【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)一般涉及電子設(shè)備的制造。更具體地，本專利技術(shù)涉及光刻方法，其允許利用負性顯影(negative tone development)工藝形成精細圖形。本專利技術(shù)發(fā)現(xiàn)了在半導(dǎo)體設(shè)備制造中的特殊用途并允許形成精細圖形。
技術(shù)介紹
在半導(dǎo)體制造行業(yè)，光致抗蝕劑材料被用來將圖像轉(zhuǎn)移到沉積在半導(dǎo)體基材上的一個或多個底層，例如金屬層、半導(dǎo)體層和介電層，以及基材本身。為了提高半導(dǎo)體設(shè)備的集成度并允許形成具有納米范圍尺寸的結(jié)構(gòu)，具有高分辨率能力的光致抗蝕劑和光刻加工工具已經(jīng)被開發(fā)和有待繼續(xù)被開發(fā)。正性化學(xué)增幅光致抗蝕劑通常被用作高分辨率加工。這種抗蝕劑通常采用具有酸不穩(wěn)定離去基團的樹脂和光產(chǎn)酸劑。曝光于光化輻射導(dǎo)致產(chǎn)酸劑形成酸，在曝光后烘烤過程中，該酸導(dǎo)致樹脂中酸不穩(wěn)定基團的斷裂。這造成了抗蝕劑的曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域在堿顯影劑水溶液中的溶解性能的差異。抗蝕劑的曝光區(qū)域在堿顯影劑水溶液中可溶并從基材表面除去，而不溶于顯影劑的未曝光區(qū)域在顯影后保留以形成正性圖像。在半導(dǎo)體設(shè)備中實現(xiàn)納米級特征尺寸的一個方法是在化學(xué)增幅光致抗蝕劑的曝光過程中，使用短波長的光，例如193nm或更小。為了進一步提高光刻性能，已經(jīng)開發(fā)出浸沒光刻工具以有效地提高成像設(shè)備透鏡的數(shù)值孔徑(NA)，例如具有KrF或ArF光源的掃描儀。這通過在成像設(shè)備的最后表面和半導(dǎo)體晶片的上表面之間使用相對高折射率的流體(即浸沒流體)來實現(xiàn)。與使用空氣或惰性氣體介質(zhì)會發(fā)生的情況相比，所述浸沒流體允許更大量的光被聚焦到抗蝕劑層中。當使用水作為浸沒流體時，最大數(shù)值孔徑可以被提高到一個值，例如從1.2到1.35。隨著數(shù)值...
【技術(shù)保護點】
一種通過負性顯影形成光刻圖形的方法，包含：(a)提供包含一個或多個待圖形化的層的基材；(b)在所述一個或多個待圖形化的層上施加光致抗蝕劑組合物層；(c)在光化輻射下圖形化曝光所述光致抗蝕劑組合物層；(d)在曝光后烘烤過程中加熱曝光后的光致抗蝕劑組合物層；和(e)用有機溶劑顯影液顯影曝光后烘烤的光致抗蝕劑組合物層，從而形成光致抗蝕劑圖形。其中，所述光致抗蝕劑組合物包含一種聚合物，其包含以下通式(I)的單元：其中：R1表示氫或C1?C3烷基；a表示1?3的整數(shù)；b表示0或1。FSA00000843182200011.tif
【技術(shù)特征摘要】
2011.11.03 US 61/555,4621.一種通過負性顯影形成光刻圖形的方法，包含: (a)提供包含一個或多個待圖形化的層的基材； (b)在所述一個或多個待圖形化的層上施加光致抗蝕劑組合物層； (C)在光化輻射下圖形化曝光所述光致抗蝕劑組合物層； (d)在曝光后烘烤過程中加熱曝光后的光致抗蝕劑組合物層；和 (e)用有機溶劑顯影液顯影曝光后烘烤的光致抗蝕劑組合物層，從而形成光致抗蝕劑圖形。其中，所述光致抗蝕劑組合物包含一種聚合物，其包含以下通式(I)的單元:2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述聚合物進一步包含具有酸不穩(wěn)定...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：Y·C·裴，孫紀斌，李承泫，樸鐘根，C·安德斯，
申請(專利權(quán))人：羅門哈斯電子材料有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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