本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種由下磨盤(pán)１，晶片托架２，晶片研磨控制儀８組成的曲面壓電晶片研磨裝置，下磨盤(pán)１和晶片托架２為導(dǎo)電金屬制作而成，下磨盤(pán)１連接晶片研磨控制儀８的探頭的下電極端，晶片托架２連接晶片研磨控制儀８的探頭的上電極端，晶片研磨控制儀８的探頭的接地極接地。由于在晶片研磨裝置中引入了晶片研磨控制儀，有效地控制了晶片研磨的質(zhì)量，尤其是為壓電晶片的研磨提供了一種能有效提高研磨質(zhì)量，提高了合格產(chǎn)品的產(chǎn)量及有效降低操作工勞動(dòng)強(qiáng)度的壓電晶片的研磨裝置。（*該技術(shù)在2017年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及--種對(duì)曲面壓電晶片進(jìn)行硏磨的曲面壓電晶片研磨裝置，尤其 是涉及一種對(duì)曲面壓電晶片的研磨進(jìn)度進(jìn)行自動(dòng)控制的曲面壓電晶片研磨裝 置。
技術(shù)介紹
.曲面壓電晶片在電子設(shè)備中的使用范圍越來(lái)越廣，曲面壓電晶片制作工序 是將石英晶片進(jìn)行切割至要求的角度，并根據(jù)所需晶片的外形要求加工至指定的直徑，然后根據(jù)所需晶片的頻率要求進(jìn)行研磨至指定的厚度(厚度和頻率成 反比)，再進(jìn)行電極涂層。在冃前的平面晶片厚度雙而研磨工藝中，有一種石英晶片研磨控制儀(ALC)，可以用來(lái)實(shí)時(shí)控制被研磨晶片的實(shí)際厚度或頻率。在使用中，這種石 英晶片研磨控制儀(ALC)的探頭的上電極端連接研磨機(jī)的上研磨盤(pán)、下電極 端連接下磨盤(pán)、接地極接地，研磨時(shí)先通過(guò)晶片的目標(biāo)厚度計(jì)算出目標(biāo)頻率， 將目標(biāo)頻率在石英晶片研磨控制儀(ALC)中設(shè)定，在研磨過(guò)程中不斷有相應(yīng) 的頻率傳送至石英晶片研磨控制儀(ALC)，當(dāng)通過(guò)上下電極端傳送至石英晶片 研磨控制儀(ALC)的頻率達(dá)到目標(biāo)頻率時(shí)，石英晶片研磨控制儀(ALC)就自動(dòng)控制研磨機(jī)停止研磨，此時(shí)被加工工件晶片的厚^:'即為目標(biāo)厚度。在現(xiàn)有的曲面壓電晶片厚度硏磨工藝中，是將己加工至指定角度和直徑的 石英晶片粘貼在晶片托架上，晶片托架通過(guò)自重將粘貼在其上的晶片向下磨盤(pán) 推壓，隨著下磨盤(pán)的軸向轉(zhuǎn)動(dòng)，晶片托架帶著晶片在下磨盤(pán)的工作面上作不規(guī) 則的隨機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，從而達(dá)到研磨晶片的目的(見(jiàn)圖1、圖2)，在研磨到大致的厚 度時(shí)，停止機(jī)械研磨，將研磨后的晶片取下，測(cè)量其厚度，然后進(jìn)入手工研磨階段，將晶片手工研磨至所要求的厚度。由于現(xiàn)有的研磨過(guò)程分為機(jī)械硏磨和 手工研磨兩個(gè)階段，盡管其機(jī)械研磨階段研磨的晶片量較大，但是由于其每一 片晶片均需經(jīng)過(guò)手工研磨階段，不僅導(dǎo)致研磨的質(zhì)量不穩(wěn)定，同時(shí)也導(dǎo)致晶片 的整體產(chǎn)量不高，效率低下，操作工的勞動(dòng)強(qiáng)度高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專(zhuān)利技術(shù)主要是解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的曲面壓電晶片硏磨質(zhì)量不穩(wěn)定的技術(shù) 問(wèn)題，提供一種研磨質(zhì)量穩(wěn)定的曲面壓電晶片研磨裝置。.本專(zhuān)利技術(shù)同時(shí)還解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的曲面壓電晶片整體產(chǎn)量不高，效率低 下，操作工的勞動(dòng)強(qiáng)度高等的技術(shù)問(wèn)題，提供一種曲面壓電晶片整體產(chǎn)量高、 效率高且大大降低操作工的勞動(dòng)強(qiáng)度的曲面壓電晶片研磨裝置。本專(zhuān)利技術(shù)的上述技術(shù)問(wèn)題主要是通過(guò)下述技術(shù)方案得以解決的本專(zhuān)利技術(shù)包括下磨盤(pán)l，晶片托架2，晶片研磨控制儀8，下'磨盤(pán)1和晶片托架2為導(dǎo)電金屬 制作而成，下磨盤(pán)1連接晶片硏磨控制儀8的探頭的下電極端，晶片托架2連 接晶片研磨控制儀8的探頭的上電極端，晶片研磨控制儀8的探頭的接地極接 地。作為優(yōu)選，本專(zhuān)利技術(shù)還包括上電極5和在上電極5外壁上的絕緣防護(hù)層6， 晶片托架2的中心有一個(gè)通透的直徑略大于晶片3的直徑的軸向中心孔4，上 電極5和絕緣防護(hù)層6插入軸向中心空4中，晶片研磨控制儀8的探頭的上電 極端與上電極5連接。作為優(yōu)選，上電極5使用銅制作而成，下磨盤(pán)l使用鑄鐵制成，晶片托架 2使用鐵制成。作為優(yōu)選，軸向中心孔4的直徑略大于絕緣防護(hù)層6的直徑。 作為優(yōu)選，絕緣防護(hù)層6是絕緣護(hù)套。作為優(yōu)選，還包括在絕緣防護(hù)層6外壁上的金屬防護(hù)層7，軸向中心孔4 的直徑略大于金屬防護(hù)層7的直徑。作為優(yōu)選，金屬防護(hù)層7為金屬護(hù)套。作為優(yōu)選，僉屬防護(hù)層7所使用的材料是鐵。因此，本技術(shù)具有結(jié)構(gòu)合理，思路獨(dú)特等特點(diǎn)，通過(guò)在晶片研磨裝置 中加入晶片研磨控制儀，有效地控制了晶片研磨的質(zhì)量，尤其是為曲面壓電晶 片的研磨提供了一種不僅能有效提高質(zhì)量的穩(wěn)定性，提高合格產(chǎn)品的產(chǎn)量，也 能夠有效降低操作工勞動(dòng)強(qiáng)度的曲面壓電晶片的研磨裝置。附圖說(shuō)明附圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種結(jié)構(gòu)示意附圖2是附圖1的A向視附圖3是本專(zhuān)利技術(shù)的一種結(jié)構(gòu)示意附圖4是附圖3的B向視圖附圖5是本專(zhuān)利技術(shù)的另一種結(jié)構(gòu)示意附圖6是附圖5的C向視附圖7是本專(zhuān)利技術(shù)的第三種結(jié)構(gòu)示意附圖8是附圖7的D向視具體實(shí)施方式下面通過(guò)實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說(shuō)明。實(shí)施例h參見(jiàn)圖3、圖4，本專(zhuān)利技術(shù)包括下磨盤(pán)l，晶片托架2，晶片研磨 控制儀8，下磨盤(pán)1使用鑄鐵制成，晶片托架2使用鐵制作而成，下磨盤(pán)1連 接晶片研磨控制儀(ALC) 8的探頭的下電極端，晶片托架2連接晶片研磨控制 儀(ALC) 8的探頭的上電極端，晶片研磨控制儀(ALC) 8的探頭的接地極接地。在本專(zhuān)利技術(shù)中，引入了晶片研磨控制儀(ALC) 8，晶片研磨控制儀(ALC) 8 的探頭的上電極與晶片托架2連接，晶片研磨控制儀(ALC) 8的探頭的下電極 與下磨盤(pán)1相連接，晶片研磨控制儀(ALC) 8的探頭的接地極接地。在工作B寸， 先根據(jù)加工工件的目標(biāo)厚度計(jì)算出目標(biāo)頻率，將晶片研磨控制儀(ALC) 8的頻率設(shè)定在目標(biāo)頻率，再將一件被加工工件即已加工至指定角度和直徑的晶片3 放在在晶片托架2的工作面上，下磨盤(pán)l沿軸心轉(zhuǎn)動(dòng)，使得晶片3隨著晶片托 架2在下磨盤(pán)1的工作面范圍內(nèi)不僅有公轉(zhuǎn)，而且有自轉(zhuǎn)，從而達(dá)到研磨的目 的，當(dāng)被加工晶片3達(dá)到目標(biāo)厚度時(shí)，此時(shí)通過(guò)晶片研磨控制儀(ALC) 8探頭 的上下電極測(cè)得的頻率即為目標(biāo)頻率，在達(dá)到目標(biāo)頻率后，晶片研磨控制儀 (ALC) 8就自動(dòng)控制下磨盤(pán)1停止轉(zhuǎn)動(dòng)，從而停止研磨。這樣就得到了完全機(jī) 器控制的、不需再手工加工的、達(dá)到目標(biāo)厚度的合格的曲面壓電晶片。實(shí)施例2:參見(jiàn)圖5、圖6，本專(zhuān)利技術(shù)包括下磨盤(pán)1，晶片托架2，晶片研磨 控制儀(ALC) 8,上電極5和在上電極5外壁上的塑料涂層6，晶片托架2的中 心有一個(gè)貫穿上下的直徑略大于塑料涂層6的軸向中心空4，上電極5和其外 壁上的塑料涂層6插入軸向中心孔4中，軸向中心孔4的直徑略大于塑料涂層 6和晶片3的直徑，下磨盤(pán)l使用鐵制成，晶片托架2是用鐵為原料制成，上 電極5用銅為原料制成，下磨盤(pán)1連接晶片研磨控制儀(ALC) 8的探頭的下電 極端，上電極5連接晶片研磨控制儀(ALC) 8的探頭的下電極端，晶片研磨控 制儀(ALC) 8的探頭的接地極接地。被已加工至指定角度和直徑的晶片3位于 上電極5的下端并套在軸向中心孔4內(nèi)，通過(guò)上電極5的自重將晶片3向下磨 盤(pán)1的工作面推壓，塑料涂層6的設(shè)置是為了使上電極5和晶片托架2之間保 持絕緣。本專(zhuān)利技術(shù)在工作中，首先根據(jù)需要加工的晶片的目標(biāo)厚度計(jì)算出目標(biāo)頻率， 將目標(biāo)頻率在晶片研磨控制儀(ALC) 8中先行設(shè)定；然后進(jìn)行研磨，研磨時(shí)隨 著下磨盤(pán)1的軸向轉(zhuǎn)動(dòng)，帶動(dòng)晶片托架2和上電極5不僅在下磨盤(pán)1的工作面 中有隨著下磨盤(pán)1的工作面的公轉(zhuǎn)，而且有沿著晶片托架2的中心的自轉(zhuǎn)，由 于上電極5通過(guò)自重將已加工至指定角度和直徑的晶片3向下磨盤(pán)1的工作面 推壓，從而使晶片3在下磨盤(pán)1的工作面上也不僅有公轉(zhuǎn)，而且有自轉(zhuǎn)，進(jìn)而 實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片3的研磨；在研磨至目標(biāo)厚度時(shí)，晶片研磨控制儀(ALC) 8的上、下電極端測(cè)得的頻率達(dá)到了目標(biāo)頻率，這時(shí)，晶片研磨控制儀(ALC) 8就控制 裝置停止研磨。這樣就得到了完全機(jī)控的、不需再手工加工的、達(dá)到目標(biāo)厚度 的合格的曲面壓電晶片。實(shí)施例3:參見(jiàn)圖5、圖6，本專(zhuān)利技術(shù)包括下磨盤(pán)l，晶片托架2，晶片研磨 控制儀(ALC) 8,上電極5和在上電極5外壁上的塑料護(hù)套6，晶片托架2的中 心有一個(gè)貫穿上下的直徑略大于塑料護(hù)套6的外徑和晶片3的直徑的軸向中心 空4，上電極5和其外壁上本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種曲面壓電晶片研磨裝置，包括下磨盤(pán)（１），晶片托架（２），其特征在于：還包括晶片研磨控制儀（８），所述的下磨盤(pán)（１）和晶片托架（２）為導(dǎo)電金屬制作而成，所述的下磨盤(pán)（１）連接所述的晶片研磨控制儀（８）的探頭的下電極端，所述的晶片托架（２）連接所述的晶片研磨控制儀（８）的探頭的上電極端，所述的晶片研磨控制儀（８）的探頭的接地極接地。
【技術(shù)特征摘要】
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王祖勇，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：王祖勇，
類(lèi)型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：86[中國(guó)|杭州]
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