一種二極管及其制作方法、顯示裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種二極管及其制作方法、顯示裝置。其中，二極管包括：復合陽極，復合陽極包括透明陽極層和第一透明金屬層，第一透明金屬層形成于透明陽極層之上；透明金屬氧化物層，透明金屬氧化物層形成于第一透明金屬層之上；主體結構層，主體結構層形成于透明金屬氧化物層之上；復合陰極，復合陰極包括兩層第二透明金屬層，兩層第二透明金屬層形成于主體結構層之上。通過上述方式，本發明專利技術能夠極大提升二極管的透過率和發光效率，增強二極管的可靠性，延長二極管的使用壽命。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種二極管及其制作方法、顯示裝置。
技術介紹
傳統的有機發光二極管通常都是在玻璃基板上依序制備單層透明陽極、有機層(包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層)，透明金屬陰極以及鈍化層。這種發光二極管，為了能得到較好的透過率，通常將陰極做得非常薄，這樣通常容易導致陰極電阻過大以及陰極與二極管周 邊電路接觸不良，使得二極管的性能、可靠性比較差，使用壽命也不長，并且這種二極管的透過率也只有50%左右。
技術實現思路
本專利技術主要解決的技術問題是提供一種二極管及其制作方法、顯示裝置，能夠極大提升二極管的透過率和發光效率，增強二極管的可靠性，延長二極管的使用壽命。為解決上述技術問題，本專利技術采用的一個技術方案是:提供一種二極管，所述二極管包括:復合陽極，所述復合陽極包括透明陽極層和第一透明金屬層，所述第一透明金屬層形成于所述透明陽極層之上；透明金屬氧化物層，所述透明金屬氧化物層形成于所述第一透明金屬層之上；主體結構層，所述主體結構層形成于所述透明金屬氧化物層之上；復合陰極，所述復合陰極包括兩層第二透明金屬層，所述兩層第二透明金屬層形成于所述主體結構層之上。其中，所述復合陰極還包括一層不透明金屬層，所述不透明金屬層形成于所述第二透明金屬層的至少一條邊緣上，所述不透明金屬層的面積小于所述第二透明金屬層面積的五分之一。其中，所述二極管還包括增透膜層，所述增透膜層形成于所述不透明金屬層之上。其中，所述二極管還包括阻隔層，所述阻隔層形成于所述增透膜層之上，所述阻隔層為阻隔水氧的膜層。其中，所述主體結構層包括分別依次形成于所述透明金屬氧化物層之上的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層。其中，所述第一透明金屬層是厚度為5-10nm的金或銀金屬層。其中，所述透明金屬氧化物層的厚度為l_5nm，所述金屬氧化物的功函數與所述二極管的電子注入層材料的最高已占軌道值的差值為O leV。其中，所述金屬氧化物的功函數與所述二極管的電子注入層材料的最高已占軌道值的差值為OeV。其中，所述兩層第二透明金屬層分別是厚度為5_15nm的鎂金屬層和鎂、銀金屬層，所述不透明金屬層是厚度為50-10nm的鋁金屬層。其中，所述增透膜層的材料為用作所述二極管的空穴傳輸層材料或電子傳輸層材料。其中，所述增透膜層是厚度為IO-SOnm的正溴丙烷層。為解決上述技術問題，本專利技術的提供的另一個技術方案是，提供一種顯示裝置，包括上述的二極管以及蓋板。為解決上述技術問題，本專利技術采用的還有一個技術方案是:提供一種二極管的制作方法，包括:在玻璃基板上蒸鍍一層透明陽極層，在所述透明陽極之上蒸鍍一第一透明金屬層，所述透明陽極層、所述第一透明金屬層構成一個復合陽極；在所第一透明金屬層上蒸鍍一層透明金屬氧化物層；在所述透明金屬氧化物層上蒸鍍主體機構層；在所述主體結構層上先后蒸鍍兩層第二透明金屬層。其中，所述在所述主體結構層上先后蒸鍍兩層第二透明金屬層的步驟之后，還包括:在所述第二透明金屬層的至少一條邊緣之上蒸鍍一層不透明金屬層，所述不透明金屬層的面積小于所述第二透明金屬層面積的五分之一。其中，所述在所述第二透明金屬層的至少一條邊緣之上蒸鍍一層不透明金屬層的步驟之后，還包括:在所述不透明金屬層之上蒸鍍一層增透膜層。其中，所述在所述不透明金屬層之上蒸鍍一層增透膜層的步驟之后，還包括:在所述增透膜層之上覆蓋阻隔層，所述阻隔層為阻隔水氧的膜層。其中，所述阻隔層包括一個第三透明金屬層與兩個薄膜層，所述第三透明金屬層形成于兩個薄膜層之間。其中，所述增透膜層的材料為用作所述二極管的空穴傳輸層材料或電子傳輸層材料。本專利技術的有益效果是:區別于現有技術的情況，本專利技術二極管結構使用復合陽極、透明金屬氧化物層和復合陰極相結合的復合結構，能夠使得二極管的各結構層在能級匹配上更好，加上鏡面及微共腔效應，極大提升二極管從基板面的發光效率和亮度，增強二極管的發光性能和可靠性，延長二極管的使用壽命。附圖說明圖1是本專利技術二極管一個實施方式的結構示意圖；圖2是本專利技術二極管另一個實施方式的結構示意圖；圖3是本專利技術顯示裝置一個實施方式的結構示意圖；圖4是本專利技術二極管的亮度對比示意圖；圖5是本專利技術二極管的像素收縮效果對比示意圖；圖6是本專利技術二極管的制作方法一個實施方式的流程圖。具體實施例方式參閱圖1，本專利技術二極管一個實施方式包括復合陽極11、透明金屬氧化物層12、主體結構層13以及復合陰極14，為了進一步闡述本專利技術二極管的結構，請結合參閱圖2:復合陽極11包括透明陽極層21和第一透明金屬層22，第一透明金屬層22形成于透明陽極層21之上，該第一透明金屬層22為厚度很薄的高純度金屬層，厚度控制在能實現透明效果，且穿透率能達到90%以上。比如可以在傳統透明陽極層21之上通過蒸鍍一層厚度在5-10nm的純度在99.999%以上的金或銀金屬層作為第一透明金屬層22。比如以IOnm厚度的銀金屬層作為第一透明金屬層22。透明金屬氧化物層12形成于第一透明金屬層22之上。透明金屬氧化物層12的厚度宜控制在l_5nm之間。為了降低二極管電壓，可以選用功函數與二極管的空穴注入層材料最高已占軌道(HOMO)值接近(差值范圍Ο-leV)的材料作為金屬氧化物層12的材料，最好選用功函數與二極管的空穴注入層材料HOMO值相同的材料作為金屬氧化物層12的材料。比如可以選用WO3作為金屬氧化物層的材料。主體結構層13形成于透明金屬氧化物層12之上，主體結構層13是二極管構成的主要組成部分，通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層，其中空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層分別依次形成于透明金屬氧化物層12之上。復合陰極14包括兩個第二透明金屬層，分別為第二透明金屬層I 23、第二透明金屬層II 24，第二透明金屬層I 23、第二透明金屬層II 24分別依次形成于主體結構層13之上，即直接形成于電子注入層之上。為進一步提升二極管的發光效果，復合陰極還進一步包括一不透明金屬層25，不透明金屬層25形成于第二透明金屬層II 24的至少一條邊緣上，面積小于第二透明金屬層II24面積的五分之一。通常，在整個發光區域全部蒸鍍一層第二透明金屬層I 23，在第二透明金屬層I 23之上蒸鍍一層第二透明金屬層II 24，其中第二透明金屬層23和第二透明金屬層II 24可以分別是厚度為5-15nm的鎂(Mg):銀(Ag)金屬層以及銀(Ag)金屬層，保證具有較好的透過率。然后在第二透明金屬層II 24的任意一條或幾條邊再蒸鍍一層比較厚的不透明金屬層25，該不透明金屬層25的厚度大于50nm，比如50_120nm的金屬鋁層，較優選的厚度范圍為60-90nm,最優選為80nm。該不透明金屬層25部分不透光,其他部分陰極都是透明的，能夠保證本專利技術二極管的雙面發光效果。通過復合陽極、透明金屬氧化物層以及復合陰極的結合，使得二極管在能級匹配上更好，加上鏡面及微共腔效應，二極管的效率和亮度都比傳統結構二極管有較大提高。進一步地，本專利技術的二極管還包括一增透膜層26，該增透膜層26形成于不透明金屬層25之上，為外耦合發光層，能夠進一步提高二極管的發光性能。該增透膜層26可以選用成本較低的有機材料，比本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種二極管，其特征在于，包括：復合陽極，所述復合陽極包括透明陽極層和第一透明金屬層，所述第一透明金屬層形成于所述透明陽極層之上；透明金屬氧化物層，所述透明金屬氧化物層形成于所述第一透明金屬層之上；主體結構層，所述主體結構層形成于所述透明金屬氧化物層之上；復合陰極，所述復合陰極包括兩層第二透明金屬層，所述兩層第二透明金屬層形成于所述主體結構層之上。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：李金川，
申請(專利權)人：深圳市華星光電技術有限公司，
類型：發明
國別省市：