晶圓加工用膠帶、晶圓加工用膠帶的制造方法以及半導體裝置的制造方法制造方法及圖紙

在晶圓加工用膠帶（1）中，與對晶圓環（14）的粘貼區域（P）對應地、以從基材膜（5）側起到達剝離基材（2）的深度形成有俯視時朝向粘接劑層（3）中心側的半圓狀或者舌片狀的切口部（11）。通過切口部（11）的形成，在剝離力作用于晶圓加工用膠帶（1）時，在粘著劑層（4）以及基材膜（5）中比切口部（11）更靠外側的部分先剝離，比切口部（11）更靠內側的部分以呈凸狀的狀態殘留在晶圓環（14）上。由此，能夠提高晶圓加工用膠帶（1）與晶圓環（14）之間的剝離強度，并能夠抑制在工序中晶圓加工用膠帶（1）從晶圓環（14）剝離。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及在半導體晶圓的切割以及通過切割而得到的半導體芯片的芯片焊接等中所使用的晶圓加工用膠帶、晶圓加工用膠帶的制造方法以及使用該晶圓加工用膠帶的半導體裝置的制造方法。
技術介紹
近年，移動設備的多功能化以及輕量小型化的要求迅速提高。伴隨于此，對于半導體芯片的高密度安裝的需求強烈，特別是層疊半導體芯片的堆疊式多芯片封裝(StackedMulti Chip Package)的開發成為其中心。在堆疊式多封裝中，在芯片焊接工序中有時將半導體芯片彼此層疊及粘接。在這樣的半導體芯片的制造工序中，能夠在切割工序中的半導體晶圓的固定、芯片焊接工序中的半導體芯片與引線框等的粘接中并用的晶圓加工用膠帶的導入得以推進(參照例如專利文獻I)。當制造這樣的晶圓加工用膠帶時，首先，準備在剝離基材上形成粘接劑層而成的粘接膜和在基材膜上形成粘著劑層而成的切割膜，并使粘接劑層與粘著劑層面對面并粘貼在一起。接下來，將基材膜、粘接劑層及粘著劑層與晶圓形狀相應而進行預切割加工，得到期望形狀的晶圓加工用膠帶。現有技術文獻(專利文獻)專利文獻1:日本特開2009-88480號公報
技術實現思路
專利技術所要解決的課題當使用如上所述的晶圓加工用膠帶進行半導體晶圓的加工時，一般在半導體晶圓的周圍配置晶圓環，并在晶圓環上粘貼晶圓加工用膠帶。這時，在晶圓加工用膠帶與晶圓環之間的剝離強度不足時，在切割工序或芯片焊接工序等各工序中，晶圓加工用膠帶有可能從晶圓環剝離，有可能在工序的實施中引起故障。本專利技術是為了解決上述課題而做出的，其目的在于提供一種能夠提高與晶圓環之間的剝離強度的晶圓加工用膠帶、晶圓加工用膠帶的制造方法以及使用該晶圓加工用膠帶的半導體裝置的制造方法。用于解決課題的手段為了解決上述課題，本專利技術涉及的晶圓加工用膠帶，其特征在于，是一種在半導體晶圓的加工時粘貼在晶圓環上而使用的晶圓加工用膠帶，具有:剝離基材，構成膠帶的基部；粘接劑層，與半導體晶圓的平面形狀對應地設置在剝離基材的一面側；粘著劑層，以覆蓋粘接劑層的方式設置；以及基材膜，以覆蓋粘著劑層的方式設置，粘著劑層以及基材膜的向粘接劑層的外側延伸的區域成為對晶圓環的粘貼區域，在粘貼區域中，以從基材膜側起到達剝離基材的深度形成有俯視時朝向粘接劑層的中心側的凸狀的切口部。此晶圓加工用膠帶中，與晶圓環的粘貼區域對應地以從基材膜側起到達剝離基材的深度形成凸狀的切口部，該凸狀的切口部晶圓俯視時朝向粘接劑層的中心側。通過切口部的形成，在剝離力作用于粘貼在晶圓環上的晶圓加工用膠帶時，在粘著劑層以及基材膜中比切口部更靠外側的部分(外側部分)先剝離，比切口部更靠內側的部分(內側部分)以呈凸狀的狀態殘留在晶圓環上。剝離力進一步起作用時，即使被外側部分拉拽從而內側部分要剝離，也由于剝離面積增加并且拉拽的作用點位于比內側部分更深的位置，所以內側部分的剝離需要更大的剝離力。因此，此晶圓加工用膠帶中，能夠提高晶圓加工用膠帶與晶圓環之間的剝離強度。另外，較為理想的是，沿著粘貼區域排列多個切口部。這時，能夠進一步提高晶圓加工用膠帶與晶圓環之間的剝離強度。另外，較為理想的是，切口部還具有俯視時朝向粘接劑層的外側的凸狀的部分。這時，能夠從上述凸狀的部分向晶圓加工用膠帶的外部放出例如切割時的冷卻水等產生剝離力的液體。因此，能夠進一步確保晶圓加工用膠帶與晶圓環之間的剝離強度。另外，較為理想的是，切口部不貫通剝離基材。這時，在晶圓加工用膠帶的使用時，由于在對剝離基材進行剝離時切口部不起作用，所以使剝離基材的剝離變得容易。另外，較為理想的是，在設剝離基材的厚度為a、設剝離基材中的切口部的深度為d時，滿足0〈d/a ( 0.7。通過滿足此條件，能夠充分發揮切口部的作用。本專利技術涉及的切割膠帶，其特征在于，是一種在半導體晶圓的切割時粘貼在晶圓環上而使用的切割膠帶，具有:剝離基材，構成膠帶的基部；粘著劑層，設置在剝離基材的一面側；以及基材膜，以覆蓋粘著劑層的方式設置，俯視時粘著劑層以及基材膜的外緣部成為對晶圓環的粘貼區域，在外緣部上以從基材膜側起到達剝離基材的深度形成有俯視時朝向粘著劑層中心側的凸狀的切口部。此切割膠帶中，俯視時粘著劑層以及基材膜的外緣部是對晶圓環的粘貼區域，在外緣部上，以從基材膜側起到達剝離基材的深度形成朝向粘著劑層中心側的凸狀的切口部。通過此切口部的形成，在剝離力作用于粘貼在晶圓環上的切割膠帶時，粘著劑層以及基材膜中比切口部更靠外側的部分(外側部分)先剝離，比切口部更靠內側的部分(內側部分)以呈凸狀的狀態殘留在晶圓環上。在剝離力進一步起作用時，即使被外側部分拉拽從而內側部分剝離，也由于剝離面積增加并且拉拽的作用點位于比內側部分更深的位置，所以內側部分的剝離需要更大的剝離力。因此，此切割膠帶能夠提高與晶圓環之間的剝離強度。另外，本專利技術涉及的晶圓加工用膠帶的制造方法，其特征在于，是一種在半導體晶圓的加工時粘貼在晶圓環上而使用的晶圓加工用膠帶的制造方法，具有:第一準備工序，準備粘接膜，該粘接膜由構成膠帶基部的剝離基材以及粘接劑層構成，該粘接劑層與半導體晶圓的平面形狀對應地設置在剝離基材的一面側；第二準備工序，準備粘著膜，該粘著膜由基材膜以及設置在基材膜一面側的粘接劑層構成；粘合工序，使粘接劑層與粘著劑層面對面并使粘接膜與粘著膜粘在一起；以及切口工序，在粘著劑層以及基材膜的、向粘接劑層的外側延伸的區域設定的對晶圓環的粘貼區域中，以從基材膜側起到達剝離基材的深度形成俯視時朝向粘接劑層的中心側的凸狀的切口部晶圓。在用此制造方法而得到的晶圓加工用膠帶中，與晶圓環的粘貼區域對應地以從基材膜側起到達剝離基材的深度形成有俯視時朝向粘接劑層的中心側的凸狀的切口部。通過此切口部的形成，在剝離力作用于粘貼在晶圓環上的晶圓加工用膠帶時，在粘著劑層以及基材膜中比切口部更靠外側的部分(外側部分)先剝離，并且比切口部更靠內側的部分(內側部分)以呈凸狀的狀態殘留在晶圓環上。在剝離力進一步起作用時，即使被向外側部分拉拽而內側部分剝離，也由于剝離面積增加并且拉拽的作用點位于比內側部分更深的位置，所以內側部分的剝離需要更大的剝離力。因此，此晶圓加工用膠帶中，能夠提高晶圓加工用膠帶與晶圓環之間的剝離強度。另外，較為理想的是，在切口工序中，沿著粘貼區域排列并形成多個切口部。這時，能夠進一步提高晶圓加工用膠帶與晶圓環之間的剝離強度。另外，較為理想的是，在切口工序中，還形成俯視時朝向粘接劑層的外側的凸狀部分。這時，能夠從上述凸狀的部分向晶圓加工用膠帶的外部放出例如切割時的冷卻水等產生剝離力的液體。因此，能夠進一步確保晶圓加工用膠帶與晶圓環之間的剝離強度。另外，較為理想的是，在切口工序中，以不貫通剝離基材的方式形成切口部。這時，在晶圓加工用膠帶的使用時，由于在將剝離基材剝離時切口部不起作用，所以使剝離基材的剝離變得容易。另外，較為理想的是，在切口工序中，在設剝離基材的厚度為a、設剝離基材中的切口部的深度為d時，以滿足0〈d/a ^ 0.7的方式形成切口部。通過滿足此條件，能夠充分地發揮切口部的作用。另外，本專利技術涉及的半導體裝置的制造方法，其特征在于，是一種使用上述晶圓加工用膠帶的半導體裝置的制造方法，具有:通過粘接劑層在半導體晶圓的一面側固定從晶圓加工用膠帶將剝離基材剝本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.10.15 JP 2010-232726;2011.02.25 US 61/446,9871.一種晶圓加工用膠帶，其特征在于，在半導體晶圓的加工時粘貼在晶圓環上而使用，該晶圓加工用膠帶具有: 剝離基材，構成膠帶的基部； 粘接劑層，與上述半導體晶圓的平面形狀對應地、設置在上述剝離基材的一面側； 粘著劑層，以覆蓋上述粘接劑層的方式設置；以及 基材膜，以覆蓋上述粘著劑層的方式設置， 上述粘著劑層以及上述基材膜的向上述粘接劑層的外側延伸的區域成為對上述晶片環的粘貼區域， 在上述粘貼區域中，以從上述基材膜側起到達上述剝離基材的深度形成有俯視時朝向上述粘接劑層的中心側的凸狀的切口部。2.如權利要求1所述的晶圓加工用膠帶，其特征在于， 沿著上述粘貼區域排列多個上述切口部。3.如權利要求1或2所述的晶圓加工用膠帶，其特征在于， 上述切口部還具有俯視時朝向上述粘接劑層的外側的凸狀的部分。4.如權利要求1 3中任一項所述的晶圓加工用膠帶，其特征在于， 上述切口部不貫通上述剝離基材。5.如權利要求1 4中任一項所述的晶圓加工用膠帶,其特征在于， 在將上述剝離基材的厚度設定為a、將上述切口部的深度設定為d時，滿足0〈d/a < 0.7。6.—種切割膠帶，其特征在于，在半導體晶圓的切割時粘貼在晶圓環上而使用，該切割膠帶具有: 剝離基材，構成膠帶的基部； 粘著劑層，設置在上述剝離基材的一面側；以及 基材膜，以覆蓋上述粘著劑層的方式設置， 俯視時上述粘著劑層以及上述基材膜的外緣部成為對上述晶圓環的粘貼區域， 在上述外緣部中，以從基材膜側起到達剝離基材的深度形成有俯視時朝向上述粘著劑層的中心側的凸狀的切口部。7.一種晶圓加工用膠帶的制造方法，其特征在于，是在半導體晶圓的加工...

【專利技術屬性】
技術研發人員：谷口纮平，松崎隆行，加藤慎也，小森田康二，增野道夫，作田龍彌，加藤理繪，
申請(專利權)人：日立化成株式會社，
類型：
國別省市：