【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種。
技術(shù)介紹
為了增加單晶硅片的應(yīng)力，需要對硅片邊緣進(jìn)行加工，使硅片邊緣形成倒角。利用砂輪打磨可形成倒角。其中一種加工方法是分兩次打磨加工，打磨去除徑向長度為O. 7mm。采用兩次打磨的方法，因打磨而劃傷硅片導(dǎo)致的硅片不良率達(dá)到了 O. 15%。采用兩次打磨的加工方法的另一個缺點(diǎn)是加工的硅片在外延后會產(chǎn)生滑移線，產(chǎn)生滑移線的外延片比例最高達(dá)到7%。滑移線的長度約為3-5mm。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的之一是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種可降低硅片不良率的。為實(shí)現(xiàn)以上目的，本專利技術(shù)通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)，其特征在于，利用砂輪打磨硅片邊緣，去除設(shè)定徑向長度的硅片，使硅片邊緣形成倒角；打磨次數(shù)為三次以上，三次以上打磨去除設(shè)定徑向長度的硅片。優(yōu)選地是，分四次打磨去除設(shè)定徑向長度的硅片。優(yōu)選地是，前兩次每次 打磨去除硅片徑向長度大于等于后兩次每次去除硅片徑向長度。優(yōu)選地是，總?cè)コ杵瑥较蜷L度為0.7mm，第一次打磨去除徑向長度為O.45-0. 60mm ;第二次打磨去除徑向長度為O. 01-0.1mm ;第三次打磨去除徑向長度為O.01-0. 05mm ;剩余需去除徑向長度由第四次打磨去除。本專利技術(shù)中的去除徑向長度，是指硅片最外側(cè)邊緣處沿徑向長度方向的去除徑向長度，即沿徑向長度方向去除的最大值。本專利技術(shù)中的，可以將硅片不良率降低一半，因劃傷導(dǎo)致的硅片不良率從O. 15%降低至O. 087%。而且使用本專利技術(shù)中的方法加工的硅片用于生產(chǎn)外延片，外延片未產(chǎn)生滑移線，提高了外延片的合格率。具體實(shí)施例方式下面對本專利技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的描述實(shí)施例1，...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
單晶硅片倒角加工方法，其特征在于，利用砂輪打磨硅片邊緣，去除設(shè)定徑向長度的硅片，使硅片邊緣形成倒角；打磨次數(shù)為三次以上，三次以上打磨去除設(shè)定徑向長度的硅片。
【技術(shù)特征摘要】
1.單晶硅片倒角加工方法，其特征在于，利用砂輪打磨硅片邊緣，去除設(shè)定徑向長度的硅片，使硅片邊緣形成倒角；打磨次數(shù)為三次以上，三次以上打磨去除設(shè)定徑向長度的硅片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅片倒角加工方法，其特征在于，分四次打磨去除設(shè)定徑向長度的硅片。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶硅片倒角加工方法，其特征在于，前兩次每次打磨去除硅...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：沈輝輝，黃春峰，謝江華，
申請(專利權(quán))人：上海合晶硅材料有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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