還包括設(shè)置在發(fā)光單元上的微透鏡。15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管還包括設(shè)置在微透鏡上的保護(hù)絕緣膜。16.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，每個發(fā)光單元包括防止電流在第二電極焊盤下方擴(kuò)散的電流屏蔽件。17.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管，其中，電流屏蔽件包括從二氧化硅、氮化鋁、氮化硅和二氧化鈦中選擇的至少一種材料。18.如權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管，其中，電流屏蔽件的結(jié)構(gòu)包括交替地堆疊在彼此上方的低折射率層和高折射率層，低折射率層包括二氧化硅或氧化鋁，高折射率層包括氮化硅或二氧化鈦。19.一種發(fā)光二極管,包括 發(fā)光單元，包括處于發(fā)光單元的邊界處的第一區(qū)域和與第一區(qū)域相對的第二區(qū)域； 第一電極焊盤，設(shè)置在第一區(qū)域處；以及 第二電極焊盤，包括線性形狀并且設(shè)置成面對第一電極焊盤，第二電極焊盤與第二區(qū)域的邊界一起限定外圍區(qū)域。20.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管，其中，第一電極焊盤包括沿著第一區(qū)域的輪廓彼此連接的至少兩個線性部分或者至少一個彎曲部分。21.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管，其中，發(fā)光單元包括四邊形形狀，第一電極焊盤包括分別平行于第一區(qū)域...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金鐘奎，李曉羅，石昊埈，慎鎮(zhèn)哲，
申請(專利權(quán))人：首爾OPTO儀器股份有限公司，
類型：
國別省市：