氧化銦錫層的形成制造技術

本發明專利技術涉及氧化銦錫（ITO）層的形成。本發明專利技術公開了用于在基片之上形成結晶氧化銦錫層的系統，用于對沉積在基片上的材料層進行退火的系統，以及材料的疊層。通過將材料加熱至較高溫度而在基片之上形成諸如結晶氧化銦錫的材料層，同時限制基片的溫度增加以使得基片的溫度不超過預定溫度。例如，可以在基片之上沉積包括非晶ITO的層，并且可以在使用輻射在表面退火工藝中加熱該非晶層同時限制基片溫度。另一種工藝則可以讓電流通過該非晶ITO。在另一種工藝中，讓基片快速通過高溫沉積室，由此沉積一部分非晶ITO層，同時限制基片的溫度增加。

【技術實現步驟摘要】

本申請一般地涉及氧化銦錫(ITO)層的形成，尤其涉及通過將ITO加熱至較高溫度而在基片之上形成結晶ITO層的同時限制基片的溫度增加。
技術介紹
現今，有許多類型的輸入設備可用于執行計算系統內的操作，這些輸入設備包括諸如按鈕或鍵、鼠標、跟蹤球、游戲桿、觸摸傳感器面板、觸摸屏等等。特別地，觸摸屏因其易于使用、適于多用途操作且價格逐漸降低而變得越來越流行。觸摸屏可以包括觸摸傳感器面板和顯示設備，其中觸摸傳感器面板可以是帶有觸摸敏感表面的透明面板，而諸如液晶顯示器(LCD)的顯示設備可以部分地或完全地放置在面板之后以使得觸摸敏感表面能夠覆蓋該顯示設備的至少一部分可視區。觸摸屏可以允許用戶通過用手指、輸入筆或者其他物體在由顯示設備顯示的用戶界面(UI)所指示的位置上對觸摸傳感器面板進行觸摸來執行各種功能。一般而言，觸摸屏可以識別觸摸事件以及該觸摸事件在觸摸傳感器面板上的位置，于是計算系統可以根據觸摸事件時刻出現的顯示來解釋該觸摸事件，隨后就能基于該觸摸事件執行一個或多個動作。互電容觸摸傳感器面板可由基本透明的導電材料(諸如ΙΤ0)的驅動線路和感測線路的陣列形成，其中所述驅動線路和感測線路的陣列通常以行和列的方式沿著水平和垂直方向沉積在基本透明的基片上。沉 積高質量、結晶ITO的常規工藝需要將基片暴露在高達350攝氏度的持續溫度下。然而，這類高溫工藝無法適用于某些應用。
技術實現思路
一個示例涉及通過加熱ITO到較高溫度而在基片之上形成結晶ITO層的同時限制基片的溫度增加小于預定溫度。例如，可以在基片之上沉積包括非晶ITO的層，并且可以使用表面退火工藝使得ITO經歷從非晶ITO到結晶ITO的相變。在表面退火工藝中，能量的施加是以大部分的能量由包括非晶ITO的層而非基片吸收的方式進行的。例如，非晶ITO層可以暴露于激光、紫外(UV)輻射、微波輻射、或者其他電磁(EM)輻射下。可以選擇輻射的波長，使得非晶ITO層吸收大部分的輻射能量。以此方式，因為大部分的能量被ITO層吸收，使得例如非晶ITO層可以被充分加熱以經歷到結晶ITO的相變，而同時基片的溫度增加則可被限制為小于預定溫度。在另一示例中，可以通過向ITO層施加電流而使得能量吸收集中在ITO層。ITO層的電阻使得電流的一部分能量以熱量形式被ITO層吸收。讓電流集中流過ITO層能夠使得大部分的能量由非晶ITO層吸收，由此就能將ITO加熱到較高溫度并引起到結晶ITO的相變，同時限制基片的溫度增加。在另一示例中，可以使用諸如物理氣相沉積(PVD)之類的沉積工藝在裸基片(gp，沒有包括非晶ITO的層)上沉積結晶ΙΤ0，上述工藝在將ITO加熱到較高溫度(例如，200-350攝氏度或更高)的同時限制基片的溫度增加小于預定溫度。例如，可以讓基片在其溫度增加超過預定的閾值溫度之前快速通過高溫ITO沉積室，以沉積一層較薄的結晶ΙΤ0。可以讓基片多次通過沉積室，直至ITO層達到期望厚度。在每次通過之間，能讓基片充分冷卻以便在下一次通過的過程中保持基片溫度低于預定的閾值溫度。附圖說明圖1例示了可根據本專利技術實施例在其上形成一層或多層結晶ITO層的示例性LCD模塊。圖2例示了一種根據本專利技術的實施例使用表面退火工藝在諸如CF玻璃的基片之上形成結晶ITO層同時限制基片的溫度增加的示例性方法。圖3例示了根據本專利技術實施例的另一種形成結晶ITO層的示例性方法。圖4例示了根據本專利技術實施例的另一種形成結晶ITO層的示例性方法。圖5例示了另一種根據本專利技術實施例的使用快速沉積工藝形成結晶ITO層的示例性方法。圖6例示了一種根據本專利技術實施例的用于校準/測 試結晶ITO層形成工藝的示例性方法。圖7A-C例示了一種可以根據本專利技術實施例形成的示例性SITO配置。圖8A-B示出了圖7A-C中示例性SITO配置的更多細節。圖9例示了圖7A-C和圖8A-B中示例性SITO配置的進一步細節。圖10A-B例示了具有根據本專利技術實施例形成的SITO配置的觸摸傳感器面板的示例性電容測量。圖1OC例示了另一個示例性SITO配置。圖11例示了一種包括根據本專利技術實施例形成的SITO的示例性SITO疊層。圖12例示了一種包括根據本專利技術實施例形成DITO層的示例性DITO配置和工藝。圖13例示了一種包括使用了根據本專利技術實施例形成的一層或多層結晶ITO層的觸摸傳感器面板的示例性計算系統。圖14A例示了一種包括根據本專利技術實施例形成的一層或多層結晶ITO層的觸摸傳感器面板的示例性移動電話。圖14B例示了一種包括根據本專利技術實施例形成的一層或多層結晶ITO層的觸摸傳感器面板的示例性數字媒體播放器。圖14C例示了一種包括根據本專利技術實施例形成的一層或多層結晶ITO層的觸摸傳感器面板(跟蹤板)和/或顯示器的示例性個人計算機。具體實施例方式在以下對各較佳實施例的描述中，對附圖進行參考，這些附圖形成該描述的一部分并在其中以說明的方式示出能夠實踐本專利技術的特定實施例。應該理解可以使用其他實施例并做出結構性的改變而不背離本專利技術各實施例的范圍。一個示例涉及通過加熱ITO到較高溫度而在基片之上形成結晶ITO層，同時將基片溫度增加限制為小于預定溫度。例如，可以將包括非晶ITO的層沉積在基片頂部，并且可以使用表面退火工藝使得ITO經歷從非晶ITO到結晶ITO的相變。包括非晶ITO的層例如可以是包括非晶ITO和結晶ITO兩者的層。在表面退火工藝中，以大部分能量由包括非晶ITO的層而非基片吸收的方式來施加能量。例如，非晶ITO層可以暴露于激光、紫外(UV)輻射、微波輻射、或者其他電磁(EM)輻射下。可以選擇輻射的波長，使得非晶ITO層吸收大部分輻射能。以此方式，因為大部分的能量被ITO層吸收，使得例如非晶ITO能被充分加熱以經歷到結晶ITO的相變，而同時還可以限制基片的溫度增力口。在另一個示例中，可以通過向ITO層施加電流而使得能量吸收集中在ITO層。ITO層的電阻使得電流的一部分能量以熱量形式被ITO層吸收。讓電流集中流過ITO層能讓非晶ITO層吸收大部分的能量，由此將ITO加熱到較高溫度并引起到結晶ITO的相變，同時限制基片的溫度增加小于預定溫度。在另一個示例中，可以使用諸如物理氣相沉積(PVD)的沉積工藝在裸基片(即，沒有包括非晶ITO的層)上沉積結晶ΙΤ0，上述工藝在將ITO加熱到較高溫度(例如，200-350攝氏度或更高)的同時限制基片的溫度增加小于預定溫度。例如，可以讓基片在其溫度增加超過預定的閾值溫度之前快速通過高溫ITO沉積室，以沉積一層較薄的結晶ΙΤ0。可以讓基片多次通過沉積室，直至ITO層達到期望厚度。在每次通過之間，可以讓基片充分冷卻以便在下次通過的過程中保持基片溫度低于預定的閾值溫度。在基片之上形成結晶ITO的同時限制基片的溫度增加在例如LCD觸摸屏的生產中特別有用，這是因為IXD的液晶如果暴露在約100攝氏度以上的溫度下就會劣化。在此方面，本文將針對LCD觸摸屏來描述并例示本專利技術的如下示例性實施例。然而，應該理解本專利技術的實施例不受此限制，而是還可以應用于在其中ITO結晶層在溫度敏感基片之上和/或在溫度敏感材料附近形成的其他應用。還應注意到本專利技術的實施例還可應用于一般情況下在基片上形成結晶ΙΤ0，即同樣適用于基片或周圍材料不存在特定的溫度敏感本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于在基片之上形成結晶氧化銦錫（ITO）層的系統，所述系統包括：加熱裝置，用于將ITO加熱至較高溫度以形成結晶ITO層；以及限溫裝置，用于在結晶ITO層的形成過程中限制基片的溫度增加。

【技術特征摘要】
2008.08.08 US 12/189,1331.一種用于在基片之上形成結晶氧化銦錫(ITO)層的系統，所述系統包括: 加熱裝置，用于將ITO加熱至較高溫度以形成結晶ITO層；以及 限溫裝置，用于在結晶ITO層的形成過程中限制基片的溫度增加。2.如權利要求1所述的系統，還包括: 沉積裝置，用于在基片之上沉積包括非晶ITO的層，其中所述加熱裝置通過施加電磁(EM)輻射來加熱所述包括非晶ITO的層。3.如權利要求2所述的系統，還包括: 層形成裝置，用于在包括非晶ITO的層和基片之間形成中間層，其中所述中間層在EM輻射的波長上反射所述EM輻射。4.如權利要求2所述的系統，還包括: 層形成裝置，用于在包括非晶ITO的層和基片之間形成中間層，其中所述中間層在EM輻射的波長上吸收所述EM輻射。5.如權利要求1所述的系統，還包括: 沉...

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃麗麗，鐘志國，
申請(專利權)人：蘋果公司，
類型：發明
國別省市：