一種電感電容諧振電路制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開一種電感電容諧振電路，包括電容、與電容串聯(lián)且可調(diào)整導(dǎo)通阻值的MOS管單元，以及與電容和MOS管單元所形成的支路串聯(lián)或并聯(lián)的電感。本發(fā)明專利技術(shù)通過以上技術(shù)方案，解決如何調(diào)整LC諧振電路的Q值的技術(shù)問題。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及電路領(lǐng)域，尤其涉及一種電感電容諧振電路。
技術(shù)介紹
電感電容諧振電路(簡稱LC諧振電路)包括電感和電容串聯(lián)組成的LC串聯(lián)諧振電路，還包括電感和電容并聯(lián)組成的LC并聯(lián)諧振電路，LC諧振電路是一個廣泛應(yīng)用的電路形式，可以用于負(fù)載、濾波和選頻等。LC諧振電路的品質(zhì)因數(shù)(Q值)決定了 LC諧振電路的帶寬。如何調(diào)整LC諧振電路的Q值是目前需要解決的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供一種電感電容諧振電路，解決如何調(diào)整LC諧振電路的Q值的技術(shù)問題。為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)采用以下技術(shù)方案:一種電感電容諧振電路包括電容、與所述電容串聯(lián)且可調(diào)整導(dǎo)通阻值的MOS管單元，以及與所述電容和MOS管單元所形成的支路串聯(lián)或并聯(lián)的電感。在本專利技術(shù)一實施例中，該MOS管單元包括多個并聯(lián)的MOS管；該多個并聯(lián)的MOS管通過二進(jìn)制編碼方式的控制信號調(diào)整導(dǎo)通電阻。在本專利技術(shù)一實施例中，二進(jìn)制編碼序列包含n個控制位，n > I，各控制位用于同時控制至少一個MOS管的導(dǎo)通和關(guān)閉。在本專利技術(shù)一實施例中，第n個控制位用于同時控制X個并聯(lián)的MOS管的導(dǎo)通和關(guān)閉，X = 211'在本專利技術(shù)一實施例中，該MOS管單元包括多個并聯(lián)的NMOS管；各匪05管的柵極分別接控制信號，源極接地，漏極接所述電容的一端。在本專利技術(shù)一實施例中，該電感電容諧振電路電路的輸入信號同時接電感的一端和電容的另一端，電感的另一端接地。在本專利技術(shù)另一實施例中，該電感電容諧振電路電路的輸入信號同時接電感的一端和電容的另一端，電感的另一端接電源電壓。在本專利技術(shù)一實施例中，該MOS管單元包括多個并聯(lián)的PMOS管；各？105管的柵極分別通過反相器接控制信號，源極接電源電壓，漏極接所述電容的一端。在本專利技術(shù)一實施例中，該電感電容諧振電路電路的輸入信號同時接電感的一端和電容的另一端，電感的另一端接電源電壓。本專利技術(shù)提供的電感電容諧振電路包括電容、與電容串聯(lián)且可調(diào)整導(dǎo)通阻值的MOS管單元，以及與電容和MOS管單元所形成的支路串聯(lián)或并聯(lián)的電感，若電容和MOS管單元所形成的支路與該電感串聯(lián)，則組成LC串聯(lián)諧振電路，若電容和MOS管單元所形成的支路與該電感并聯(lián)，則組成LC并聯(lián)諧振電路，不論是LC串聯(lián)諧振電路或是LC并聯(lián)諧振電路，本專利技術(shù)可通過調(diào)整與電容串聯(lián)的MOS管單元的導(dǎo)通阻值，調(diào)整LC諧振電路的Q值。以LC并聯(lián)諧振電路為例，根據(jù)LC并聯(lián)諧振電路的Q值計算公式:0 = —" (RS、CS分別表征串聯(lián)仍 CsRs的電阻和電容)可知，調(diào)整Rs的數(shù)值可以調(diào)整LC并聯(lián)諧振電路的Q值，因此，調(diào)整本專利技術(shù)與電容串聯(lián)的MOS管單元的導(dǎo)通阻值，可以實現(xiàn)調(diào)整LC諧振電路的Q值，LC諧振電路的Q值決定了 LC諧振電路的帶寬，因此通過本專利技術(shù)，還可以對LC諧振電路的帶寬的調(diào)整。附圖說明圖1為本專利技術(shù)一實施例一種電感電容諧振電路的不意圖；圖2為本專利技術(shù)一實施例一種電感電容諧振電路意圖；圖3為本專利技術(shù)一實施例一種電感電容諧振電路示意圖。具體實施例方式本專利技術(shù)的電感電容諧振電路包括LC串聯(lián)諧振電路，還包括LC并聯(lián)諧振電路，如果是LC串聯(lián)諧振電路，則該LC串聯(lián)諧振電路包括電容、與電容串聯(lián)且可調(diào)整導(dǎo)通阻值的MOS管單元，以及與電容和MOS管單元所形成的支路串聯(lián)的電感L。如果是LC并聯(lián)諧振電路，則該LC并聯(lián)諧振電路包括電容、與電容串聯(lián)且可調(diào)整導(dǎo)通阻值的MOS管單元，以及與電容和MOS管單元所形成的支路并聯(lián)的電感L。MOS管單元可以包括多個并聯(lián)的MOS管，因為各MOS管與電容串聯(lián)，所以各MOS管的Vds都等于0，所以各MOS管工作在線性區(qū)，MOS管單元在線性區(qū)的導(dǎo)通電阻R =-!- 為:on ^ WM、，其中，RmSMOS管單元在線性區(qū)的導(dǎo)通電阻，y為 ox L ~~ )各MOS管的電子或者空穴的遷移率，Cox為各MOS管單位面積的柵氧電容，&為各MOS管的寬長比，M為并聯(lián)的MOS管的個數(shù)，相當(dāng)于W/L擴大了 M倍，Vgs為各MOS管的柵源電壓，Vth為各MOS管的開啟電壓。以LC并聯(lián)諧振電路為例，LC并聯(lián)諧振電路的Q值為:0 = ^^ =_!_CoCsRon r WM /\ ’由此公式可知，可以通過調(diào)整并聯(lián)的MOS管的個S °nL V _ TH )數(shù)，以調(diào)整LC并聯(lián)諧振電路的Q值，并聯(lián)的MOS管的個數(shù)越多，串聯(lián)入電容的電阻越小，Q值越大。同理，也可以通過調(diào)整并聯(lián)的MOS管的個數(shù)，以調(diào)整LC串聯(lián)諧振電路的Q值。為了方便控制及簡化電路結(jié)構(gòu)，該多個并聯(lián)的MOS管可以通過二進(jìn)制編碼方式的控制信號調(diào)整并聯(lián)的MOS管個數(shù)。以二進(jìn)制編碼序列包含n個控制位為例，I。各控制位可用于同時控制一個MOS管的導(dǎo)通和關(guān)閉，假設(shè)n = 3，二進(jìn)制編碼序列為011，則從右邊起控制位“ I ”、控制位“ I ”、控制位“0”，分別用于控制一個MOS管的導(dǎo)通和關(guān)閉。為了進(jìn)一步完善控制方式，減少控制位的數(shù)量，或者在相同的控制位條件下增加控制范圍，也可以按如下方式實現(xiàn):右邊起第n個控制位用于同時控制X個并聯(lián)的MOS管的導(dǎo)通和關(guān)閉，X =2n_S即右邊起第一個控制位“I”用于控制一個MOS管(X = 2114 = 2° = I)的導(dǎo)通和關(guān)閉，第二個控制位“I”用于控制兩個MOS管(X = 22—1 = 21 = 2)的導(dǎo)通和關(guān)閉，第三個控制位“0”用于控制四個MOS管(X = 23—1 = 22 = 4)的導(dǎo)通和關(guān)閉。下面通過具體實施方式結(jié)合附圖對本專利技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)說明。實施例一:下面以LC并聯(lián)諧振電路為例，圖1為本專利技術(shù)一實施例一種電感電容諧振電路的示意圖，請查考圖1:LC并聯(lián)諧振電路的輸入信號(Vin)同時接電感L的一端和電容Cs的一端，電感L的另一端接地，電容Cs的另一端接MOS管單元，MOS管單元包括多個并聯(lián)的NMOS管(MNpMN2……MNn)，各NMOS管的柵極分別接二進(jìn)制序列，該二進(jìn)制序列包括n個控制位(dn、Cllri……(I1)，各NMOS管的源極接地，漏極接電容Cs的另一端。各NMOS管可以具有相同的柵長1^和柵寬％。本實施例，二進(jìn)制序列的各控制位用于分別控制一個NMOS管的導(dǎo)通和關(guān)閉，如Cl1用于控制MN1的導(dǎo)通和關(guān)閉，d2用于控制MN2的導(dǎo)通和關(guān)閉，以此類推，<用于控制MNn的導(dǎo)通和關(guān)閉。假設(shè)n = 3，不同二進(jìn)制序列的控制下，并聯(lián)的NMOS管的個數(shù)、MOS管單元在線性區(qū)的導(dǎo)通電阻，以及該LC并聯(lián)諧振電路的Q值如表I所示，其中R1為一個NMOS管在線性區(qū)的導(dǎo)通電阻:表I權(quán)利要求1.一種電感電容諧振電路，其特征在于，包括電容、與所述電容串聯(lián)且可調(diào)整導(dǎo)通阻值的MOS管單元，以及與所述電容和MOS管單元所形成的支路串聯(lián)或并聯(lián)的電感。2.如權(quán)利要求1所述的電感電容諧振電路，其特征在于，所述MOS管單元包括多個并聯(lián)的MOS管；所述多個并聯(lián)的MOS管通過二進(jìn)制編碼方式的控制信號調(diào)整導(dǎo)通電阻。3.如權(quán)利要求2所述的電感電容諧振電路，其特征在于，二進(jìn)制編碼序列包含n個控制位，n彡1，各控制位用于同時控制至少一個MOS管的導(dǎo)通和關(guān)閉。4.如權(quán)利要求3所述的電感電容諧振電路，其特征在于，第n個控制位用于同時控制X個并聯(lián)的MOS管的導(dǎo)通和關(guān)閉，X = 2n'5.如權(quán)利要求1至4任一項所述的電感電容諧振電路，其特征在于，所述MOS管單元包括多個并聯(lián)的NMOS本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種電感電容諧振電路，其特征在于，包括電容、與所述電容串聯(lián)且可調(diào)整導(dǎo)通阻值的MOS管單元，以及與所述電容和MOS管單元所形成的支路串聯(lián)或并聯(lián)的電感。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張立國，蔡新午，趙騫，潘文杰，周建波，
申請(專利權(quán))人：國民技術(shù)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：