【技術實現步驟摘要】
本公開涉及，更具體地，涉及用于接收和檢測從具有溫度的物體發射的紅外光的。
技術介紹
具有預定溫度T的物體根據黑體輻射發出具有寬頻帶、指示特定波長中的最大值的光。在室溫從附近物體發射的光是紅外光，其在約IOym的波長帶中顯示出最大值。當所發射的紅外光入射到經由熱支線連接到環境的熱質量時，溫度升高。由于由入射紅外光弓I起的溫度變化，電阻變化、極性變化、電動力變化和撓曲變化可以根據材料的特性產生，這樣的變化被轉變成圖像陣列以獲得熱成像。特別地，輻射熱測量計可以用于利用材料的電阻變化實現熱成像。確定像素的溫度變化量的主要因素是入射能量的量、像素的熱質量以及像素的熱傳導，該入射能量的量與在給定的波長帶中像素的平均光吸收率乘以像素面積的結果成比例。具有等于或超過視頻圖形陣列(VGA)水平的格式的陣列通過像素最小化而發展，從而實現具有高分辨率和高溫度精度的熱照相機。然而，在像素最小化中，入射能量的量由于減小的像素面積而減小，溫度變化的量由于由熱支路(thermal leg)的減小長度所引起的増大的熱傳導而減小。因而，溫度噪聲因子増大，因此，具有大于所用波長的衍射極限的尺寸(高達10 u m)的像素被認為是限制。
技術實現思路
本專利技術提供紅外熱檢測器及該紅外熱檢測器的制造方法，該紅外熱檢測器通過經由可產生局域表面等離子體共振現象的結構將光聚焦在小的區域上而在相同量的入射能量下獲得小的熱質量和小的熱傳導從而具有超小型化和高靈敏度的特性。額外的方面將在以下的描述中部分地闡述，并將部分地從該描述而變得明顯，或者可以通過實踐給出的實施例而獲知。根據本專利技術的ー個方面，一種紅外...
【技術保護點】
一種紅外熱檢測器，包括：基板；檢測器，與所述基板間隔開，經由局域表面等離子體共振吸收入射的紅外光，并根據由所吸收的紅外光引起的溫度變化來改變電阻值；以及熱支路，將來自所述檢測器的信號傳輸到所述基板。
【技術特征摘要】
2011.10.10 KR 10-2011-0103049;2012.06.27 KR 10-201.一種紅外熱檢測器，包括 基板； 檢測器，與所述基板間隔開，經由局域表面等離子體共振吸收入射的紅外光，并根據由所吸收的紅外光引起的溫度變化來改變電阻值；以及 熱支路，將來自所述檢測器的信號傳輸到所述基板。2.如權利要求1所述的紅外熱檢測器，其中所述檢測器包括 金屬層，具有一結構，該結構被圖案化使得入射的紅外光經由所述局域表面等離子體共振被吸收；以及 熱電材料層，形成在所述金屬層的底部以包括將所吸收的紅外光引起的溫度變化轉換為電阻變化的材料。3.如權利要求2所述的紅外熱檢測器，其中所述檢測器被圖案化為具有盤形、環形、條形或與條形結合的形狀。4.如權利要求2所述的紅外熱檢測器，其中所述熱支路通過使用與所述熱電材料層相同的材料與所述熱電材料層一體地形成或通過使用不同的材料堆疊在所述熱電材料層上。5.如權利要求4所述的紅外熱檢測器，其中所述熱電材料層被圖案化為對應于所述金屬層的結構。6.如權利要求4所述的紅外熱檢測器，其中所述熱電材料層具有平板形。7.如權利要求2所述的紅外熱檢測器，其中所述熱電材料層包括非晶硅、釩氧化物和鎳氧化物中的至少一種材料，其電阻值根據溫度變化而變化。8.如權利要求2所述的紅外熱檢測器，其中所述金屬層包括從由金、鋁、銅、鈦、鉬和銀構成的組中選出的至少一種材料。9.如權利要求2所述的紅外熱檢測器，其中所述檢測器還包括在所述金屬層與所述熱電材料層之間的電介質層。10.如權利要求1所述的紅外熱檢測器，其中所述熱支路通過使用能夠電連接的材料獨立于所述檢測器形成。11.如權利要求1所述的紅外熱檢測器，其中所述熱支路包括距中心不同距離的多個半環以及連接所述多個半環的第一連接器。12.如權利要求11所述的紅外熱檢測器，其中所述熱支路形成為使得每個包括所述多個半環和所述第一連接器的一對結構跨過所述檢測器彼此面對地設置。13.如權利要求1所述的紅外熱檢測器，其中在所述基板與所述檢測器之間具有空氣間隙。14.如權利要求1所述的紅外熱檢測器，其中存在阻擋所述基板與所述檢測器之間熱傳導的材料層。15.如權利要求1所述的紅外熱檢測器，還包括在所述檢測器或所述熱支路下面的基板上阻...
【專利技術屬性】
技術研發人員：樸海錫，南圣炫，申昶均，金楨佑，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：
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