本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)涉及一種V波段平面電路測(cè)試夾具，包括用于放置測(cè)試電路的底座、第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件和第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件，所述第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件安裝在所述底座上形成輸入波導(dǎo)口，所述第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件安裝在所述底座上形成輸出波導(dǎo)口，所述輸入波導(dǎo)口的方向和輸出波導(dǎo)口的方向與測(cè)試電路的微帶傳輸線方向一致；所述測(cè)試電路的微帶處于開(kāi)放環(huán)境中。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)可獨(dú)立通用，易于加工，體積小，損耗低，裝卸方便，可輕松的實(shí)現(xiàn)高頻電路或芯片的測(cè)試工作。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及電路測(cè)試
，特別是涉及一種V波段平面電路測(cè)試夾具。
技術(shù)介紹
微波需要通過(guò)微波傳輸線來(lái)進(jìn)行傳輸，常用的微波傳輸線有微帶線，同軸線，波導(dǎo)等，微帶線是一種平面形式的微波傳輸線，特別適合制作微波集成電路，隨著集成電路設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)的發(fā)展，在現(xiàn)代微波電子設(shè)備中，電路設(shè)計(jì)廣泛采用微帶線形式。微波電路之間的連接或者微波電路與測(cè)試設(shè)備之間的連接主要采用同軸線和波導(dǎo)形式，但在V波段，采用波導(dǎo)形式具有更高的可靠性和經(jīng)濟(jì)性，以及更低的損耗，即微波電路的輸入輸出接口需要采用波導(dǎo)接口形式，這樣就要實(shí)現(xiàn)波導(dǎo)與微帶之間的轉(zhuǎn)換。實(shí)現(xiàn)波導(dǎo)與微帶之間的轉(zhuǎn)換，傳統(tǒng)的做法是通過(guò)一個(gè)微波轉(zhuǎn)換接頭來(lái)實(shí)現(xiàn)微波信號(hào)在不同傳輸線形式之間的變換。這里的微波轉(zhuǎn)換接頭主要是指波導(dǎo)微帶轉(zhuǎn)換器，一端是可搭在微帶上、與微帶連接的同軸針，一端是帶法蘭安裝面的波導(dǎo)口。但是，一方面，目前市場(chǎng)上很少有應(yīng)用于V波段的波導(dǎo)微帶轉(zhuǎn)換器；另一方面，用同軸實(shí)現(xiàn)波導(dǎo)與微帶之間的互聯(lián)，既會(huì)使損耗變大，也會(huì)增加設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。所以需求的是波導(dǎo)與微帶之間直接進(jìn)行轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)換器。波導(dǎo)與微帶之間直接轉(zhuǎn)換的方法有脊波導(dǎo)和鰭線。這兩種轉(zhuǎn)換方式應(yīng)用都較少，如果用鰭線實(shí)現(xiàn)波導(dǎo)與微帶的轉(zhuǎn)換，整個(gè)被測(cè)電路會(huì)被封閉在波導(dǎo)腔內(nèi)，這樣一來(lái)，一方面被測(cè)電路的體積會(huì)受限，另一方面對(duì)于某些電路可能會(huì)引起自激。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專(zhuān)利技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種獨(dú)立通用，易于加工，體積小，損耗低，波導(dǎo)口方向與微帶傳輸線方向保持一致，方面實(shí)用的V波段平面電路測(cè)試夾具。本專(zhuān)利技術(shù)解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:提供一種V波段平面電路測(cè)試夾具，包括用于放置測(cè)試電路的底座、第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件和第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件，所述第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件安裝在所述底座上形成輸入波導(dǎo)口，所述第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件安裝在所述底座上形成輸出波導(dǎo)口，所述輸入波導(dǎo)口的方向和輸出波導(dǎo)口的方向與測(cè)試電路的微帶傳輸線方向一致；所述測(cè)試電路的微帶處于開(kāi)放環(huán)境中。所述輸入波導(dǎo)口和輸出波導(dǎo)口均采用脊波導(dǎo)轉(zhuǎn)換形式，一端為波導(dǎo)接口，另一端設(shè)有脊，所述脊直接壓接在測(cè)試電路的微帶上。所述脊波導(dǎo)轉(zhuǎn)換形式為階梯式單脊波導(dǎo)形式。所述第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件整體呈長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，所述長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)的側(cè)面中央位置上設(shè)有一與底座上卡槽相配且貫穿長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)徑向的凸臺(tái)，所述凸臺(tái)上的一側(cè)設(shè)有階梯式單脊；所述第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件的結(jié)構(gòu)與第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件的結(jié)構(gòu)相同。所述階梯式單脊的最后一級(jí)直接壓在測(cè)試電路的微帶上。所述第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件和第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件的遠(yuǎn)離階梯式單脊的一側(cè)的側(cè)面還設(shè)有法蘭接口。所述底座上還安裝有帶有供電孔的擋板。有益效果由于采用了上述的技術(shù)方案，本專(zhuān)利技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果:本專(zhuān)利技術(shù)將以微帶輸入輸出的待測(cè)電路的兩端微帶部分分別插入脊波導(dǎo)中，實(shí)現(xiàn)微帶與波導(dǎo)之間的轉(zhuǎn)換，最后的輸入輸出均為波導(dǎo)接口。本專(zhuān)利技術(shù)可獨(dú)立通用，易于加工，體積小，損耗低，裝卸方便，可輕松的實(shí)現(xiàn)高頻電路或芯片的測(cè)試工作。其相關(guān)的技術(shù)也同樣可以運(yùn)用到其他的微波頻段，實(shí)用性很高。附圖說(shuō)明圖1是本專(zhuān)利技術(shù)與微帶的裝配示意圖；圖2是圖1的A向視圖；圖3是圖2的B向視圖；圖4是整體裝配示意圖。圖5是本專(zhuān)利技術(shù)中底座結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本專(zhuān)利技術(shù)中第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本專(zhuān)利技術(shù)。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)而不用于限制本專(zhuān)利技術(shù)的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本專(zhuān)利技術(shù)講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書(shū)所限定的范圍。本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方式涉及一種V波段平面電路測(cè)試夾具，如圖1至圖4所示，包括用于放置測(cè)試電路的底座3、第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件I和第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件2，所述第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件I安裝在所述底座3上形成輸入波導(dǎo)口 8，所述第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件2安裝在所述底座3上形成輸出波導(dǎo)口 9,所述輸入波導(dǎo)口 8的方向和輸出波導(dǎo)口 9的方向與測(cè)試電路的微帶10傳輸線方向一致；所述測(cè)試電路的微帶10處于開(kāi)放環(huán)境中。所述輸入波導(dǎo)口 8和輸出波導(dǎo)口 9均采用脊波導(dǎo)轉(zhuǎn)換形式，一端為波導(dǎo)接口，另一端設(shè)有脊，所述脊直接壓接在測(cè)試電路的微帶10上。所述脊波導(dǎo)轉(zhuǎn)換形式為階梯式單脊波導(dǎo)形式。所述第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件I和第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件2的遠(yuǎn)離階梯式單脊4的一側(cè)的側(cè)面還設(shè)有法蘭接口 5。所述底座3上還安裝有帶有供電孔的擋板11。如圖6所示，所述第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件I整體呈長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，所述長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)的側(cè)面中央位置上設(shè)有一與底座3 (見(jiàn)圖5)上卡槽相配且貫穿長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)徑向的凸臺(tái)，所述凸臺(tái)上的一側(cè)設(shè)有階梯式單脊4 ;所述第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件與第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件的結(jié)構(gòu)相同。所述階梯式單脊4的最后一級(jí)直接壓在測(cè)試電路的微帶上。如圖5所示，底座3側(cè)面還設(shè)有兩個(gè)卡槽，用于與帶有供電孔的擋板11裝配。由于本專(zhuān)利技術(shù)采用脊波導(dǎo)的形式，除了輸入輸出兩端口的波導(dǎo)轉(zhuǎn)脊波導(dǎo)是在波導(dǎo)腔內(nèi)，其它從微帶到整個(gè)被測(cè)電路部分均是在開(kāi)放環(huán)境中，既沒(méi)有體積限制，也不會(huì)造成腔體自激，而且整個(gè)測(cè)試夾具體積小，損耗低，帶寬寬。本專(zhuān)利技術(shù)的輸入端為輸入波導(dǎo)口 8，輸出端為輸出波導(dǎo)口 9，測(cè)試電路用微帶10代替，微帶10直接壓接在第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件I的脊4和第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件2的脊下，第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件I通過(guò)螺釘孔6固定在底座3上，第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件2通過(guò)螺釘孔7固定在底座3上。測(cè)試時(shí)，測(cè)試設(shè)備通過(guò)與法蘭接口 5相對(duì)接實(shí)現(xiàn)與波導(dǎo)口 8的連接，輸出端同理。當(dāng)所測(cè)電路需要供電時(shí)，供電用的擋板11可通過(guò)螺釘孔13固定在結(jié)構(gòu)件3上，供電由供電孔14供入。不難發(fā)現(xiàn)，本專(zhuān)利技術(shù)將以微帶輸入輸出的待測(cè)電路的兩端微帶部分分別插入脊波導(dǎo)中，實(shí)現(xiàn)微帶與波導(dǎo)之間的轉(zhuǎn)換，最后的輸入輸出均為波導(dǎo)接口。本專(zhuān)利技術(shù)可獨(dú)立通用，易于加工，體積小，損耗低，裝卸方便，可輕松的實(shí)現(xiàn)高頻電路或芯片的測(cè)試工作。其相關(guān)的技術(shù)也同樣可以運(yùn)用到其他的微波頻段，實(shí)用性很高。權(quán)利要求1.一種V波段平面電路測(cè)試夾具，包括用于放置測(cè)試電路的底座(3)、第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件(1)和第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件(2)，其特征在于，所述第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件(I)安裝在所述底座(3)上形成輸入波導(dǎo)口(8)，所述第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件(2)安裝在所述底座(3)上形成輸出波導(dǎo)口(9)，所述輸入波導(dǎo)口(8)的方向和輸出波導(dǎo)口(9)的方向與測(cè)試電路的微帶(10)傳輸線方向一致；所述測(cè)試電路的微帶(10)處于開(kāi)放環(huán)境中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的V波段平面電路測(cè)試夾具，其特征在于，所述輸入波導(dǎo)口(8)和輸出波導(dǎo)口(9)均采用脊波導(dǎo)轉(zhuǎn)換形式，一端為波導(dǎo)接口，另一端設(shè)有脊，所述脊直接壓接在測(cè)試電路的微帶(10)上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的V波段平面電路測(cè)試夾具，其特征在于，所述脊波導(dǎo)轉(zhuǎn)換形式為階梯式單脊波導(dǎo)形式。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的V波段平面電路測(cè)試夾具，其特征在于，所述第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件(I)整體呈長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，所述長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)的側(cè)面中央位置上設(shè)有一與底座上卡槽相配且貫穿長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)徑向的凸臺(tái)，所述凸臺(tái)上的一側(cè)設(shè)有階梯式單脊(4);所述第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件(2)的結(jié)構(gòu)與第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件(I)的結(jié)構(gòu)相同。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的V波段平面電路測(cè)試夾具，其特征在于，所述階梯式單脊(4)的最后一級(jí)直接壓在測(cè)試電路的微帶(10)上。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的V波段平面電路測(cè)試夾具，其特征在于，所述第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件(I)和第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件(2)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種V波段平面電路測(cè)試夾具，包括用于放置測(cè)試電路的底座（3）、第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件（1）和第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件（2），其特征在于，所述第一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件（1）安裝在所述底座（3）上形成輸入波導(dǎo)口（8），所述第二波導(dǎo)結(jié)構(gòu)件（2）安裝在所述底座（3）上形成輸出波導(dǎo)口（9），所述輸入波導(dǎo)口（8）的方向和輸出波導(dǎo)口（9）的方向與測(cè)試電路的微帶（10）傳輸線方向一致；所述測(cè)試電路的微帶（10）處于開(kāi)放環(huán)境中。
【技術(shù)特征摘要】
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：汪書(shū)娜，李凌云，孫曉瑋，錢(qián)蓉，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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