發光二極管芯片制造技術

詳細說明了一種發光二極管芯片，包括-n型導電區(1)，-p型導電區(2)，-作用區(3)，其在所述n型導電區(1)和p型導電區(2)之間，鏡層(4)，其在所述p型導電區(2)的遠離所述作用區(3)的一側處，-封裝層(5)，其在所述鏡層(4)的遠離所述p型導電區(2)的一側處，-接觸層(6)，其在所述封裝層(5)的遠離所述鏡層(4)的一側處，其中-所述封裝層(5)沿著所述鏡層(4)的遠離所述p型導電區(2)的底部區域(43)和所述鏡層(4)的相對于所述底部區域(43)橫向地伸展的側面區域(42)進行延伸，以及-所述接觸層(6)從其面對所述n型導電區(1)的側面在適當位置可自由地到達。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】發光二極管芯片 詳細說明了一種發光二極管芯片。文獻US2007/0290215A1描述了一種發光二極管芯片。要實現的一個目的在于詳細說明一種發光二極管芯片，其在老化方面尤其穩定。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述發光二極管芯片包括n型導電區、P型導電區和布置在所述n型導電區和p型導電區之間的作用區。例如通過相應地摻雜的半導體區來形成所述n型導電區和p型導電區。所述作用區提供為用于在所述發光二極管芯片的操作中產生例如從紅外輻射至UV輻射的波長范圍的電磁輻射。為此目的，所述作用區可包括例如Pn結、單量子阱結構或多量子阱結構。進一步，所述作用區可能包括多個輻射產生層。所述發光二極管芯片，即，例如所述n型導電區、p型導電區和/或所述作用區，以例如氮化物半導體為基礎。其意味著所述區或至少部分所述區包括氮化物化合物半導體材料(例如AlnGamIn1^mN)或由所述材料組成,其中適用如下:0: n ^ 1,0: m ^ I且n+m^ 10在此情況下，所述材料無需一定具有根據上式的數學上精確的組分。相反，其可包括例如一種或多種摻雜劑以及額外組成部分。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述發光二極管芯片包括鏡層，其被布置在所述P型導電區的遠離所述作用區的一側處。所述鏡層可例如直接地鄰接所述P型導電區。所述鏡層被提供用于在所述n型導電區的方向上反射在所述發光二極管芯片的操作期間在所述作用區中產生的電磁輻射。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述發光二極管芯片包括布置在所述鏡層的遠離所述P型導電區的一側處的封裝層。所述封裝層可直接接觸所述鏡層。所述封裝層充當用于所述鏡層的屏障且抑制或防止例如濕氣穿透到所述鏡層中。例如，替代地或附加地，所述封裝層可適合于防止將形成所述鏡層的材料擴散到所述P型導電區中。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述發光二極管芯片包括接觸層，其被布置在所述封裝層的遠離所述鏡層的一側處。所述接觸層可例如直接接觸所述封裝層。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述封裝層沿著所述鏡層的遠離所述P型導電區的底部區域和所述鏡層的相對于所述底部區域橫向地(例如垂直地)伸展的側面區域進行延伸。在此情況下，所述封裝層可直接接觸所述鏡層。特別地，在所述側面區域的區域中，所述封裝層可完全地覆蓋所述鏡層。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述接觸層從其面對所述n型導電區的一側在適當位置可自由地到達。換而言之，特別地，所述封裝層在適當位置不覆蓋所述接觸層，使得所述接觸層可從所述發光二極管芯片的外部直接地被電接觸連接。所述接觸連接可從所述n型導電區的方向實現，例如，借助于接觸連接線，其可被固定至所述接觸層。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述發光二極管芯片包括n型導電區、P型導電區和布置在所述n型導電區和p型導電區之間的作用區。此外，所述發光二極管芯片包括在所述P型導電區的遠離所述作用區的一側處的鏡層、在所述鏡層的遠離所述P型導電區的一側處的封裝層、以及在所述封裝層的遠離所述鏡層的一側處的接觸層。在此情況下，所述封裝層沿著所述鏡層的遠離所述P型導電區的底部區域和所述鏡層的相對于所述底部區域橫向地伸展的側面區域進行延伸，且所述接觸層從其面對所述n型導電區的一側在適當位置可自由地到達。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述發光二極管芯片包括貫穿所述n型導電區、所述p型導電區、所述作用區、所述鏡層和所述封裝層直至所述接觸層的開口。在此情況下，例如，所述開口可借助于蝕刻來被引入到所述區和層中。所述開口從所述n型導電區行進直至所述接觸層完全地穿透所述發光二極管芯片。借助于所述開口，所述接觸層未被覆蓋且由此從其面對所述n型導電區的一側在適當位置可自由地到達。在此情況下，所述開口可位于所述發光二極管芯片的邊緣區域中，使得其在側向上不完全地由所述n型導電區、所述p型導電區、所述作用區、所述鏡層和所述封裝層所界定。在此情況下，所述側向是與所述發光二極管芯片的主延伸面平行伸展的方向。然而，開口也可能被布置在所述發光二極管芯片的中央區域中，使得所述開口在側向上在所有側面上被所述n型導電區、所述p型導電區、所述作用區、所述鏡層和所述封裝層包圍。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，面對所述開口的所述鏡層的所述側面區域被所述封裝層完全地覆蓋。如果所述封裝層未沿所述側面區域延伸，則穿過也貫穿所述鏡層的所述開口，所述鏡層的側面區域在所述開口內將未被覆蓋。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述p型導電層在側向上在所述開口的區域中伸出所述鏡層外。換而言之，例如在所述開口中，所述鏡層并未與所述P型導電層平齊終止，而是相比于所述所述P型導電層被縮回。由此產生的腔體(例如空槽，其是由于超出所述鏡層的所述P型導電層的懸垂而建立的)優選地用所述封裝層的材料完全地填充。因此，在所述懸垂的區域中，所述封裝層可直接地鄰接所述P型導電區的面對所述接觸層的底部區域。例如，在所述開口中的所述封裝層在側向上伸出所述P型導電層外。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述接觸層在所述開口的區域中的適當位置是可線接觸連接的。換而言之，所述開口以這樣的尺寸被體現，使得到所述接觸層的線接觸連接可借助于例如“絲焊”來在所述開口中實現。所述接觸層由可線接觸連接材料形成。為此目的，例如，所述接觸層包含或由以下材料之一組成:鋁(Al)、金(Au)。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述發光二極管芯片包括輻射通道區域，其通過所述n型導電區的遠離所述p型導電區的外部區域形成在適當位置。在操作期間由所述發光二極管芯片發出的電磁輻射的至少一部分在其從所述發光二極管芯片出現前或在其從所述發光二極管芯片出現期間穿過所述輻射通道區域。在此情況下，用于在所述發光二極管芯片的操作期間激勵所述作用區的電流分布在所述輻射通道區域下方被實現。也就是說，換而言之，沒有用于在所述n型導電區上盡可能一致地分布電流的電流分布軌跡位于所述輻射通道區域上，即位于n型導電區的外部區域處。相反，在目前的情況下，這樣的電流分布結構被形成在所述輻射通道區域的下方，使得沒有輻射吸收、電流分布結構被布置在所述輻射通道區域上。因此，所述發光二極管芯片由于改善的效率而是出眾的。此外，例如，也有這樣的情況，即，沒有用于所述發光二極管芯片的接觸連接的焊盤被布置在所述輻射通道區域；而是，所述焊盤位于所述接觸層處的開口中，即位于所述輻射通道區域下方。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述封裝層包括以下材料的至少一種，即所述封裝層可由以下材料的一種組成，包含以下材料的一種或包含以下材料的至少兩種的組合或由以下材料的至少兩種的組合組成:TiN、TiWN、Pt、W、PtTiWN、Ti。舉例來說，所述封裝層也可能以多層的方式來體現，例如，其中所述封裝層具有由TiWN形成的至少一個下層和由TiN形成的至少一個下層。舉例來說，多個所述下層可以在彼此之上以交替次序進行布置。根據所述發光二極管芯片的至少一個實施例，所述封裝層的外部區域在適當位置具有蝕刻方法的跡線。即，所述封裝層的該部分在開口中借助于蝕刻過程而被去除。這也是涉及產品(發光二極管芯片)的特征，因為所述蝕刻方法可借助于作為本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.08.03 DE 102010033137.61.一種發光二極管芯片，包括 -n型導電區(I)； -P型導電區⑵； -作用區(3)，其在所述n型導電區(I)和p型導電區⑵之間； -鏡層(4)，其在所述p型導電區(2)的遠離所述作用區(3)的一側處； -封裝層(5)，其在所述鏡層(4)的遠離所述p型導電區(2)的一側處；以及-接觸層￠)，其在所述封裝層(5)的遠離所述鏡層(4)的一側處，其中-所述封裝層(5)沿著所述鏡層(4)的遠離所述p型導電區(2)的底部區域(43)和所述鏡層⑷的相對于所述底部區域(43)橫向伸展的側面區域(42)進行延伸，以及-所述接觸層(6)從其面對所述n型導電區(I)的側面在適當位置可自由地到達。2.根據前述權利要求的所述發光二極管芯片，其中開口(13)貫穿所述n型導電區(I)、所述P型導電區(2)、所述作用區(3)、所述鏡層(4)和所述封裝層(5)直至所述接觸層(6)。3.根據前述權利要求的所述發光二極管芯片，其中所述鏡層(4)的面對所述開口(13)的側面區域(42)被所述封裝層(5)完全地覆蓋。4.根據前述權利要求中的任意一項的所述發光二極管芯片，其中所述p型導電區(2)在側向上在所述開口(13)的區域中伸出所述鏡層(4)夕卜。5.根據前述權利要求中的任意一項的所述發光二極管芯片，其中所述接觸層(6)至少在所述開口(13)的區域中的適當位置是可線接觸連接的。6.根據前述權利要求中的任意一項的所述發光二極管芯片，其中所述接觸...

【專利技術屬性】
技術研發人員：L·赫佩爾，K·恩格爾，
申請(專利權)人：奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司，
類型：
國別省市：