超低方阻金屬化鋁膜制造技術

一種超低方阻金屬化鋁膜，涉及電容器技術領域，由基膜和金屬化鋁膜層組成，所述的金屬化鋁膜層的方阻為0.25~0.65Ω/□，而常規金屬化鋁膜層的方阻為2~4Ω/□，即金屬化鋁膜層的厚度是常規金屬化鋁膜的7倍左右，金屬化鋁膜層大幅度增厚，意味著在真空蒸鍍金屬化鋁膜時，要在同樣的時間內在基膜上沉淀更多的鋁。本發明專利技術的超低方阻金屬化鋁膜性能穩定，長期存放不會變質，可耐受大電流沖擊，能在極端環境下如太空中使用，承受溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環境、失重和微重力等條件。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及電容器
，具體涉及一種超低方阻金屬化鋁膜。
技術介紹
將高純度鋁在高真空狀態下熔化、蒸發、沉淀到基膜上，在基膜表面形成一層極薄的金屬層后的塑料薄膜就是金屬化鋁膜。金屬化薄膜上的金屬層在單位正方形面積的電阻值稱為方塊電阻，用Ω/ □表示，因為金屬化膜上金屬化層的厚度很小極難測量，通常用方塊電阻來表示金屬鍍層的厚度。金屬化層的厚度和方阻值成反比，即方阻越低，金屬化層厚度越大。目前，常規金屬化鋁膜的方阻為2 4Ω/口。在地面一般大氣條件下，此種金屬化鋁膜使用不會出現問題，但在極端環境如太空中，溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環境、失重和微重力等條件下，無法保證其制成的電容器的可靠性。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題在于提供一種超低方阻金屬化鋁膜，可以在在極端環境如太空中，溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環境、失重和微重力等條件下使用，并有很高的可靠性。本專利技術所要解決的技術問題采用以下技術方案來實現:一種超低方阻金屬化鋁膜，由基膜和金屬化鋁膜層組成，其特征在于:所述的金屬化鋁膜層的方阻為0.25、.65 Ω / 口，而常規金屬化鋁膜層的方阻為2 4 Ω / 口，即金屬化鋁膜層的厚度是常規金屬化鋁膜的7倍左右，金屬化鋁膜層大幅度增厚，意味著在真空蒸鍍金屬化鋁膜時，要在同樣的時間內在基膜上沉淀更多的鋁。所述的基膜為有機薄膜。所述的基膜為聚酯膜或聚丙烯膜。所述的金屬化鋁膜層的金屬層為金屬鋁附著在有機薄膜上形成。為了獲得超低方阻金屬化鋁膜，需要改善鋁的融化和蒸發速度，提高沉淀到基膜上的鋁量，以及及時散發大幅度增加的熱量，因此金屬化鋁膜層采用真空蒸鍍制成。所述真空蒸鍍的條件為，真空鍍膜機的蒸鍍速度為f 3米/秒，鍍膜機冷卻主鼓的溫度為-2(T-30°C，蒸發舟為二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發舟。使用比現有的氮化硼蒸發舟性能更好的蒸發舟，二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發舟，改善鋁的融化和蒸發速度，其蒸發率可以從5克/分鐘以下提高到9.11克/分鐘；提高同時間內鋁在基膜上的沉淀量，可以降低膜的蒸鍍速度，即膜卷的轉動線速度，普通方阻金屬化鋁膜的蒸鍍速度為7米/秒，應降低到2米/秒左右。更多的鋁沉淀在基膜，也帶來更多的熱量，如果散熱不好，會燙傷有機基膜，影響金屬化鋁膜的性能，需要將鍍膜機主鼓的冷卻溫度從通常的_5°C降低到-25°C附近。所述真空鍍膜機的蒸鍍速度優選為2米/秒。所述鍍膜機冷卻主鼓的溫度優選為_25°C。本專利技術制備的低方阻金屬化鋁膜在電容器中的應用。以上述方法蒸鍍獲得的超低方阻金屬化鋁膜，經中國航天科工集團8511研究所使用確認，可以應用于太空環境，承受溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環境、失重和微重力等條件。本專利技術的有益效果是:該超低方阻金屬化鋁膜性能穩定，長期存放不會變質，可耐受大電流沖擊，能在極端環境下如太空中使用，承受溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環境、失重和微重力等條件。附圖說明圖1為本專利技術結構示意圖。具體實施例方式為了使本專利技術實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本專利技術。如圖1所示，一種超低方阻金屬化鋁膜，由基膜I和金屬化鋁膜層2組成，金屬化鋁膜層2的方阻為0.25、.65 Ω / 口，而常規金屬化鋁膜層的方阻為2 4 Ω / 口，即金屬化鋁膜層2的厚度是常規金屬化鋁膜的7倍左右，金屬化鋁膜層2大幅度增厚，意味著在真空蒸鍍金屬化鋁膜時，要在同樣的時間內在基膜上沉淀更多的鋁。其中基膜I為有機薄膜，可以選用為聚酯膜或聚丙烯膜，其中金屬化鋁膜層2的金屬層為金屬鋁附著在有機薄膜上形成。為了獲得超低方阻金屬化鋁膜，需要改善鋁的融化和蒸發速度，提高沉淀到基膜上的鋁量，以及及時散發大幅度增加的熱量，因此金屬化鋁膜層采用真空蒸鍍制成。真空蒸鍍的條件為，真空鍍膜機的蒸鍍速度為f 3米/秒，優選為2米/秒，鍍膜機冷卻主鼓的溫度為-2(T-30°C，優選為_25°C，蒸發舟為二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發舟。使用比現有的氮化硼蒸發舟性能更好的蒸發舟，二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發舟，改善鋁的融化和蒸發速度，其蒸發率可以從5克/分鐘以下提高到9.11克/分鐘；提高同時間內鋁在基膜上的沉淀量，可以降低膜的蒸鍍速度，即膜卷的轉動線速度，普通方阻金屬化鋁膜的蒸鍍速度為7米/秒，應降低到2米/秒左右。更多的鋁沉淀在基膜，也帶來更多的熱量，如果散熱不好，會燙傷有機基膜，影響金屬化鋁膜的性能，需要將鍍膜機主鼓的冷卻溫度從通常的_5°C降低到-25°C附近。以上述方法蒸鍍獲得的超低方阻金屬化鋁膜，經中國航天科工集團8511研究所使用確認，可以應用于太空環境，承受溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環境、失重和微重力等條件。以上顯示和描述了本專利技術的基本原理和主要特征和本專利技術的優點。本行業的技術人員應該了解，本專利技術不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本專利技術的原理，在不脫離本專利技術精神和范圍的前提下，本專利技術還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本專利技術范圍內。本專利技術要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種超低方阻金屬化鋁膜，由基膜和金屬化鋁膜層組成，其特征在于：所述的金屬化鋁膜層的方阻為0.25~0.65Ω/□。

【技術特征摘要】
1.一種超低方阻金屬化鋁膜，由基膜和金屬化鋁膜層組成，其特征在于:所述的金屬化鋁膜層的方阻為0.25 0.65Ω / 口。2.根據權利要求1所述的超低方阻金屬化鋁膜，其特征在于:所述的基膜為有機薄膜。3.根據權利要求2所述的超低方阻金屬化鋁膜，其特征在于:所述的基膜為聚酯膜。4.根據權利要求2所述的超低方阻金屬化鋁膜，其特征在于:所述的基膜為聚丙烯膜。5.根據權利要求1所述的超低方阻金屬化鋁膜，其特征在于:所述的金屬化鋁膜層的金屬層為金屬鋁附著在有機薄膜上形成。6.根據權利要求5所述的超低方阻金屬化鋁膜，其特征在于:所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：湯澤波，羅健，
申請(專利權)人：銅陵市東市電子有限責任公司，
類型：發明
國別省市：