封裝基板制造技術

本實用新型專利技術公開一種封裝基板，所述封裝基板包括一第一絕緣層、一內電路層及一第二絕緣層，所述內電路層形成于所述第一絕緣層的一內表面上，所述第二絕緣層覆蓋于所述第一絕緣層及內電路層上，所述第一絕緣層具有一蝕刻凹部，所述蝕刻凹部裸露所述第二絕緣層的一相鄰表面，且具有一呈光滑狀的內壁面。通過先電鍍金屬再蝕刻去除金屬的方式，將蝕刻凹部的內壁面形成光滑狀，可避免以機械鉆孔而產生碎屑或毛刺，所述蝕刻凹部的排列方式及形狀相較于機械鉆孔也具有較佳的設計彈性。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種封裝基板，特別是有關于一種可埋設芯片的封裝基板。
技術介紹
現有半導體封裝基板,例如板上芯片型(board on chip,B0C)的封裝基板,其制作方式如下:利用銑刀于一基板上進行機械鉆孔形成貫穿的通孔，并在基板的特定區域形成干膜，而后再進行曝光、顯影、蝕刻等作業，以便于基板上形成表面線路，如此即可得到一板上芯片型的封裝基板。在封裝時，可將芯片設置于封裝基板的上表面，再利用焊線通過通孔與基板下表面的線路所形成的焊墊電性連接，再對通孔進行封膠。另外,還有一種凹槽向下型(cavity down,或稱為接合面向下型)的封裝基板,其制作方式為:先在一層基板上機械鉆孔形成貫穿的通孔，并在基板上形成線路；接著，在具通孔的基板上再壓合另一介電層進行增層，以及制作其他表面線路，如此即可得到一凹槽向下型的封裝基板。在封裝時，再將芯片容置于封裝基板的凹槽內，利用焊線電性連接芯片的焊墊至基板下表面的線路所形成的焊墊，再對凹槽進行封膠。上述兩種封裝基板一般為單層或多層的印刷電路板，具有由樹脂浸潰于玻璃布基材所構成的介電層，所述印刷電路板若要開設有通孔或凹槽，必須以鉆頭進行旋轉加工或利用沖頭與沖模進行沖孔加工。但是，利用機械鉆孔于介電層上形成通孔或凹槽，在加工過程中不僅會產生碎屑粉塵，且加工后于介電層的通孔或凹槽的內壁面更會有毛刺(burr)產生，而碎屑、毛刺等異物將會影響所述基板后續的封裝作業及產品的質量(quality)。故，有必要提供一種封裝基板，以解決現有技術所存在的問題。
技術實現思路
有鑒于此，本技術提供一種封裝基板，以解決目前基板利用機械鉆孔會產生碎屑、毛刺等異物的問題。本技術的主要目的在于提供一種封裝基板，其可以通過電鍍金屬再蝕刻去除金屬的方式，將蝕刻凹部的內壁面形成光滑狀，可避免以機械鉆孔而產生碎屑或毛刺，再者，所述蝕刻凹部的排列方式及形狀相較于機械鉆孔也具有較佳的設計彈性。為達成本技術的前述目的，本技術一實施例提供一種封裝基板，所述封裝基板包括一第一絕緣層、一內電路層及一第二絕緣層，所述第一絕緣層具有一內表面及一相對的外表面，所述內電路層形成于所述第一絕緣層的內表面上，所述第二絕緣層覆蓋于所述第一絕緣層及內電路層上，其中所述第一絕緣層具有一蝕刻凹部，所述蝕刻凹部裸露所述第二絕緣層的一相鄰表面，且具有一呈光滑狀的內壁面。再者，本技術另一實施例提供一種封裝基板，首先，提供一載板并于所述載板上形成一銅柱；接著，形成一第一絕緣層在所述載板上且包覆所述銅柱；之后，形成一內電路層在所述第一絕緣層上；再來，形成一第二絕緣層覆蓋所述第一絕緣層、內電路層及銅柱；最后，移除所述載板并蝕刻去除所述銅柱，以在所述第一絕緣層形成一蝕刻凹部，所述蝕刻凹部裸露所述第二絕緣層的一相鄰表面，且具有一呈光滑狀的內壁面。為讓本技術的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下:附圖說明圖1A至圖1C本技術一實施例封裝基板的示意圖。圖2A至圖2B本技術另一實施例封裝基板的示意圖。圖3A至圖3H是本技術圖1A封裝基板的制造方法的流程示意圖。圖4A至圖4C是本技術圖2A封裝基板的制造方法的流程示意圖。具體實施方式請參照圖1A、1B所示，本技術一實施例的封裝基板I主要包含一第一絕緣層11、一內電路層12、一第二絕緣層13、一第一外電路層14、一第一阻焊層15、一第二外電路層16及一第二阻焊層17，其中所述封裝基板I屬于一凹槽向下型(cavity down)的封裝基板，其可利用打線封裝技術結合一芯片21，并填充一封裝膠體22固定所述芯片21，本技術將于下文逐一詳細說明本實施例上述各元件的細部構造、組裝關系及其運作原理。續參照圖1A所示,所述第一絕緣層11具有一內表面111及一相對的外表面112,所述內電路層12形成于所述第一絕緣層11的內表面111 一側，所述第二絕緣層13覆蓋于所述第一絕緣層11的所述內表面111上，其中所述第一絕緣層11具有一蝕刻凹部110，所述蝕刻凹部110裸露所述第二絕緣層13的一相鄰表面，且具有一呈光滑狀的內壁面113，其中所述光滑狀的內壁面113是在制程中通過電鍍銅及蝕銅的方式形成，所述第一絕緣層11與第二絕緣層13皆包含玻璃纖維或環氧樹脂，所述光滑狀的內壁面113不會有因玻璃纖維突出而產生的毛刺(burr)及由于機械鉆孔而產生的不平整表面，且所述蝕刻凹部110的粗糙度(Ra)小于I微米。續參照圖1B所示，所述第一外電路層14形成于所述第一絕緣層11的外表面112一側，在形成所述第一外電路層14之前，并可通過機械鉆孔或激光鉆孔方式在所述第一絕緣層11上進行鉆孔，再以導電材料如銅、鎳、金、鋁等物質填滿形成導通孔(未標示)，進而使所述第一外電路層14與內電路層12電性連接，另外，所述第一阻焊層15為防焊綠漆(solder mask),覆蓋于所述第一外電路層14上并裸露一部份的第一外電路層14,以保護第一外電路層14，避免因刮傷造成短、斷路現象，其中所述裸露的第一外電路層14可做為數個焊墊，其可通過焊線(未標示)與所述打線型的芯片21電性連接，也就是說，本實施例的封裝基板I為凹槽向下型的封裝基板，并可用以制作打線型芯片21的凹槽向下型封裝構造。相似的，所述第二外電路層16形成于所述第二絕緣層13的一外表面132，且可以預先通過機械鉆孔或激光鉆孔方式在所述第二絕緣層13內形成導通孔(未標示)，進而使所述第二外電路層16與內電路層12電性連接，所述第二阻焊層17同樣為防焊綠漆(solder mask)，覆蓋于所述第二外電路層16上并裸露一部份的所述第二外電路層16，以做為數個焊墊。另外，所述第二外電路層16與第二絕緣層13上方還可以再覆蓋一層或多層的絕緣層及外電路層，并不以本實施例所局限。如上所述，通過所述蝕刻凹部110的內壁面113呈光滑狀的設計，可避免利用機械鉆孔對所述第一絕緣層11進行凹槽加工，因而不會造成所述內壁面113產生碎屑、毛刺等問題，進而能夠排除后續封裝作業異物污染的風險，另外，由于所述蝕刻凹部110是在制程中通過電鍍銅及蝕銅的方式形成，所述蝕刻凹部110的排列方式及形狀(例如矩形、圓形或其他多邊形)不受限于機械鉆孔所使用的工具，相較于機械鉆孔具有較佳的設計彈性。要說明的是，本技術一實施例的封裝基板1，也可如圖1C所示，省略內電路層，并通過盲孔的方式，直接在所述第一絕緣層11及第二絕緣層13進行鉆孔(未標示)及電鍍，使所述第一外電路層14電性連接所述第二外電路層16，又或者省略所述第二外電路層16及第二阻焊層17，僅設置有所述第一絕緣層11及第二絕緣層13，使所述第一外電路層14形成于所述第一絕緣層11上，以上的設計同樣可避免利用機械鉆孔對所述第一絕緣層11進行凹槽加工，因此封裝基板I的結構不以本實施例所局限。請參照圖2A、2B所示，本技術另一實施例的封裝基板I相似于本技術圖1A、1B實施例，并大致沿用相同元件名稱及圖號，但本實施例的差異特征在于:所述封裝基板I同樣為凹槽向下型的封裝基板，所述封裝基板I包括一第一絕緣層11、一內電路層12’、一第二絕緣層13、一第一外電路層14、一第一阻焊層15、一本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種封裝基板，其特征在于：所述封裝基板包括：一第一絕緣層，具有一內表面及一相對的外表面；一內電路層，形成于所述第一絕緣層的內表面一側，所述內電路層具有一第一部分電路層及一第二部分電路層，且所述第一部分電路層的一下表面具有一抗蝕層；及一第二絕緣層，覆蓋于所述第一絕緣層的所述內表面上；其中所述第一絕緣層具有一蝕刻凹部，所述蝕刻凹部裸露所述第二絕緣層的一相鄰表面及所述抗蝕層一表面，且所述蝕刻凹部具有一呈光滑狀的內壁面。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：羅光淋，王德峻，方仁廣，
申請(專利權)人：日月光半導體上海股份有限公司，
類型：新型
國別省市：上海;31