本發明專利技術提供一種氣體排放單元以及包括其的薄膜沉積裝置。該薄膜沉積裝置包括：反應腔室；主盤，安裝在反應腔室中；以及氣體排放單元，設置在主盤外部。氣體排放單元重新收集反應腔室中的氣體，并包括：基底件，包括外側壁、內側壁以及連接外側壁和內側壁的下壁，并且是具有開口上部的環形件。至少一個通孔形成在下壁中。排放套管配置為插入到通孔中，其中在排放套管中形成氣體出口。環形的上蓋覆蓋基底件的開口上部。在上蓋中形成多個氣體入口。
【技術實現步驟摘要】
本公開涉及薄膜沉積裝置，更具體地，涉及包括氣體排放單元的薄膜沉積裝置。
技術介紹
化學氣相沉積(CVD)裝置用于通過化學反應在沉積對象(例如，諸如半導體晶片的襯底)上形成薄膜。CVD裝置通常配置為通過在真空腔室(其中布置襯底)中注入具有高蒸汽壓的反應氣體而利用反應氣體在襯底上生長薄膜。近來，隨著高集成和高性能的半導體器件的開發，諸如金屬有機CVD (MOCVD)法的CVD方法已變得普遍。特別地，在制造高效率/高輸出的發光器件(LED)時，采用MOCVD裝置
技術實現思路
本專利技術提供薄膜沉積裝置，其具有良好的耐用性并使氣體排放單元易于維護。其它的方面將在以下的描述中部分地闡述，并將部分地從該描述而變得明顯，或者可以通過實踐給出的示例而獲知。示例性薄膜沉積裝置包括:反應腔室；主盤(main disk),安裝在反應腔室中；以及氣體排放單元，設置在主盤外部，重新收集反應腔室中的氣體。氣體排放單元包括:基底件(base member)，包括外側壁、內側壁以及連接外側壁和內側壁的下壁，是具有開口上部的環形件，其中至少一個通孔形成在下壁中；排放套管(discharge sleeve),配置為插入到通孔中，其中在排放套管中形成氣體出口 ；以及上蓋，是覆蓋基底件的開口上部的環形件，其中在上蓋中形成多個氣體入口。排放套管包括插入部以及從插入部延伸的翼部(wing portion)，插入部配置為插入到至少一個通孔中。上蓋包括沿圓周方向設置的多個上蓋片段(upper cover fragment)。絕緣材料可以插置在多個上蓋片段之間。多個上蓋片段可以由石墨制成，硅碳化物涂層可以設置在多個上蓋片段的表面上。示例性薄膜沉積裝置還包括:擴散阻隔物(diffusion barrier),設置在主盤下面，配置為防止氣體擴散到主盤下面的區域；以及擴散阻隔蓋(diffusion barriercover),設置在主盤外部，配置為覆蓋擴散阻隔物的上表面。擴散阻隔蓋可以由石墨制成。擴散阻隔蓋包括沿圓周方向設置的多個擴散阻隔蓋片段。絕緣材料可以插置在擴散阻隔蓋片段之間。多個上蓋片段可以由石墨制成，并且硅碳化物涂層可以形成在多個上蓋片段的表面上。擴散阻隔蓋也可以與上蓋是一體的，包括蓋部(cover portion)和阻隔部(barrier portion),該蓋部覆蓋基底件的開口上部并包括氣體入口，該阻隔部覆蓋擴散阻隔物的上表面。與上蓋一體的擴散阻隔蓋可以包括沿圓周方向設置的多個片段。絕緣材料可以插置在多個片段之間。多個片段可以由石墨制成，硅碳化物涂層可以形成在片段的表面上。示例性薄膜沉積裝置還包括:殼體(housing)，包括具有開口上部的凹入容器形式的下殼體以及覆蓋開口上部的蓋部，其中殼體圍繞反應腔室；側壁件，設置在殼體中，以形成反應腔室的側壁，其中側壁件被基底件的外側壁支撐并且向上延伸；以及上密封件，耦接到蓋部并附接到側壁件，以形成反應腔室的上壁。另一示例性薄膜沉積裝置包括:反應腔室；主盤，安裝在反應腔室中；擴散阻隔物，設置在主盤下面，配置為防止氣體擴散到主盤下面的部分；以及擴散阻隔蓋，由石墨制成并且是環形的，設置在主盤外部以覆蓋擴散阻隔物的上表面。擴散阻隔蓋可以包括沿圓周方向設置的多個擴散阻隔蓋片段。絕緣材料可以插置在多個擴散阻隔蓋片段之間。硅碳化物涂層可以設置在多個擴散阻隔蓋片段的表面上。示例性薄膜沉積裝置還包括:基底件，包括外側壁、內側壁以及連接外側壁和內側壁的下壁，是具有開口上部的環形件，其中至少一個通孔設置在下壁中；以及排放套管，配置為插入到通孔中，其中在排放套管中形成氣體出口，其中擴散阻隔蓋延伸到基底件上方的部分以覆蓋開口上部從而形成收集空間，連接到該收集空間的多個氣體入口形成在擴散阻隔蓋中。擴散阻隔蓋可以包括沿圓周方向設置的多個片段。絕緣材料可以插置在多個片段之間。另一示例性實施例包括化學氣相沉積裝置中的氣體排放單元,該氣體排放單元包括基底件、排放套管以及上蓋。基底件包括下壁、開口上部以及設置在基底件的下壁中的至少一個通孔。排放套管配置為插入到 至少一個通孔中。上蓋包括多個上蓋片段，每個上蓋片段包括一個或更多氣體入口，并且每個上蓋片段可獨立于其它上蓋片段更換。排放套管包括插入部、翼部以及穿過插入部和翼部形成用于氣體流動通道的氣體出口。氣體排放單元還可以包括設置在多個上蓋片段的表面上的涂層。此外，絕緣材料可以設置在多個上蓋片段中相鄰的上蓋片段之間。附圖說明從以下結合附圖對示例的描述，本專利技術構思的這些和/或其它的方面將變得顯然并更易于理解，在附圖中，相似的附圖標記可以在不同的視圖中表示相同或相似的部件。圖1是示出根據本專利技術構思的實施例的薄膜沉積裝置的示意截面圖；圖2是示出圖1的薄膜沉積裝置的俯視平面圖，蓋部從該薄膜沉積裝置移除；圖3是示出根據本專利技術構思的示例性實施例的圖1的主盤的俯視平面圖；圖4A是示出圖1的示例性氣體排放單元的詳細截面圖；圖4B是示出圖4A所示的示例性氣體排放單元的修改示例的截面圖；圖5是不出圖4A所不的基底件的俯視平面圖；圖6是示出為了更換套管而彼此分離的蓋部、側壁件以及上蓋的截面圖；圖7是示出根據本專利技術構思的示例性實施例的由多個片段形成的上蓋的俯視平面圖；圖8是示出根據本專利技術構思的示例性實施例的由多個片段形成的擴散阻隔蓋的俯視平面圖；圖9A是示出彼此一體地耦接的上蓋和擴散阻隔蓋的截面圖9B是示出圖9A所示的示例性氣體排放單元的修改示例的截面圖；圖10是圖9A的示例性氣體排放單元的俯視平面圖；以及圖11是示出上蓋和擴散阻隔蓋的俯視平面圖，該上蓋和該擴散阻隔蓋一體地形成，并由布置在圓周方向上的多個片段形成。具體實施例方式現在將具體參照示例性實施例，其示例在附圖中示出，其中相似的附圖標記始終表示相似的元件。在這一點上，示例性實施例可以具有不同的形式，而不應被解釋為限制到這里闡述的描述。因此，下面通過參照附圖僅描述示例性實施例，以解釋本說明書的方面。在要素列表之前的表達“至少之一”修飾整個要素列表，而不修飾列表的單個要素。圖1是示出根據本專利技術構思的示例性實施例的薄膜沉積裝置的示意截面圖。圖2是示出圖1的薄膜沉積裝置的平面圖，蓋部12從該薄膜沉積裝置移除。參照圖1和圖2，薄膜沉積裝置可以包括反應腔室100以及圍繞反應腔室100的殼體10。殼體10可以是凹入容器，并可以包括具有開口上部的下殼體11以及覆蓋下殼體11的開口上部的蓋部12。殼體10可以具有整個的圓柱形。上密封件70設置在蓋部12的內表面上。上密封件70被固定到蓋部12。例如，上密封件70利用耦接單元80固定到蓋部12。凸起13從蓋部12的下表面突出，耦接單元80耦接到凸起13。例如， 內螺紋可以形成在凸起13的內表面上，外螺紋可以形成在耦接單元80的對應于凸起13的外圓周上。耦接單元80包括從下面支撐密封件70且面向凸起13的支撐翼81。因此，上密封件70以這種配置耦接到蓋部12。上密封件70可以為例如由石英制成的板，但是不限于此。上密封件70形成反應腔室100的上壁。薄膜沉積裝置還包括是氣體注入部90，用于將反應氣體供應到反應腔室100中。氣體注入部90可以布置在反應腔室100的中心部中。例如，中空部82形成在耦接單元80中，氣體注入部90耦本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種薄膜沉積裝置，包括：反應腔室；主盤，安裝在所述反應腔室中；以及氣體排放單元，設置在所述主盤外部，配置為重新收集所述反應腔室中的氣體，其中所述氣體排放單元包括：基底件，包括外側壁、內側壁以及連接所述外側壁和所述內側壁的下壁，其中所述基底件包括具有開口上部的環形件，至少一個通孔設置在所述下壁中；排放套管，插入到所述至少一個通孔中，其中在所述排放套管中形成氣體出口；以及上蓋，包括覆蓋所述基底件的所述開口上部的環形件，其中在所述上蓋中形成多個氣體入口。
【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：韓炅燉，趙珍錫，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：
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