【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種揚(yáng)聲器，尤其是涉及一種同軸揚(yáng)聲器。
技術(shù)介紹
單個的揚(yáng)聲器的音樂重放頻帶都有一定的寬度，通常無法完全滿足人耳20 20kHz這么寬的范圍，因此，現(xiàn)有的音箱大多采用高、中音揚(yáng)聲器來分別重放各自的頻段，然后合成整個音樂，以滿足音樂重放的需要。然而，高音單元和中音單元由于平面地排列在音箱的面板上，所以它們的發(fā)聲中心不可能重合為一個點(diǎn)，這樣，高音和中音到達(dá)聆聽者的距離就有差異，這種差異會導(dǎo)致相位偏差，從而影響聲像的正確還原，造成聲音的混亂。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述不足，而提供一種能解決相位偏差問題，避免聲音出現(xiàn)混亂的同軸雙頻揚(yáng)聲器。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)采用如下技術(shù)方案:一種同軸雙頻揚(yáng)聲器，包括高音單元和中音單元，所述高音單元位于中心位置，所述中音單元位于所述高音單元的外環(huán)，所述高音單元和所述中音單元構(gòu)成同軸結(jié)構(gòu)，所述高音單元內(nèi)設(shè)有高音環(huán)形振膜，所述中音單元內(nèi)設(shè)有中音環(huán)形振膜。進(jìn)一步，所述高音環(huán)形振膜可設(shè)置于所述中音環(huán)形振膜內(nèi)。進(jìn)一步，所述高音環(huán)形振膜同圓心地設(shè)置于所述中音環(huán)形振膜內(nèi)。進(jìn)一步，所述中音環(huán)形振膜的直徑遠(yuǎn)大于所述高音環(huán)形振膜的直徑。進(jìn)一步，所述高音單元的高音聲波與所述中音單元的中音聲波在相互獨(dú)立的空間內(nèi)傳送。進(jìn)一步,所述高音單元的高音聲波在第一腔室內(nèi)傳送。進(jìn)一步，所述中音單元的中音聲波在第二腔室內(nèi)傳送。進(jìn)一步，所述高音單元的高音聲波與所述中音單元的中音聲波在相互獨(dú)立的空間內(nèi)傳送特定距離后再合并傳送聲波。進(jìn)一步，所述高音環(huán)形振膜和所述中音環(huán)形振膜的中心軸線是同一軸線。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)高音和中音的...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種同軸雙頻揚(yáng)聲器，包括高音單元和中音單元，其特征在于：所述高音單元位于中心位置，所述中音單元位于所述高音單元的外環(huán)，所述高音單元和所述中音單元構(gòu)成同軸結(jié)構(gòu)，所述高音單元內(nèi)設(shè)有高音環(huán)形振膜，所述中音單元內(nèi)設(shè)有中音環(huán)形振膜。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種同軸雙頻揚(yáng)聲器，包括高音單元和中音單元，其特征在于:所述高音單元位于中心位置，所述中音單元位于所述高音單元的外環(huán)，所述高音單元和所述中音單元構(gòu)成同軸結(jié)構(gòu)，所述高音單元內(nèi)設(shè)有高音環(huán)形振膜，所述中音單元內(nèi)設(shè)有中音環(huán)形振膜。2.如權(quán)利要求1所述的同軸雙頻揚(yáng)聲器，其特征在于:所述高音環(huán)形振膜可設(shè)置于所述中音環(huán)形振膜內(nèi)。3.如權(quán)利要求2所述的同軸雙頻揚(yáng)聲器，其特征在于:所述高音環(huán)形振膜同圓心地設(shè)置于所述中音環(huán)形振膜內(nèi)。4.如權(quán)利要求1所述的同軸雙頻揚(yáng)聲器，其特征在于:所述中音環(huán)形振膜的直徑遠(yuǎn)大于所述高音環(huán)形振膜的直徑。5.如權(quán)利要求...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：崔大慶，
申請(專利權(quán))人：廣州富邦音響系統(tǒng)工程有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：
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