【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)專利涉及一種半導(dǎo)體材料腐蝕液,具體是指一種用于揭示碲鋅鎘晶體各類缺陷的腐蝕液。
技術(shù)介紹
碲鋅鎘材料是一種具有重要用途的半導(dǎo)體材料。主要用于碲鎘汞外延的襯底材料和吸收Y射線的材料,用它制備的紅外焦平面探測器和Y射線探測器在航天遙感技術(shù)、安檢技術(shù)、醫(yī)療診斷技術(shù)和武器裝備等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。由于受到生長技術(shù)的限制,碲鋅鎘晶體中不可避免地存在著位錯和沉淀物兩類缺陷,位錯密度一般在(I 10) X IO4Cm-2,沉淀物密度在(I 10)X103cm_3。這些缺陷除了直接影響Y射線探測器的響應(yīng)率、噪聲和盲元率等性能,同時也會在外延過程中穿越到碲鎘汞外延材料中,造成碲鎘汞紅外焦平面器件的性能下降。因此,對碲鋅鎘晶體的缺陷進行揭示、識別和檢測是探測器制備的關(guān)鍵工藝之一,同時也是研究和改進碲鋅鎘晶體生長技術(shù)所必須的。傳統(tǒng)的碲鋅鎘晶體腐蝕液如Inoue、Nakagawa腐蝕液等是專門為揭示位錯而研發(fā)的,這些腐蝕液在締鋅鎘晶體表面形成的腐蝕坑大小和形貌類似,不能顯著區(qū)分位錯腐蝕坑和沉淀物腐蝕坑,因此長期以來一直將各類腐蝕坑都歸為位錯腐蝕坑。本專利技術(shù)針對這一問題提供了一種用于揭示碲鋅鎘晶體各類缺陷的腐蝕液,這種腐蝕液能在碲鋅鎘晶體表面形成區(qū)別顯著的位錯腐蝕坑和沉淀物腐蝕坑。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供了一種用于揭示碲鋅鎘晶體各類缺陷的腐蝕液,用于解決現(xiàn)有腐蝕液不能在碲鋅鎘晶體表面形成區(qū)別顯著的位錯腐蝕坑和沉淀物腐蝕坑的問題,其特征是以體積百分數(shù)計:混合液中質(zhì)量濃度為70± 1%的HNO3含有20% 25%,質(zhì)量濃度為40%的HF含有20% 25%,質(zhì)量濃度為30 ...
【技術(shù)保護點】
一種用于揭示碲鋅鎘晶體各類缺陷的腐蝕液,它由HNO3、HF、H2O2和H2O構(gòu)成,其特征在于:以體積百分數(shù)計,混合液中質(zhì)量濃度為70±1%的HNO3含有20%~25%,質(zhì)量濃度為40%的HF含有20%~25%,質(zhì)量濃度為30%的H2O2含有20%~25%,其余體積由H2O補足,組分之和為:HNO3+HF+H2O2+H2O=100%。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于揭示碲鋅鎘晶體各類缺陷的腐蝕液,它由ΗΝ03、HF、H2O2和H2O構(gòu)成,其特征在于:以體積百分數(shù)計,混合液中質(zhì)量濃度為70土 1%的HNO3含有20% 25...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:盛鋒鋒,楊建榮,孫士文,周昌鶴,虞慧嫻,徐超,
申請(專利權(quán))人:中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所,
類型:發(fā)明
國別省市:
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