一種影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)及制造方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)揭露一種影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)，其包含一基板、一線路層、一覆晶芯片、一絕緣層，以及一傳導(dǎo)層。該基板具有至少一透光區(qū)，以及第一表面和第二表面。該線路層布局于該基板的第一表面上。該覆晶芯片覆晶接合于該線路層。該絕緣層實(shí)質(zhì)上包覆該覆晶芯片與部分該線路層，且該絕緣層側(cè)面具有至少一個(gè)通導(dǎo)凹槽，該通導(dǎo)凹槽具有一金屬層。該傳導(dǎo)層布局于該絕緣層頂端表面，且該傳導(dǎo)層以該絕緣層的該金屬層與該線路層電性連接。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)有關(guān)于一種感測(cè)模塊的結(jié)構(gòu)及制造方法，特別有關(guān)于。
技術(shù)介紹
按，習(xí)知的影像感測(cè)模塊封裝構(gòu)造中是利用打線技術(shù)電性連接芯片與基板，影像感測(cè)芯片設(shè)置于一陶瓷基板，以打線方式電性連接影像感測(cè)芯片與陶瓷基板，再設(shè)置一玻璃于芯片上方。然而打線封裝只能在芯片的四周圍打線，能容納的接腳數(shù)目有限，如需增加接腳數(shù)就不能避免擴(kuò)充芯片封裝的體積，因此打線技術(shù)的影像感測(cè)模塊封裝構(gòu)造往往整體外觀過(guò)大，無(wú)法微小化達(dá)到輕薄短小的目標(biāo)。另，一種習(xí)知的影像感測(cè)模塊封裝構(gòu)造是覆晶封裝，其方法為先在玻璃基板上形成設(shè)有金屬凸塊的導(dǎo)電層，再以接合劑涂布該金屬凸塊上，藉接合劑與該金屬凸塊將影像感測(cè)芯片對(duì)準(zhǔn)固接該玻璃基板上的電路層，最后填充絕緣膠體該包覆影像感測(cè)芯片。上述覆晶接合的輸出/輸入接點(diǎn)成面矩陣排列，相比于打線接合，相同尺寸的芯片的輸出/輸入接點(diǎn)數(shù)明顯提升。近來(lái)有人再提出一種覆晶芯片封裝方法，如美國(guó)專利US20060171698，在絕緣膠體中貫通出多個(gè)空孔，該些空孔鍍上金屬以藉其一端縱向?qū)?yīng)電性連接該導(dǎo)電層，另一端露出于絕緣膠體表面構(gòu)成輸出/輸入接點(diǎn)，使整個(gè)覆晶封裝結(jié)構(gòu)易與不同的元件模塊搭配；但由于該些空孔系形成于該絕緣膠體內(nèi)的四面封閉的貫通孔結(jié)構(gòu)，當(dāng)利用習(xí)知技術(shù)將該些空孔電鍍上金屬時(shí)，需要完全以金屬填實(shí)該些空孔，過(guò)程中難以避免金屬以相當(dāng)厚度的型態(tài)突出于該絕緣膠體上，突出的金屬部分在形成當(dāng)下即因?yàn)闊釕?yīng)力影響而與該絕緣膠體不完全的貼附，而目前產(chǎn)業(yè)所應(yīng)用的各種研磨方法皆無(wú)法及時(shí)磨平該突出的金屬部分，因此后續(xù)制程中連結(jié)該突出的金屬部分的重新分配層或輸出/輸入接點(diǎn)會(huì)較易與該絕緣膠體剝離，而降低該影像感測(cè)模塊封裝構(gòu)造的可信度；再者，該金屬導(dǎo)孔在鍍滿金屬時(shí)，有包氣孔或包溶劑的缺陷存在，提高金屬導(dǎo)孔爆孔的機(jī)會(huì)，而造成封裝結(jié)構(gòu)的可靠性下降。基于上述習(xí)知前案及專利的缺點(diǎn)，本專利技術(shù)系在影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)的絕緣層側(cè)面設(shè)置一個(gè)以上的通導(dǎo)凹槽，用以增加該封裝結(jié)構(gòu)可靠度及增加該影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)的輸入輸出電極。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的主要目的在于提供一影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)，系利用其絕緣層側(cè)面的通導(dǎo)凹槽提供較大焊接面積，達(dá)成該影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)藉由一焊膏與載板緊密接合而不易脫落的效果。本專利技術(shù)的另一目的在于提供一種影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)，其中該絕緣層側(cè)面的通導(dǎo)凹槽鍍有一薄層金屬導(dǎo)體，該薄層金屬導(dǎo)體系以電性連結(jié)傳導(dǎo)層與線路層，不同于習(xí)知技術(shù)必須完全填實(shí)貫通絕緣膠體的空孔以形成一具電性通導(dǎo)作用的金屬柱，此金屬柱在電鍍填孔過(guò)程中易因填孔不完整而導(dǎo)致包氣孔或包溶劑產(chǎn)生，其未填實(shí)的空洞部位除將降低電性傳導(dǎo)效率外，亦容易導(dǎo)致信賴性不良等問(wèn)題，本專利技術(shù)的設(shè)置于絕緣體的通導(dǎo)凹槽具有一開(kāi)放面，僅需于通導(dǎo)凹槽鍍上一薄層金屬導(dǎo)體以形成該金屬層，因此可以避免濺鍍、蒸鍍、與電鍍上缺陷。本專利技術(shù)的再一目的在于提供一種影像感測(cè)模塊的覆晶式封裝結(jié)構(gòu)，其系在該絕緣層側(cè)面設(shè)置具一開(kāi)放面的通導(dǎo)凹槽，于該通導(dǎo)凹槽鍍上一薄層金屬導(dǎo)體以構(gòu)成金屬層，不同于習(xí)知技術(shù)制成的金屬柱會(huì)以相當(dāng)厚度突起于該絕緣層頂端表面，本專利技術(shù)的該金屬層凸露于該絕緣層的厚度小于10 μ m，可避免因熱應(yīng)力影響所產(chǎn)生的缺陷。本專利技術(shù)的次要目的在于提供一種影像感測(cè)模塊的覆晶式封裝結(jié)構(gòu)，藉由一設(shè)置于該絕緣層頂端表面的重新分配層，透過(guò)金屬布線來(lái)改變?cè)敵?輸入接點(diǎn)位置，使影像感測(cè)模塊能應(yīng)用于不同的元件模塊。為達(dá)成上述目的，本專利技術(shù)的一種影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)至少包含一基板，該基板具有至少一透光區(qū)、第一表面及第二表面；一線路層，布局于該基板的第一表面上；一覆晶芯片，其覆晶接合于該線路層；一絕緣層，其實(shí)質(zhì)上包覆該覆晶芯片與部分該線路層，且該絕緣層側(cè)面具有至少一個(gè)通導(dǎo)凹槽，該通導(dǎo)凹槽具有一金屬層；以及一傳導(dǎo)層，其布局于該絕緣層頂端表面，且該傳導(dǎo)層系以該絕緣層的該金屬層與該線路層電性連接。上述的影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)，其中該基板材質(zhì)為玻璃，且該基板的該第二表面涂布有不透光漆，以定義出該透光區(qū)的位置及形狀。上述的影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)，其中該基板系為陶瓷基板或有機(jī)材料基板，且形成一貫穿第一表面與第二表面的開(kāi)口，對(duì)應(yīng)該開(kāi)口處的該第二表面設(shè)有一玻璃層，以構(gòu)成該基板的該透光區(qū)。上述的影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)，其中該絕緣層完全包覆住該覆晶芯片及實(shí)質(zhì)上不完全部分地覆蓋住該線路層，并露出該線路層的一接面，以用于與該通導(dǎo)凹槽的該金屬層電性連結(jié)。上述的影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)，其中該傳導(dǎo)層系為輸出/輸入接點(diǎn)或一重新分配層(redistribution layer),該重新分配層系將布局于該絕緣層頂端表面周圍的輸出/輸入接點(diǎn)轉(zhuǎn)變?yōu)榫仃嚕匦掳才泡敵?輸入接點(diǎn)的位置。上述的影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)，其系利用一焊膏與一載板結(jié)合，該絕緣層側(cè)面的通導(dǎo)凹槽所具的一開(kāi)放面作為焊膏的額外焊接面積，達(dá)成與載板密接而不易脫落的效果，該焊膏系為錫膏或無(wú)鉛焊膏。上述的影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)，其中該覆晶芯片進(jìn)一步以至少一個(gè)接觸點(diǎn)與該線路層電性連接，該接觸點(diǎn)系為金屬凸塊，該金屬凸塊為金凸塊或鉛錫凸塊、銅凸塊、鎳凸塊或無(wú)鉛凸塊。上述的影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)，其中該絕緣層的材質(zhì)為塑膠化合物、黑膠、或COB膠。上述的影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)，其中該金屬層的材質(zhì)為銅、金、銀、銅合金或鎳合金。為達(dá)成上述目的，本專利技術(shù)的一種影像感測(cè)模塊封裝方法，其步驟包含(a)提供一基板，該基板具有至少一透光區(qū)；(b)布局一線路層于該基板上；(c)將一覆晶芯片以覆晶方式接合于該線路層；(d)形成一側(cè)面具有至少一個(gè)通導(dǎo)凹槽的絕緣層，使該絕緣層實(shí)質(zhì)上包覆該覆晶芯片與部分該線路層；(e)于該通導(dǎo)凹槽設(shè)有一金屬層，且使該金屬層與該線路層電性連接；以及(f)于該絕緣層頂端表面布局一傳導(dǎo)層，且使該傳導(dǎo)層與該通導(dǎo)凹槽的該金屬層電性連接。上述的影像感測(cè)模塊封裝方法，其中該具有至少一個(gè)通導(dǎo)凹槽的絕緣層系以模具填灌、蝕刻、機(jī)械磨刷、或激光挖槽等方式所形成。上述的影像感測(cè)模塊封裝方法，其中該通導(dǎo)凹槽系與該絕緣層一體成形。上述的影像感測(cè)模塊封裝方法，其中該通導(dǎo)凹槽于該絕緣層成型后再形成。附圖說(shuō)明圖1為依據(jù)本專利技術(shù)的第一較佳實(shí)施例的一種影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖2為依據(jù)本專利技術(shù)的第一較佳實(shí)施例的一種影像感測(cè)模塊封裝的截面示意圖；圖3為依據(jù)本專利技術(shù)的第二較佳實(shí)施例的一種影像感測(cè)模塊封裝的另一俯視示意圖；圖4至圖7為依據(jù)本專利技術(shù)的第一較佳實(shí)施例的一種影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)在制造過(guò)程中的截面示意圖；圖8為依據(jù)本專利技術(shù)的影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)第一較佳實(shí)施例與一載板結(jié)合的截面示意圖；圖9為本專利技術(shù)的第三較佳實(shí)施例的一種影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)截面示意圖；圖10為本專利技術(shù)的第四較佳實(shí)施例的一種影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)截面示意圖；以及圖11為本專利技術(shù)的第五較佳實(shí)施例的一種影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)截面示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明1000 影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)2000 焊膏3000 載板1100 玻璃基板2100 陶瓷基板1101、2101、4101、5101 第一表面1102、2102、4102、5102 第二表面1110 不透光漆1120、2120 透光區(qū)1200、2200、4200、5200 線路層1210、4210、5210 接面1300、2300、4300 接觸點(diǎn)1400、2400、4400 覆晶芯片150本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種影像感測(cè)模塊封裝結(jié)構(gòu)，至少包含：一基板，該基板具有至少一透光區(qū)、第一表面及第二表面；一線路層，布局于該基板的第一表面上；一覆晶芯片，其覆晶接合于該線路層；一絕緣層，其實(shí)質(zhì)上包覆該覆晶芯片與部分該線路層，且該絕緣層側(cè)面具有至少一個(gè)通導(dǎo)凹槽，該通導(dǎo)凹槽具有一金屬層；以及一傳導(dǎo)層，其布局于該絕緣層頂端表面，且該傳導(dǎo)層系以該絕緣層的該金屬層與該線路層電性連接。

【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：呂紹萍，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：同欣電子工業(yè)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：