【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及ー種平面微透鏡陣列的制作方法。
技術介紹
變折射率平面微透鏡陣列是一種集微型化、陣列化、集成化等特點的重要微小光學元件之一。由于元透鏡掩埋于玻璃基片內,因此抵抗溫度變化及外界應カ的能力較強,具有重要的科學研究價值和廣闊的應用前景,如光纖傳感系統,光信息處理系統,多孔徑光學系統等實際應用領域,是耦合器陳列、連接器陳列、分光器陣列等的關鍵部件。過去制作的微透鏡陣列,元透鏡大多是圓柱或半球形,但其圓孔排列方式使其填充系數小(填充系數定義為有效受光面積與總受光面積的比值),這樣大量的光信息會被損失掉而引起光信息失真。圓孔六角緊密排列使得填充系數有所提高,然仍存在9. 3%的光信息損失。所以在要求光信息盡可能全部利用時,讓填充系數最大化成了一個關鍵技術難題,這就要求微透鏡陣列緊湊密集排列,透鏡元之間盡可能無間隙。對變折射率平面微透鏡的研究已比較成熟,自1982年K.1ga等人提出平面微透鏡陣列的概念以來他們就一直致力于·該類元件的理論和實驗研究(Appl. Opt. 21,1052(1982) ;Appl. Opt. 29, 4092 (1990) ;Appl. Opt. 31, 5255 (1992) ;OPTICAL REVIEW5,I (1998) ;Appl. Opt. 29, 4077 - 4080(1990)),主要采用光刻離子交換法來制作,這兩種エ藝的發展目前都已經非常成熟。德國K.-H. Brenner等人也提出了圓孔中心按正方形,六角形和徑向對稱排列的平面微透鏡陣列(Proc. SPIE. 4437,50 (2001) ;Proc. ...
【技術保護點】
一種制作高填充系數的方形孔徑平面微透鏡陣列的方法,所述方法包括下列步驟:選用Na+含量較高的光學玻璃作為基片,并進行精細研磨、拋光,保證有良好的光潔度,再進行基片表面清洗,然后在玻璃基片上濺射1μm以上的鈦膜層;在鈦膜層上均勻涂光刻膠;使用紫外線進行曝光,進行顯影去除鈦膜層和光刻膠;進行離子交換,其特征在于:在所述進行曝光時采用了具有方孔的方形掩模板,其中方孔的四邊與相鄰四孔中心連線所構成的正方形四邊相平行或垂直;離子交換時置于T12SO4和ZnSO4照T12SO4:ZnSO4=1:3(以重量相比)組成的混合熔鹽中,交換溫度在490°C進行離子交換,形成微透鏡陣列,形成的微透鏡陣列中由于相鄰四個透鏡元間各角區域共同構成了一個新的折射率分布,其分布區域中離子濃度從內向外正好與單個透鏡的離子濃度分布相反,所以兩種成像也一正一反。
【技術特征摘要】
1.一種制作高填充系數的方形孔徑平面微透鏡陣列的方法,所述方法包括下列步驟 選用Na+含量較高的光學玻璃作為基片,并進行精細研磨、拋光,保證有良好的光潔度,再進行基片表面清洗,然后在玻璃基片上濺射以上的鈦膜層; 在鈦膜層上均勻涂光刻膠; 使用紫外線進行曝光, 進行顯影 去除鈦膜層和光刻膠; 進行離子交換, 其特征在于在所述進行曝光時采用了具有方孔的方形掩模板,其中方孔的四邊與相鄰四孔中心連線所構成的正方形四邊相平行或垂直; 離子交換時置于Tl2SO4和ZnSO4照Tl2SO4 =ZnSO4=I ...
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